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Q2817696 Arquitetura de Software

Há programas que realizam a duplicação ou a clonagem de discos, permitindo que se crie uma imagem ou um “espelho” da instalação corrente para replicação em vários computadores.

Possuem essa funcionalidade os softwares

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Q2817695 Arquitetura de Software

Ao se deparar com um computador com defeito, um técnico percebeu que o equipamento não estava ligando. Após alguns testes, ele desconfiou de falhas na fonte de alimentação. Sabendo que a fonte é do padrão ATX, há uma forma de simular o sinal de Power On (ligar), para que a fonte ative as principais tensões de saída.

Essa simulação é feita por meio de uma ligação (jumper) entre os fios

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Q2817693 Arquitetura de Software

A utilização de softwares que retornem informações do sistema, incluindo o hardware da máquina, permite descobrir características de um computador.

São exemplos desse tipo de software:

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Q2817692 Arquitetura de Software
Uma prática muito comum em atendimento de suporte ao usuário de computadores (helpdesk) é a utilização de programas de acesso remoto, que permite ao técnico acessar à distância o computador do cliente, podendo efetuar as configurações e as instalações necessárias. São softwares de acesso remoto:
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Q2817691 Arquitetura de Software

Um pente de memória defeituoso pode causar diferentes falhas na utilização de um computador. É recomendado que se faça um diagnóstico das memórias principais (RAM) em caso de falhas intermitentes ou de não inicialização do sistema operacional.

Para esse fim, são adequados os programas

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Q2785207 Legislação Federal

Em sua dimensão pedagógica, o Projeto Político-Pedagógico ̶ PPP do IFRN prevê princípios e diretrizes norteadores de ações pedagógicas a serem desenvolvidas em sintonia com a pedagogia crítica.

Ancorando-se nesse documento institucional, são princípios orientadores da prática pedagógica do IFRN

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Q2785202 Engenharia Elétrica

Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.



Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,

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Q2785201 Engenharia Elétrica

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2

Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é

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Q2785200 Engenharia Elétrica

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2

Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 A, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é

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Q2785195 Engenharia Elétrica

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A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência VMP= - 0,33 V; corrente de máxima potência IMP= 1,21x10-9 A; tensão de circuito aberto VOC= - 0,40 V; e corrente de curto circuito ISC= 1,31 x 10-9 A.


A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de

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Q2785187 Engenharia Elétrica

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Um circuito combinacional é utilizado para contar os números 1s presentes em três entradas de um bit: A, B e C. Como saída, fornece esse número em binário por meio de duas saídas Z1 e Z0, sendo Z1 o bit mais significativo. O número de 1s, nas três entradas, pode variar de 0 a 3. Desse modo, a saída de dois bits é suficiente para representar esses números.


As equações lógicas que representam Z1 e Z0 são

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Q2785185 Engenharia Elétrica

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Em relação ao controle e acionamento de máquinas elétricas, é correto afirmar que

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Q2785182 Engenharia Elétrica

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Um chopper step-up opera com uma frequência de chaveamento de 2 kHz a partir de uma fonte de alimentação DC no valor de 100 V.

Considerando a resistência da carga no valor de 2 Ω e a tensão de saída no valor de 250 V, o valor do tempo em que a chave fica ligada durante cada ciclo é, aproximadamente, de

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Q2785181 Engenharia Elétrica

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Em relação aos dispositivos lógicos programáveis, o FPGA

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Q2785177 Engenharia Elétrica

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No momento em que ocorre uma transição ativa na entrada de clock de um flip-flop, o tempo de preparação e o tempo de manutenção são importantes para a confiabilidade da resposta às entradas de controle.


De acordo com esses parâmetros, o tempo de

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Q2785176 Engenharia Elétrica

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Considerando a Linguagem de Descrição de Hardware, VHDL, é correto afirmar que a

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Ano: 2017 Banca: FUNCERN Órgão: IF-RN Prova: FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Física |
Q2212507 Física

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Observe o gráfico abaixo que representa a predominância dos efeitos da interação de fótons com a matéria.


Imagem associada para resolução da questão


Adaptado de: SÁ, José R.et al. Interação da Física das Radiações com o Cotidiano: uma prática multidisciplinar para o Ensino de Física. Revista Brasileira de Ensino de Física. São Paulo, v.39, n.1, 2017.


Considerando que os fenômenos mais comuns na interação de fótons com a matéria, na faixa de energia de 10 keV a 100 MeV, são os efeitos Rayleigh, fotoelétrico, Compton e da produção de pares elétronpósitron, é correto afirmar que 

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Ano: 2017 Banca: FUNCERN Órgão: IF-RN Prova: FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Física |
Q2212504 Física

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Analise as figuras 1 e 2, que representam um experimento com fótons e um com elétrons, respectivamente.

Imagem associada para resolução da questão


Na figura 1, os fótons foram individualmente emitidos em direção a um obstáculo no formato de dupla fenda. Na figura 2, os elétrons também foram emitidos individualmente em direção ao obstáculo no formato de dupla fenda.


A semelhança entre os padrões nas imagens obtidos demonstra que 

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Ano: 2017 Banca: FUNCERN Órgão: IF-RN Prova: FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Física |
Q2212499 Física

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Analise a figura abaixo, em que se representa uma barra metálica, conectada em suas extremidades a dois trilhos condutores na posição vertical que permitem o movimento livre da barra, para cima e para baixo.
Imagem associada para resolução da questão



A barra metálica possui comprimento L e massa m e o sistema encontra-se em uma região com campo magnético B uniforme e perpendicular ao plano formado pela barra e trilhos. A barra é solta do topo dos trilhos e, ao final destes, uma resistência elétrica R fecha o circuito elétrico.
A equação que expressa a velocidade de descida da barra, sob as ações do campo gravitacional g e do campo magnético B, com uma velocidade uniforme v, é 
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Ano: 2017 Banca: FUNCERN Órgão: IF-RN Prova: FUNCERN - 2017 - IF-RN - Professor - Física |
Q2212498 Física

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Imagem associada para resolução da questão
Observe o diagrama do circuito elétrico abaixo.
Imagem associada para resolução da questão


A corrente elétrica no resistor de 2 Ω é igual a
Alternativas
Respostas
9161: A
9162: A
9163: C
9164: A
9165: B
9166: C
9167: A
9168: D
9169: B
9170: B
9171: A
9172: A
9173: A
9174: A
9175: B
9176: C
9177: C
9178: B
9179: B
9180: D