Sobre os transístores JFET-n, avalie o acerto das afirmações adiante e marque com V as verdadeiras e com F as falsas.

( ) Possui uma alta capacidade de condução de corrente.

( ) A corrente no canal é função da tensão no Gate.

( ) A corrente no canal é função da tensão entre Drain e Source.

( ) Quando a tensão entre Gate e Source (V_GS) é zero, não há corrente no canal mesmo quando a tensão entre Drain e Source (V_DS) for suficientemente positiva, pois acontece o estrangulamento.

Marque a opção que a sequência CORRETA, de cima para baixo:

Para o circuito amplificador abaixo, considerando o ganho = 99 e a tensão V_BE = 0,7 V, é correto afirmar que a corrente de base I_B e a tensão V_E são, respectivamente:

Para o circuito abaixo, considerando o ganho de realimentação e A o ganho de tensão do estágio amplificador, avalie o acerto das afirmações adiante e marque com V as verdadeiras e com F as falsas.

(_) A malha de elementos R e C é responsável pelo deslocamento de fase de 2700 quando na frequência de oscilação.

(_) Para que Ri não influencie na malha RC, deve-se ter Ri << R.

(_) Para oscilação ocorrer o estágio amplificador deve ter ganho A > 29.

(_) Quanto mais próximo o ganho de malha .A estiver de 1, mais a forma de onda se aproximará de uma senoide.

Marque a opção que contenha a sequência CORRETA, de cima para baixo:

Com relação a amplificadores de potência, avalie o acerto das afirmações adiante e marque com V as verdadeiras e com F as falsas.

( ) Os amplificadores classe A apresentam eficiência máxima maior que os amplificadores classe B.

( ) Os amplificadores classe A apresentam uma menor taxa de distorção harmônica comparado aos de classe B.

( ) Os amplificadores classe D são projetados para operar com sinais digitais ou pulsados e apresentam eficiência global elevada.

( ) Em amplificadores classe B é possível obter na saída um ciclo completo do sinal de entrada utilizando apenas um transistor.

Marque a opção que contenha a sequência CORRETA, de cima para baixo:

O fenômeno da indução eletromagnética determina que ao aplicarmos uma DDP a um circuito teremos através da corrente no condutor a geração de campo magnético proporcional a sua intensidade. Assinale a proposição CORRETA que cita o uso do eletromagnetismo como principal condição de funcionamento:

Considerando os métodos de solução do fluxo de carga em sistemas elétricos de potência, assinale a afirmativa INCORRETA.

Analise as afirmativas sobre diodos semicondutores, assinalando com V as verdadeiras e com F as falsas. 
( ) Necessitando saber a tensão de ruptura de um diodo, é apropriado realizar um ensaio em que se atinja a região de avalanche e, então, registrar o valor da tensão.  ( ) Testando um diodo com ohmímetro, a indicação de resistência baixa em ambos os sentidos de polarização indica que o diodo se comporta como ideal.  ( ) A ligação de dois diodos de potência em paralelo para se obter maior capacidade de corrente nominal exige a inclusão de resistências em série de balanceamento da queda de tensão.  ( ) Diodos de chaveamento rápido são requeridos nos retificadores de onda completa em ponte alimentados pela rede elétrica comercial. 
Assinale a sequência CORRETA. 

A densidade de corrente de energia de uma onda eletromagnética é calculada por meio do chamado vetor de Poynting. Esse vetor é calculado de acordo com a seguinte expressão (sendo μ₀ a permeabilidade magnética do vácuo e B a densidade de fluxo magnético):

As ondas eletromagnéticas sofrem um processo de polarização, sendo que nesse processo podem assumir diferentes formas geométricas, as quais são formadas pela

Considerando a propagação de ondas eletromagnéticas (em meios materiais), o fator denominado Impedância Característica do Meio é calculado de acordo com a seguinte expressão (sendo ε a permissividade dielétrica do meio e μ a permeabilidade magnética do meio):

Laços indutivos são os sensores mais comuns em aplicações de tráfego de veículos, sendo que,

O sensor de temperatura NTC é muito utilizado para a medida de temperatura por ser de fácil aplicação e custo reduzido, mas apresenta o inconveniente de possuir uma curva de resposta resistência/temperatura não linear. Uma forma para linearizar a curva de resposta do NTC é

Os sensores de temperatura do tipo Termistor são fabricados com diferentes tipos de materiais, e destinadas para aplicações específicas, que são padronizadas mundialmente. Caso um engenheiro eletricista tenha que escolher um Termistor para ser utilizado em ambiente externo, ou seja, que tem efeito oxidante, redutor e inerte, para medir temperaturas na faixa de −40 °C até 350 °C, o tipo de Termistor escolhido deverá ser o

A capacitância de um capacitor esférico formado por duas cascas esféricas concêntricas de raios R_A e R_B (R_A > R_B), tendo dielétrico com permissividade eletrostática igual a ∈₀ ,é dada por

O sensor que deve ser utilizado para medir a vibração de um eixo de aço que gira a 120 RPM é

O quadro acima apresenta informações sobre seções nominais dos condutores e mostra a capacidade de condução de corrente dos condutores de acordo com sua seção nominal. Em uma determinada instalação elétrica, a corrente de projeto da instalação é de 63 A e as condições de instalação determinam um fator de correção de temperatura de 1,05 e um fator de correção de agrupamento de 0,6.



Qual seção nominal dos condutores deve ser adotada?

Seja o circuito magnético mostrado na figura abaixo e sabendo que a relutância do Ferro vale 3.10³ A.e/Wb e a do entreferro vale 4.10⁵ A.e/Wb e que o número de espiras N=500, o valor aproximado da indutância L do circuito, em Henry é de:

Com relação ao Cobre e ao Alumínio é correto afirmar:

I. O Alumínio possui uma resistividade elétrica menor que a do Cobre.

II. Em relação ao Cobre, o Alumínio possui uma resistência mecânica menor.

III. É recomendada a utilização de condutores de Alumínio em regiões próximas ao litoral devido sua característica de resistir à corrosão.

IV. em relação ao Cobre, o Alumínio tem um peso específico menor.

São verdadeiras somente as afirmações:

Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 10¹⁶ cm^-3 e concentração de dopantes doadores ND= 10¹⁵ cm^-3 .

Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 10¹⁰ cm^-3 e constante dielétrica do semicondutor ε_s = 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,

A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência V_MP = - 0,33 V; corrente de máxima potência I_MP = 1,21x10^-9 A; tensão de circuito aberto V_OC = - 0,40 V; e corrente de curto circuito I_SC = 1,31 x 10^-9 A.

A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de