Questões de Concurso
Sobre eletromagnetismo na engenharia elétrica em engenharia elétrica
Foram encontradas 1.515 questões
Ano: 2023
Banca:
COPEVE-UFAL
Órgão:
UFAL
Prova:
COPEVE-UFAL - 2023 - UFAL - Engenheiro Eletricista |
Q2245036
Engenharia Elétrica
A partir de 2015, foi alterada a NBR 5419, sendo efetuada uma atualização, tornando-a como a NBR 5419-2:2015, que altera o cálculo de como é feita a análise de risco para verificar se, na edificação, há a necessidade de se projetar um sistema de proteção contra descargas atmosféricas (SPDA). Ao se considerar que: a) em uma estrutura há essa necessidade, de acordo com os riscos encontrados, b) as características da edificação permitem que possa ser escolhido o método do ângulo de proteção, também
conhecido como método de Franklin, c) a estrutura possui dimensões de 64 m x48 m d) o volume de proteção será formado por hastes, e) a edificação possui Classe III, do SPDA. 
Considerando-se o raio da base do cone de proteção, e inserido haste/s no topo da edificações, que é plana, de forma simétrica, e, ao correlacionar as dimensões da estrutura com a figura, qual das configurações atende ao método citado em questão?
Considerando-se o raio da base do cone de proteção, e inserido haste/s no topo da edificações, que é plana, de forma simétrica, e, ao correlacionar as dimensões da estrutura com a figura, qual das configurações atende ao método citado em questão?
Ano: 2023
Banca:
COPEVE-UFAL
Órgão:
UFAL
Prova:
COPEVE-UFAL - 2023 - UFAL - Engenheiro Eletricista |
Q2245031
Engenharia Elétrica
A descoberta dos materiais semicondutores foi imprescindível na miniaturização dos dispositivos como os computadores pessoais
celulares, dentre outros. A respeito dos semicondutores, assinale a alternativa correta.
Ano: 2023
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-MA
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2023 - IF-MA - Técnico De Laboratório - Eletroeletrônica |
Q2226718
Engenharia Elétrica
Utilizados para medir a temperatura em processos
industriais, os termistores são elementos que
variam sua resistência com a mudança de
temperatura do meio no qual estão inseridos ou
dispostos. Sobre esses elementos, é correto
afirmar que
Ano: 2023
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-MA
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2023 - IF-MA - Técnico De Laboratório - Eletroeletrônica |
Q2226715
Engenharia Elétrica
Durante um experimento laboratorial, um ímã de
comprimento L (ilustrado na figura a seguir) caiu
e se quebrou em duas partes idênticas, de
dimensões L/2. Sobre essas duas novas partes, é
correto afirmar que 
Ano: 2001
Banca:
NCE-UFRJ
Órgão:
TRE-RJ
Prova:
NCE-UFRJ - 2001 - TRE-RJ - Analista Judiciário - Apoio Especializado - Engenharia Elétrica |
Q2225334
Engenharia Elétrica
A cor roxeada dos grãos de silica gel de um transformador indica que o seu óleo isolante:
Ano: 2001
Banca:
NCE-UFRJ
Órgão:
TRE-RJ
Prova:
NCE-UFRJ - 2001 - TRE-RJ - Analista Judiciário - Apoio Especializado - Engenharia Elétrica |
Q2225325
Engenharia Elétrica
A constante de um medidor analógico de watt-horas
é 3,0. Se o seu disco girar 20 vezes durante 2 minutos, a
energia consumida pela carga durante este intervalo de
tempo e a potência média da carga serão de:
Ano: 2007
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TSE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2007 - TSE - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q2219737
Engenharia Elétrica
Texto associado
Texto para as questão
A figura acima mostra uma estrutura eletromagnética que
é alimentada por uma fonte de tensão CA. A bobina tem N
espiras e envolve um material ferromagnético que apresenta
permeabilidade magnética μ supostamente infinita. No núcleo
ferromagnético, cuja seção transversal tem área igual a A, foi
aberto um entreferro de comprimento g, que é atravessado por
um fluxo magnético produzido a partir da corrente i que circula
pela bobina.
Na estrutura eletromagnética apresentada no texto, é comum o
aparecimento de frangeamento ou espraiamento, que é
caracterizado
Ano: 2007
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
TSE
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2007 - TSE - Analista Judiciário - Engenharia Elétrica |
Q2219736
Engenharia Elétrica
Texto associado
Texto para as questão
A figura acima mostra uma estrutura eletromagnética que
é alimentada por uma fonte de tensão CA. A bobina tem N
espiras e envolve um material ferromagnético que apresenta
permeabilidade magnética μ supostamente infinita. No núcleo
ferromagnético, cuja seção transversal tem área igual a A, foi
aberto um entreferro de comprimento g, que é atravessado por
um fluxo magnético produzido a partir da corrente i que circula
pela bobina.
Com relação à estrutura eletromagnética apresentada e
considerando que a permeabilidade do ar é igual a μ0, assinale
a opção incorreta.
Ano: 2018
Banca:
FUMARC
Órgão:
CEMIG - MG
Prova:
FUMARC - 2018 - CEMIG - MG - Engenheiro de Telecomunicações JR |
Q2216481
Engenharia Elétrica
Sobre os conceitos de ganho e relação frente-costa (F/B) de uma antena, NÃO é
correto afirmar:
Ano: 2012
Banca:
FUNDEP (Gestão de Concursos)
Órgão:
MPE-MG
Prova:
FUNDEP (Gestão de Concursos) - 2012 - MPE-MG - Analista do MP - Engenharia Eletrica |
Q2214954
Engenharia Elétrica
A existência da polarização de um dielétrico sob o ponto de vista atômico pode se distinguir
por meio de três formas principais de polarização: a dos elétrons, a dos íons e a dos dipolos.
Nas afirmativas abaixo, assinale a alternativa INCORRETA.
Nas afirmativas abaixo, assinale a alternativa INCORRETA.
Ano: 2023
Banca:
OBJETIVA
Órgão:
Prefeitura de Lavras do Sul - RS
Prova:
OBJETIVA - 2023 - Prefeitura de Lavras do Sul - RS - Engenheiro Eletricista |
Q2195140
Engenharia Elétrica
Em relação aos métodos de proteção contra descargas
atmosféricas, o Método Franklin nada mais é do que um:
Ano: 2023
Banca:
OBJETIVA
Órgão:
Prefeitura de Lavras do Sul - RS
Prova:
OBJETIVA - 2023 - Prefeitura de Lavras do Sul - RS - Engenheiro Eletricista |
Q2195138
Engenharia Elétrica
Sobre magnetismo e eletromagnetismo, analisar os itens abaixo:
I. A permeabilidade se refere à capacidade de um material magnético de concentrar o fluxo magnético. A permeabilidade relativa é uma medida da permeabilidade para diferentes materiais em comparação com o ar ou vácuo. A permeabilidade relativa do cobre é menor do que 1, já a do alumínio é ligeiramente maior do que 1.
II. Se uma bobina com certo número de amperes-espira for esticada até atingir o dobro do seu comprimento original, a intensidade do campo magnético terá a metade do seu valor original.
III. Segundo a lei de Faraday, a tensão induzida tem polaridade tal que se opõe à variação de fluxo que causa a indução. Segundo a lei de Lenz, o valor da tensão induzida depende do número de espiras da bobina e da velocidade com que o condutor intercepta as linhas de força ou fluxo. Tanto o condutor quanto o fluxo podem se deslocar.
IV. Considerando-se uma bobina que tem uma força magnetomotriz de 500Ae e uma relutância de 2x106 Ae/Wb, o fluxo magnético total será de 250mWb.
Estão CORRETOS:
Ano: 2023
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
AGER - Mato Grosso
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2023 - AGER - Mato Grosso - Analista Regulador - Engenharia Elétrica |
Q2180372
Engenharia Elétrica
A respeito do para-raios, assinale a opção correta.
Q2168865
Engenharia Elétrica
Sobre as propriedades magnéticas de aços para fins elétricos, analise as seguintes afirmativas e
assinale a alternativa correta.
I. A permeabilidade magnética dos materiais ferromagnéticos não é constante, sendo dependente da intensidade do campo magnético ao qual os materiais estão submetidos.
II. Na construção de máquinas elétricas rotativas, são desejados aços de alta permeabilidade magnética, além de baixas perdas por histerese e por correntes induzidas.
III. Dispositivos eletromagnéticos construídos com ligas de aço-silício apresentam melhor eficiência do que aqueles produzidos por aços puros devido ao aumento da condutividade elétrica da liga resultante, o que diminui as perdas por histerese.
IV. Aços elétricos a grãos orientados apresentam anisotropia magnética mais pronunciada do que os aços a grãos não orientados, sendo os aços a grãos orientados mais indicados para construção de transformadores elétricos de potência.
I. A permeabilidade magnética dos materiais ferromagnéticos não é constante, sendo dependente da intensidade do campo magnético ao qual os materiais estão submetidos.
II. Na construção de máquinas elétricas rotativas, são desejados aços de alta permeabilidade magnética, além de baixas perdas por histerese e por correntes induzidas.
III. Dispositivos eletromagnéticos construídos com ligas de aço-silício apresentam melhor eficiência do que aqueles produzidos por aços puros devido ao aumento da condutividade elétrica da liga resultante, o que diminui as perdas por histerese.
IV. Aços elétricos a grãos orientados apresentam anisotropia magnética mais pronunciada do que os aços a grãos não orientados, sendo os aços a grãos orientados mais indicados para construção de transformadores elétricos de potência.
Q2168864
Engenharia Elétrica
Sobre as propriedades elétricas dos materiais, analise as seguintes afirmativas e assinale a
alternativa correta.
I. Nas soluções iônicas, uma corrente elétrica pode se estabelecer a partir do movimento de impurezas denominadas “lacunas”.
II. O grande número de elétrons livres nos materiais metálicos, não ligados a um átomo específico, é uma explicação para a boa condutividade elétrica desses materiais.
III. Os materiais cerâmicos são tipicamente empregados como isolantes elétricos, porém são menos resistentes a temperaturas elevadas e ambiente severos que os metais e os polímeros.
IV. Os semicondutores apresentam condutividade elétrica intermediária entre os condutores e os isolantes, podendo ter seu comportamento elétrico alterado pela introdução de átomos de impurezas.
I. Nas soluções iônicas, uma corrente elétrica pode se estabelecer a partir do movimento de impurezas denominadas “lacunas”.
II. O grande número de elétrons livres nos materiais metálicos, não ligados a um átomo específico, é uma explicação para a boa condutividade elétrica desses materiais.
III. Os materiais cerâmicos são tipicamente empregados como isolantes elétricos, porém são menos resistentes a temperaturas elevadas e ambiente severos que os metais e os polímeros.
IV. Os semicondutores apresentam condutividade elétrica intermediária entre os condutores e os isolantes, podendo ter seu comportamento elétrico alterado pela introdução de átomos de impurezas.
Ano: 2023
Banca:
FCC
Órgão:
Copergás - PE
Prova:
FCC - 2023 - Copergás - PE - Engenheiro Eletricista |
Q2164184
Engenharia Elétrica
Sobre o ESP32, a tensão de operação (nível lógico alto) e o transdutor que ele possui que altera a tensão de saída ao interagir
com um campo magnético são, respectivamente,
Q2160277
Engenharia Elétrica
Acerca do diodo, a afirmativa correta é:
Ano: 2023
Banca:
FCM
Órgão:
IF Sul - MG
Prova:
FCM - 2023 - IF Sul - MG - Técnco - Área Industrial 1 - Apoio |
Q2144013
Engenharia Elétrica
Preencha as lacunas do texto a seguir considerando-se
os conceitos relacionados ao diodo semicondutor.
O diodo semicondutor é formado por um processo de ___________ no qual são criados materiais semicondutores tipo N e tipo P no mesmo componente. Os terminais do diodo são identificados como ___________ (conectado ao material tipo P) e ___________ (conectado ao material tipo N). A principal característica operacional do diodo é que ele permite a passagem de corrente em ___________.
A sequência que preenche corretamente as lacunas do texto é:
O diodo semicondutor é formado por um processo de ___________ no qual são criados materiais semicondutores tipo N e tipo P no mesmo componente. Os terminais do diodo são identificados como ___________ (conectado ao material tipo P) e ___________ (conectado ao material tipo N). A principal característica operacional do diodo é que ele permite a passagem de corrente em ___________.
A sequência que preenche corretamente as lacunas do texto é:
Ano: 2023
Banca:
FCM
Órgão:
IF Sul - MG
Prova:
FCM - 2023 - IF Sul - MG - Técnco - Área Industrial 1 - Apoio |
Q2144012
Engenharia Elétrica
Informe se é verdadeiro (V) ou falso (F) o que se afirma sobre a condução elétrica nos materiais.
( ) Quanto mais distante a órbita de um elétron, menor a atração do núcleo. Na eletrônica, interessa a última órbita, chamada de órbita de valência. Essa órbita controla as propriedades elétricas do átomo e define se o material é condutor, semicondutor ou isolante.
( ) Nos isolantes, a atração do núcleo e do elétron de valência é muito fraca; o elétron de valência pode deslocar facilmente e, por isso, o elétron de valência é também chamado de elétron livre.
( ) Nos condutores, os elétrons de valência estão fortemente ligados ao seu átomo e não estão livres. Os materiais mais comuns deste grupo são baseados em uma combinação de dois ou mais tipos de átomos.
( ) O semicondutor é um elemento com propriedades elétricas entre as do condutor e as do isolante. Os melhores materiais deste grupo têm quatro elétrons na órbita de valência.
A sequência correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:
( ) Quanto mais distante a órbita de um elétron, menor a atração do núcleo. Na eletrônica, interessa a última órbita, chamada de órbita de valência. Essa órbita controla as propriedades elétricas do átomo e define se o material é condutor, semicondutor ou isolante.
( ) Nos isolantes, a atração do núcleo e do elétron de valência é muito fraca; o elétron de valência pode deslocar facilmente e, por isso, o elétron de valência é também chamado de elétron livre.
( ) Nos condutores, os elétrons de valência estão fortemente ligados ao seu átomo e não estão livres. Os materiais mais comuns deste grupo são baseados em uma combinação de dois ou mais tipos de átomos.
( ) O semicondutor é um elemento com propriedades elétricas entre as do condutor e as do isolante. Os melhores materiais deste grupo têm quatro elétrons na órbita de valência.
A sequência correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:
Ano: 2023
Banca:
FCM
Órgão:
IF Sul - MG
Prova:
FCM - 2023 - IF Sul - MG - Técnco - Área Industrial 1 - Apoio |
Q2144011
Engenharia Elétrica
A teoria dos semicondutores é essencial para o desenvolvimento dos diversos componentes eletrônicos. Graças a esse estudo, a eletrônica cresceu a passos largos.
Somente semicondutores são apresentados em
Somente semicondutores são apresentados em
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