Questões de Concurso Sobre engenharia eletrônica
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Nesse caso, se a entrada for o número binário 100, então, a tensão de saída será igual a
No circuito representado na figura precedente, se β = 50, VBE = 0,7 V e R = 2 kΩ, o valor da corrente I, em mA, será igual a
Assinale a opção que corresponde à configuração de amplificador com transistor apresentado na figura precedente.
Considerando π = 3, assinale a opção que corresponde, respectivamente, ao tipo e à frequência de corte (fC) do filtro ilustrado na figura anterior.
O circuito apresentado na figura precedente pode ser modelado pelo teorema de Thévenin como
Um filtro digital é caracterizado pela seguinte equação de diferenças:
em que x[n] é o sinal de entrada e y[n] é o sinal de saída.
Com base nessas informações, julgue o item a seguir.
O referido filtro é um sistema causal e estável.
Um filtro digital é caracterizado pela seguinte equação de diferenças:
em que x[n] é o sinal de entrada e y[n] é o sinal de saída.
Com base nessas informações, julgue o item a seguir.
O filtro em apreço é do tipo FIR (finite impulse response) e
sua resposta ao impulso é =
.
Um filtro digital é caracterizado pela seguinte equação de diferenças:
em que x[n] é o sinal de entrada e y[n] é o sinal de saída.
Com base nessas informações, julgue o item a seguir.
Em uma implantação, em tempo real, do referido filtro em
um processador digital de sinais, serão necessárias, no
mínimo, duas operações MAC (mutiply-accumulate) para se
calcular cada amostra do sinal de saída.
Um filtro digital é caracterizado pela seguinte equação de diferenças:
em que x[n] é o sinal de entrada e y[n] é o sinal de saída.
Com base nessas informações, julgue o item a seguir.
O filtro em questão consiste em um passa-baixas de
1.ª ordem, logo tem um zero em z = 0 e polo em z = 3/7 .
Um filtro digital é caracterizado pela seguinte equação de diferenças:
em que x[n] é o sinal de entrada e y[n] é o sinal de saída.
Com base nessas informações, julgue o item a seguir.
A função de transferência do referido filtro é 
,
com região de convergência 
Considerem-se os cinco sinais de tempo discreto x1[n], x2[n], x3[n], x4[n] e x5[n].Considere-se, ainda, que esses sinais apresentem valores não nulos para 0 ≤ n < N e valores nulos para n < 0 ou n ≥ N. Considere-se, também, que a transformada de Fourier discreta de N pontos de cada um desses sinais seja, respectivamente: X1[k], X2[k], X[3]k, X4[k] e X5[k].
Com base nessas informações e sabendo que X3[k] = X1[k] ⋅ X2[k] e que X4[k] = 
, em que 
= , e, ainda, que x5[n] = 8x1[n]+ 9x2[n], julgue o item a seguir.
x5[k] = 8x1[k] + 9x2[k]
Considerem-se os cinco sinais de tempo discreto x1[n], x2[n], x3[n], x4[n] e x5[n].Considere-se, ainda, que esses sinais apresentem valores não nulos para 0 ≤ n < N e valores nulos para n < 0 ou n ≥ N. Considere-se, também, que a transformada de Fourier discreta de N pontos de cada um desses sinais seja, respectivamente: X1[k], X2[k], X[3]k, X4[k] e X5[k].
Com base nessas informações e sabendo que X3[k] = X1[k] ⋅ X2[k] e que X4[k] = , em que = , e, ainda, que x5[n] = 8x1[n]+ 9x2[n], julgue o item a seguir.
Se x1[k] for calculado usando-se a transformada rápida de
Fourier, então a complexidade computacional será reduzida
pela metade se comparada à complexidade computacional do
cálculo de x1[k] pela transformada de Fourier discreta
tradicional.
Considerem-se os cinco sinais de tempo discreto x1[n], x2[n], x3[n], x4[n] e x5[n].Considere-se, ainda, que esses sinais apresentem valores não nulos para 0 ≤ n < N e valores nulos para n < 0 ou n ≥ N. Considere-se, também, que a transformada de Fourier discreta de N pontos de cada um desses sinais seja, respectivamente: X1[k], X2[k], X[3]k, X4[k] e X5[k].
Com base nessas informações e sabendo que X3[k] = X1[k] ⋅ X2[k] e que X4[k] = , em que = , e, ainda,
que x5[n] = 8x1[n]+ 9x2[n], julgue o item a seguir.
x3[n] corresponde à convolução linear do sinal x1[n] com o
sinal x2[n], isto é, x3[n] = 
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
Idealmente a célula fotovoltaica deve ser construída com
silício 100% puro, já que qualquer impureza pode introduzir
níveis de energia indesejados nas bandas do sistema,
atrapalhando o fluxo de corrente.
A figura a seguir ilustra o circuito simplificado de um diodo fotovoltaico, baseado em silício: o resultado do processo de fotoexcitação é representado pelo surgimento de uma tensão que, como consequência, gera a corrente i_gen; R_S representa a resistência da célula e R_SH, uma resistência interna shunt; i_d representa a corrente no diodo, i_sh, a corrente que flui pela resistência shunt e i_L, a corrente que flui pela carga resistiva.
Tendo como referência as informações precedentes, julgue o item que se segue.
No circuito apresentado, a queda de tensão nos terminais da carga resistiva R_L pode ser expressa por
em que i_0 é a corrente de saturação reversa, n é o fator de
idealidade do diodo, k é a constante de Boltzmann, T é a
temperatura e q é a carga do elétron.
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