Questões de Concurso
Sobre eletromagnetismo na engenharia elétrica em engenharia elétrica
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A intensidade da interação elétrica de uma partícula com objetos ao seu redor depende da sua carga elétrica, que pode ser tanto positiva quanto negativa. Dessa forma, é correto afirmar que
Quando o processo de dopagem introduz na estrutura cristalina do semicondutor uma quantidade de átomos contendo excesso de um elétron de valência relativamente ao número de elétrons da camada mais externa de cada átomo de cristal, é correto afirmar que se forma um
Alguns materiais apresentam propriedades de condução elétrica intermediárias entre aquelas inerentes aos isolantes e aos condutores. Tais materiais são denominados de semicondutores. Sobre esses materiais, é incorreto afirmar que
Os fenômenos eletrostáticos ocorrem quando um corpo, após passar por um processo de eletrização, fica carregado eletricamente. Os corpos eletrizados podem ficar carregados das seguintes formas:
I. positivamente, em que se possuem mais prótons do que elétrons.
II. negativamente, em que se possuem menos elétrons do que prótons.
III. neutro, se tiver a mesma quantidade de prótons e elétrons.
É correto o que está contido em
O diagrama eletrônico abaixo caracteriza:
No circuito abaixo considere as seguintes informações:
IC = 2 mA; β = 200 e transistor de Si. Determine VCE, IB e RBB.
No circuito abaixo, determine os limites que pode ter RL para que o diodo Zenner opere na região de regulação.
Dados: P2 = 0,5 W; VZ = 6,2 Volts; IZMAX = 80 mA; IZMIN = mA.
Observe os componentes eletrônicos representados a seguir:
Tais componentes denominam‐se, respectivamente,
Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.
Fonte: FUNCERN, 2017.
Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10-19 C e ln 3= 1,1, a sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de
Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 1016 cm-3 e concentração de dopantes doadores ND= 1015 cm-3.
Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 1010 cm-3 e constante dielétrica do semicondutor s= 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 k com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação = em uma tecnologia 0,18 m. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade tensão de limiar de condução é Vth n=450 cm 2 /V.s, sua = 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/ m2
Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 A, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é
Indique a unidade de carga elétrica (quantidade de eletricidade).
A alteração de temperatura de um transistor pode alterar o funcionamento do mesmo. Sobre isso, é correto afirmar:
Para o circuito da figura a seguir, calcule o valor de VCE, sabendo que V = 20,7 V, RB = 100 K, RC = 500 , VBE = 0,7 V, CC = 100.
O resultado é:
Em relação a circuitos retificadores, pode-se afirmar que, em um retificador:
Para o circuito a seguir:
Dados:
Vi = 10 v
R= 1 kΩ
RL= 4 kΩ
VZ = 4 V
PZM= 10mW
Em um transistor npn polarizado:
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