Questões de Engenharia Eletrônica - Eletrônica Digital na Engenharia Eletrônica para Concurso
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A tecnologia de semicondutor de óxido metálico complementar destaca-se no cenário de implementação de sinais mistos em tecnologia VLSI por sua capacidade de otimizar a densidade e a eficiência energética na esfera digital, bem como à sua versatilidade em fornecer um leque diversificado e adequado de componentes para a elaboração de projetos no espectro analógico.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
Nos circuitos CMOS, devido à diferença de mobilidade entre
lacunas e elétrons em materiais semicondutores, os
transistores NMOS usados em circuitos digitais têm
aproximadamente o dobro do tamanho dos transistores
PMOS.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
Em materiais semicondutores fabricados com silício, a
mobilidade de elétrons é maior que a mobilidade das
lacunas, por isso, na fabricação de circuitos de alto
desempenho e baixo consumo, é empregada,
predominantemente, a tecnologia que utiliza apenas
transistores NMOS.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica inversora CMOS, com a entrada representada por Ve e a saída, pela tensão Vs.
Em relação a circuitos integrados em larga escala de fabricação (VLSI), julgue o item que se segue.
O diagrama a seguir ilustra uma configuração compatível com uma porta lógica NOR CMOS, com as entradas representadas por VA e VB a saída, pela tensão VS.