🎯 Saiba o que estudar

Avançado com Treinador a partir de R$ 0,76/dia

Questões de Concurso Sobre engenharia elétrica

Foram encontradas 19.567 questões

Q2367054 Engenharia Elétrica

Em relação à fotônica em silício, julgue o item que se segue. 


Um passo importante para o desenvolvimento de um circuito integrado fotônico foi a integração de uma junção p-n a um guia de onda, criando-se um modulador de fase. 

Alternativas
Q2367053 Engenharia Elétrica

Em relação à fotônica em silício, julgue o item que se segue. 


O especial interesse em utilizar-se silício em fotônica decorre da transparência do material para o espectro visível, o que permite a concepção de sistemas que aliem transporte de carga e de radiação com eficiência. 

Alternativas
Q2367052 Engenharia Elétrica

Em relação à fotônica em silício, julgue o item que se segue. 


Um dos desafios para o desenvolvimento da fotônica em silício é a dispersão de luz no material. 

Alternativas
Q2367051 Engenharia Elétrica

Em relação à fotônica em silício, julgue o item que se segue. 


Uma das desvantagens da fotônica em silício é sua restrição ao regime de baixas e médias frequências, de até 10 KHz, o que torna limitada a perspectiva de aplicação do campo em telecomunicações. 

Alternativas
Q2367045 Engenharia Elétrica

Acerca dos fotodetectores, julgue o item a seguir. 


Mapeando-se o comportamento da variação da resistência elétrica de um dispositivo na presença de luz a ponto de gerar uma função e atribuir uma escala, será possível conceber-se um tipo de fotodetector. 

Alternativas
Q2367043 Engenharia Elétrica

Acerca dos fotodetectores, julgue o item a seguir. 


Respeitada a faixa de funcionamento nominal de cada dispositivo, em altas temperaturas, o ruído de Johnson-Nyquist é minimizado, razão pela qual nesse regime o uso de fotomultiplicadores é, em regra, preferível ao uso de fotodiodos. 

Alternativas
Q2367042 Engenharia Elétrica

Acerca dos fotodetectores, julgue o item a seguir. 


Fotodetectores somente convertem em sinal elétrico a radiação na região espectral do visível. 

Alternativas
Q2367041 Engenharia Elétrica

Acerca dos fotodetectores, julgue o item a seguir. 


Um fotodetector pode ser utilizado na entrada de um receptor óptico para converter o sinal elétrico em sinal óptico.

Alternativas
Q2367040 Engenharia Elétrica

Em relação a diodos emissores de luz (LED), julgue o item que se segue.  


O LED é um dispositivo tipicamente não ôhmico; portanto, a resistência elétrica observada em determinado ponto de operação não pode ser calculada pela razão entre a tensão aplicada e a corrente que flui pelos seus terminais.

Alternativas
Q2367024 Engenharia Elétrica

Julgue o próximo item, acerca da caracterização de nanomateriais. 


As propriedades elétricas dos nanomateriais podem ser analisadas por sua resistência e(ou) por sua condutividade elétrica, utilizando-se instrumentos como um multímetro digital, um medidor de impedância, uma sonda de quatro pontas e um componente semicondutor isolante de metal. 

Alternativas
Q2367022 Engenharia Elétrica

Julgue o próximo item, acerca da caracterização de nanomateriais. 


Pode-se caracterizar completamente um nanomaterial sem que sejam quantificadas suas dimensões. 

Alternativas
Q2367017 Engenharia Elétrica

Julgue o item seguinte, a respeito das propriedades dos nanomateriais. 


Os nanomateriais apresentam elevada razão área de superfície por volume e, consequentemente, uma maior densidade de átomos é encontrada na sua superfície em comparação com o interior, o que implica o aumento da reatividade desses materiais e sua consequente menor estabilidade química, sendo eles amplamente empregados como catalisadores. 

Alternativas
Q2367016 Engenharia Elétrica

Julgue o item seguinte, a respeito das propriedades dos nanomateriais. 


Uma estratégia para melhorar as propriedades mecânicas de matrizes poliméricas é a adição de nanomateriais inorgânicos, formando-se nanocompósitos. 

Alternativas
Q2364450 Engenharia Elétrica
Julgue o item seguinte, em relação aos processos de recuperação de materiais críticos em eletrônica e à avaliação do ciclo de vida dos produtos eletrônicos.


Uma das vantagens dos processos pirometalúrgicos para a recuperação de metais em dispositivos eletrônicos é o baixo valor da planta industrial utilizada.
Alternativas
Q2364449 Engenharia Elétrica
Julgue o item seguinte, em relação aos processos de recuperação de materiais críticos em eletrônica e à avaliação do ciclo de vida dos produtos eletrônicos.

A biolixiviação, que consiste na interação de microrganismos específicos com metais, através de reações de oxirredução, é um processo aplicado para a recuperação de metais raros e preciosos presentes nos resíduos eletrônicos.
Alternativas
Q2364447 Engenharia Elétrica
Considerando os diferentes tipos de ensaio para a determinação da qualidade de produtos e dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente. 

Em um ensaio de vida acelerado, um produto eletrônico é submetido a condições de operação acima das condições nominais e abaixo dos limites destrutivos do produto, por um tempo de duração preestabelecido.
Alternativas
Q2364445 Engenharia Elétrica
Considerando os diferentes tipos de ensaio para a determinação da qualidade de produtos e dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente. 

Um dispositivo eletrônico submetido a um ensaio para determinação da sua proteção quanto a riscos de incêndios é considerado seguro quando ele não apresenta chama ao ser submetido a uma tensão de circuito aberto de 230 V (com 5% de tolerância) e corrente de curto-circuito igual a 5,75 A (com 5% de tolerância).

Alternativas
Q2364444 Engenharia Elétrica
Considerando os diferentes tipos de ensaio para a determinação da qualidade de produtos e dispositivos eletrônicos, julgue o item subsequente. 

Ensaios de microscopia ótica são adequados para a determinação de possíveis defeitos existentes na estrutura de uma placa de circuito impresso. 
Alternativas
Q2364443 Engenharia Elétrica
Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10−6 Ωm, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m2 /(Vs) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C−1.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A condutividade elétrica do material de construção do dispositivo em questão é maior que 2×10m)−1.
Alternativas
Q2364431 Engenharia Elétrica

Com relação à tecnologia de empacotamento em módulos de multi-chip (MCM), julgue o item seguinte.



Maior tempo de manufatura industrial e a impossibilidade de emprego simultâneo com várias tecnologias de substrato são desvantagens do MCM. 

Alternativas
Respostas
5261: C
5262: E
5263: C
5264: E
5265: C
5266: E
5267: E
5268: E
5269: E
5270: C
5271: E
5272: C
5273: C
5274: E
5275: C
5276: E
5277: E
5278: C
5279: E
5280: E