Junção Semicondutor-Metal: Ao contrário de um diodo convencional, que é formado pela junção de dois materiais semicondutores (um tipo P e um tipo N), o diodo Schottky é formado pela junção de um metal com um material semicondutor (geralmente do tipo N). Essa junção é conhecida como "barreira de Schottky".

Tempo de Recuperação Reversa Inferior: A principal vantagem operacional do diodo Schottky deriva de sua estrutura. Em um diodo convencional (junção PN), a condução envolve a injeção e o armazenamento de portadores de carga minoritários. Quando a polarização é revertida, é preciso um tempo para remover essa carga armazenada, o que resulta em um "tempo de recuperação reversa" (t_rr) considerável. No diodo Schottky, a condução é feita quase exclusivamente por portadores majoritários, com armazenamento de carga insignificante. Por isso, ele consegue comutar (passar do estado de condução para o de bloqueio) muito mais rapidamente, apresentando um tempo de recuperação reversa extremamente baixo, próximo de zero.

Essa característica o torna ideal para aplicações de alta frequência, como em fontes chaveadas e circuitos retificadores de alta velocidade.