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Há programas que realizam a duplicação ou a clonagem de discos, permitindo que se crie uma imagem ou um “espelho” da instalação corrente para replicação em vários computadores.
Possuem essa funcionalidade os softwares
Ao se deparar com um computador com defeito, um técnico percebeu que o equipamento não estava ligando. Após alguns testes, ele desconfiou de falhas na fonte de alimentação. Sabendo que a fonte é do padrão ATX, há uma forma de simular o sinal de Power On (ligar), para que a fonte ative as principais tensões de saída.
Essa simulação é feita por meio de uma ligação (jumper) entre os fios
A utilização de softwares que retornem informações do sistema, incluindo o hardware da máquina, permite descobrir características de um computador.
São exemplos desse tipo de software:
Um pente de memória defeituoso pode causar diferentes falhas na utilização de um computador. É recomendado que se faça um diagnóstico das memórias principais (RAM) em caso de falhas intermitentes ou de não inicialização do sistema operacional.
Para esse fim, são adequados os programas
Em sua dimensão pedagógica, o Projeto Político-Pedagógico ̶ PPP do IFRN prevê princípios e diretrizes norteadores de ações pedagógicas a serem desenvolvidas em sintonia com a pedagogia crítica.
Ancorando-se nesse documento institucional, são princípios orientadores da prática pedagógica do IFRN
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.
Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 A, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
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A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência VMP= - 0,33 V; corrente de máxima potência IMP= 1,21x10-9 A; tensão de circuito aberto VOC= - 0,40 V; e corrente de curto circuito ISC= 1,31 x 10-9 A.
A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de
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Um circuito combinacional é utilizado para contar os números 1s presentes em três entradas de um bit: A, B e C. Como saída, fornece esse número em binário por meio de duas saídas Z1 e Z0, sendo Z1 o bit mais significativo. O número de 1s, nas três entradas, pode variar de 0 a 3. Desse modo, a saída de dois bits é suficiente para representar esses números.
As equações lógicas que representam Z1 e Z0 são
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Em relação ao controle e acionamento de máquinas elétricas, é correto afirmar que
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Um chopper step-up opera com uma frequência de chaveamento de 2 kHz a partir de uma fonte de alimentação DC no valor de 100 V.
Considerando a resistência da carga no valor de 2 Ω e a tensão de saída no valor de 250 V, o valor do tempo em que a chave fica ligada durante cada ciclo é, aproximadamente, de
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Em relação aos dispositivos lógicos programáveis, o FPGA
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No momento em que ocorre uma transição ativa na entrada de clock de um flip-flop, o tempo de preparação e o tempo de manutenção são importantes para a confiabilidade da resposta às entradas de controle.
De acordo com esses parâmetros, o tempo de
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Considerando a Linguagem de Descrição de Hardware, VHDL, é correto afirmar que a
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Observe o gráfico abaixo que representa a predominância dos efeitos da interação de fótons com a matéria.

Adaptado de: SÁ, José R.et al. Interação da Física das Radiações com o Cotidiano: uma prática multidisciplinar para o Ensino de Física. Revista Brasileira de Ensino de Física. São Paulo, v.39, n.1, 2017.
Considerando que os fenômenos mais comuns na interação de fótons com a matéria, na faixa de energia
de 10 keV a 100 MeV, são os efeitos Rayleigh, fotoelétrico, Compton e da produção de pares elétronpósitron, é correto afirmar que
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Analise as figuras 1 e 2, que representam um experimento com fótons e um com elétrons, respectivamente.

Na figura 1, os fótons foram individualmente emitidos em direção a um obstáculo no formato de dupla fenda. Na figura 2, os elétrons também foram emitidos individualmente em direção ao obstáculo no formato de dupla fenda.
A semelhança entre os padrões nas imagens obtidos demonstra que
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A barra metálica possui comprimento L e massa m e o sistema encontra-se em uma região com campo magnético B uniforme e perpendicular ao plano formado pela barra e trilhos. A barra é solta do topo dos trilhos e, ao final destes, uma resistência elétrica R fecha o circuito elétrico.
A equação que expressa a velocidade de descida da barra, sob as ações do campo gravitacional g e do campo magnético B, com uma velocidade uniforme v, é
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Observe o diagrama do circuito elétrico abaixo.

A corrente elétrica no resistor de 2 Ω é igual a