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Assinale a alternativa que preenche corretamente a lacuna acima.
Sobre a ligação trifásica que está representada na figura:

Podemos afirmar que:
I - é uma ligação em triangulo ou
.
II - é uma ligação em estrela ou Y com neutro.
III - é uma ligação em estrela ou Y sem neutro.
IV - para Z1 = Z2 = Z3, a corrente de linha tem um valor eficaz √3 vezes maior que a corrente de fase.
Está(ão) corretas(s), apenas:

I - a corrente no resistor estará em fase com a tensão. II - a tensão no indutor estará atrasada de 90° em relação à corrente. III - a corrente no indutor estará atrasada de 90° em relação à tensão.
Está (ão) correta(s), apenas:
Leia as afirmativas a seguir:
I - Na medição de corrente, o amperímetro deve ser conectado em série com o ponto onde se deseja efetuar a medida.
II - Na medição de tensão, o voltímetro deve ser conectado em série com o ponto onde se deseja efetuar a medida.
III - Na medição da resistência elétrica de um único componente do circuito, o ohmímetro deve ser conectado em série com este componente, e este permanecendo conectado ao circuito.
Está (ão) correta, apenas:

Considere e0 (t) e ei (t) a saída e a entrada do circuito com amplificador operacional ideal apresentado abaixo.

A função de transferência do circuito acima E0 (s) Ei ⁄ (s) é:
Considere o circuito e curva corrente de base versus
tensão base-coletor apresentados na sequência para
responder à questão .

Considerando o ganho do transistor BDC = 200, a corrente no coletor (Ic) é igual a:
Considere o circuito e curva corrente de base versus tensão base-coletor apresentados na sequência para responder à questão.

Considerando os dados apresentados no circuito acima, a
corrente de base (IB) é igual a:
I. A memória FLASH é eletricamente apagável no próprio circuito, ao passo que a memória EPROM precisa ser retirada do circuito e exposta à luz ultravioleta para ser apagada. II. A memória FLASH é eletricamente apagável no próprio circuito, ao passo que a memória EEPROM precisa ser retirada do circuito e exposta à luz ultravioleta para ser apagada. III. A memória FLASH apresenta densidade mais elevada e custo mais baixo que a memória EEPROM.
Das afirmativas apresentadas acima, apenas:
Considere o conversor tiristorizado monofásico com carga
resistiva apresentado e as formas de onda de entrada e
saída apresentadas a seguir para responder à questão .


O valor eficaz da tensão Va em função do ângulo de disparo (a) e da tensão de pico na entrada do conversor (Vm) é dado por: