Em células de silício cristalino sob regimes de alta injeçã...

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Q3876263 Engenharia Elétrica
Em células de silício cristalino sob regimes de alta injeção de portadores, a recombinação Auger torna-se o mecanismo dominante. Analise as afirmativas sobre as características físicas deste processo.

I. A recombinação Auger envolve a colisão de três corpos (elétron-elétron-lacuna ou lacuna-lacuna-elétron), onde a energia da recombinação é transferida para um terceiro portador livre em vez de ser emitida como fóton.
II. Este mecanismo é não radiativo e sua taxa é proporcional ao cubo da densidade de portadores de carga, tornando-se limitante em células de alta eficiência e alta concentração.
III. A taxa de recombinação Auger é independente da dopagem do material e da intensidade luminosa, sendo considerada uma constante universal imutável para todos os semicondutores de gap indireto.

Está correto o que se afirma em:
Alternativas

Comentários

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C

A afirmativa I descreve corretamente o processo de três corpos, onde a energia é transferida para a energia cinética de um terceiro portador. A II está correta pois a taxa é proporcional a n^2 x p ou p^2 x n (dependência cúbica em alta injeção), sendo não radiativa. A III é falsa, pois a taxa depende da dopagem e da injeção de portadores (intensidade luminosa), variando entre diferentes semicondutores.

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