Questões de Concurso

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Q2081715 Engenharia Eletrônica
A função de transferência equivalente ao diagrama de blocos apresentado ao lado encontra-se em 
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Alternativas
Q2079933 Engenharia Eletrônica
No circuito a seguir, considere o diodo ideal, π = 3, 14 e √2 = 0, 707 . O valor CC da tensão (Vs) sobre o resistor em relação ao GND é, aproximadamente:
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Alternativas
Q2079925 Engenharia Eletrônica
Analise o circuito ligado a um Arduino e o código associado ao circuito: 
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Considerando a imagem, marque V para as afirmativas verdadeiras e F para as falsas.
(     ) O acionamento do LED é realizado pelo pino 05, onde há no programa um PWM realizado por software.
(     ) A função delay é escrita no código para que temporize 30 ms.
(     ) Quando o programa é inicializado no Arduino, o valor de brilho ao ser verificado na estrutura condicional if vale 0.
(     ) O PWM traduzido significa modulação por largura de pulso e no Arduino é uma onda quadrada com o ciclo de trabalho determinado pelo valor enviado ao respectivo pino de 0 a 255; onde 0 significa 0 volts nesse pino e 255 significa 5 volts neste pino.
(     ) O decremento da variável fade ocorre se brilho é igual a zero e igual a 255; este decremento é unitário.  
A sequência está correta em 
Alternativas
Q2075655 Engenharia Eletrônica
Os filtros passivos têm como objetivo filtrar correntes harmônicas injetadas no sistema elétrico por dispositivos não lineares em uma instalação. O diagrama de um filtro passivo de dupla sintonia é:
Alternativas
Q2068607 Engenharia Eletrônica

    Pretende-se construir dois equipamentos eletrônicos, com características específicas de operação, em que o equipamento A deve ser mais estável em relação à temperatura, com impedância de entrada elevada e economia de potência para sinais digitais, ao passo que o equipamento B deve apresentar maior robustez quanto às descargas de eletricidade estática quando for manuseado e um ganho de tensão mais elevado.


Considerando-se as características apontadas e os dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente. 


O equipamento B deve ser construído com transistores de efeito de campo do tipo MOSFET.

Alternativas
Respostas
41: A
42: A
43: B
44: A
45: E