Considerem-se os cinco sinais de tempo discreto x₁[n], x₂[n], x3[n], x₄[n] e x₅[n].Considere-se, ainda, que esses sinais apresentem valores não nulos para 0 ≤ n < N e valores nulos para n < 0 ou n ≥ N. Considere-se, também, que a transformada de Fourier discreta de N pontos de cada um desses sinais seja, respectivamente: X₁[k], X₂[k], X[₃]k, X₄[k] e X₅[k].

Com base nessas informações e sabendo que X₃[k] = X₁[k] ⋅ X₂[k] e que X₄[k] =  , em que  = , e, ainda, que x5[n] = 8x₁[n]+ 9x₂[n], julgue o item a seguir. 

x₅[k] = 8x₁[k] + 9x₂[k]

        Considerem-se os cinco sinais de tempo discreto x₁[n], x₂[n], x3[n], x₄[n] e x₅[n].Considere-se, ainda, que esses sinais apresentem valores não nulos para 0 ≤ n < N e valores nulos para n < 0 ou n ≥ N. Considere-se, também, que a transformada de Fourier discreta de N pontos de cada um desses sinais seja, respectivamente: X₁[k], X₂[k], X[₃]k, X₄[k] e X₅[k].

Com base nessas informações e sabendo que X₃[k] = X₁[k] ⋅ X₂[k] e que X₄[k] =  , em que  = , e, ainda, que x5[n] = 8x₁[n]+ 9x₂[n], julgue o item a seguir. 

Se x₁[k] for calculado usando-se a transformada rápida de Fourier, então a complexidade computacional será reduzida pela metade se comparada à complexidade computacional do cálculo de x1[k] pela transformada de Fourier discreta tradicional. 

        Considerem-se os cinco sinais de tempo discreto x₁[n], x₂[n], x3[n], x₄[n] e x₅[n].Considere-se, ainda, que esses sinais apresentem valores não nulos para 0 ≤ n < N e valores nulos para n < 0 ou n ≥ N. Considere-se, também, que a transformada de Fourier discreta de N pontos de cada um desses sinais seja, respectivamente: X₁[k], X₂[k], X[₃]k, X₄[k] e X₅[k].

Com base nessas informações e sabendo que X₃[k] = X₁[k] ⋅ X₂[k] e que X₄[k] = , em que  =  , e, ainda, que x5[n] = 8x₁[n]+ 9x₂[n], julgue o item a seguir. 

x₄[n] corresponde a um deslocamento no tempo do sinal x1[n], isto é, x4 [n] = x1[n - m].

        Considerem-se os cinco sinais de tempo discreto x₁[n], x₂[n], x3[n], x₄[n] e x₅[n].Considere-se, ainda, que esses sinais apresentem valores não nulos para 0 ≤ n < N e valores nulos para n < 0 ou n ≥ N. Considere-se, também, que a transformada de Fourier discreta de N pontos de cada um desses sinais seja, respectivamente: X₁[k], X₂[k], X[₃]k, X₄[k] e X₅[k].

Com base nessas informações e sabendo que X₃[k] = X₁[k] ⋅ X₂[k] e que  X₄[k] = , em que  = , e, ainda, que x5[n] = 8x₁[n]+ 9x₂[n], julgue o item a seguir. 

x₃[n] corresponde à convolução linear do sinal x₁[n] com o sinal x₂[n], isto é, x₃[n] = 

Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue. 

Idealmente a célula fotovoltaica deve ser construída com silício 100% puro, já que qualquer impureza pode introduzir níveis de energia indesejados nas bandas do sistema, atrapalhando o fluxo de corrente. 

Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue. 

No circuito apresentado, a queda de tensão nos terminais da carga resistiva R_L pode ser expressa por 

em que i_0 é a corrente de saturação reversa, n é o fator de idealidade do diodo, k é a constante de Boltzmann, T é a temperatura e q é a carga do elétron. 

Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.  

Um LED precisa ser construído a partir de um semicondutor inorgânico, pois o gap existente nesse material é necessário para a criação da região de depleção.

Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.  

Antes do processo de recombinação, a diferença entre as energias do elétron e do buraco em um LED azul é maior do que a diferença entre as energias do elétron e do buraco em um LED vermelho. 

Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.  

A cor da luz emitida por um LED depende fundamentalmente da frequência de luz incidente, razão pela qual o encapsulamento desses dispositivos tende a ser transparente ou translúcido. 

Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.  

Em geral, ao se conectar o anodo de um LED ao terminal negativo e o catodo ao terminal positivo de uma fonte de corrente contínua, o dispositivo tende a não emitir luz. 

Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10⁻⁶ Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m² /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C⁻¹.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A tensão Hall no dispositivo é igual a 10 μV para uma corrente de 25 A, com um campo magnético de 4 teslas imposto a uma direção perpendicular à corrente.

Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10⁻⁶ Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m² /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C⁻¹.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A velocidade de arraste no dispositivo, considerando-se a aplicação de um campo elétrico de 30 V/m, é igual a 15 mm/s. 

Julgue o item a seguir, relativo a fundamentos de montagem de circuitos integrados.  

O processo de montagem de circuitos integrados permite conectar eletricamente os pads de ligação do circuito integrado e os pads de ligação do receptáculo.

Com relação à tecnologia de empacotamento em módulos de multi-chip (MCM), julgue o item seguinte.

Um MCM é um empacotamento eletrônico que consiste em vários circuitos integrados montados em um único dispositivo.  

Com relação à tecnologia de empacotamento em módulos de multi-chip (MCM), julgue o item seguinte.

Em um MCM, vários componentes são montados em substratos diferentes e conectados por meio de ligação de fita ou por ligação tipo flip-chip.

Com relação à tecnologia de empacotamento em módulos de multi-chip (MCM), julgue o item seguinte.

Apesar de oferecerem melhoras no desempenho, MCM não são capazes de reduzir o tamanho de um dispositivo.

Julgue o item subsecutivo, a respeito da tecnologia de filme espesso e do processo de soldagem por refusão em circuitos com componentes SMD (surface mounting devices).

O objetivo do processo de soldagem por refusão empregado em componentes SMD é fundir as partículas de solda, “molhar” as superfícies a serem unidas e solidificar a solda em uma junta, metalurgicamente, forte.

Julgue o item subsecutivo, a respeito da tecnologia de filme espesso e do processo de soldagem por refusão em circuitos com componentes SMD (surface mounting devices).

A tecnologia de filme espesso é uma forma de interligar componentes eletrônicos por meio da aplicação de pastas condutivas, resistivas e dielétricas, sobre um substrato cerâmico isolante por um processo serigráfico sequencial e seletivo.  

A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Wire bonding envolve uma pressão localizada precisamente entre o fio e uma região metalizada do circuito ou do terminal do empacotamento a ser soldado, sem aquecer excessivamente toda a estrutura.  

A respeito de empacotamento de circuitos integrados, julgue o seguinte item.

Ball bonding é uma forma de ligação conhecida como termosônica, em que se combina compressão ultrassônica e termocompressão.