Durante o processo de dopagem utilizado na fabricação de di...

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Ano: 2025 Banca: Marinha Órgão: CAP Prova: Marinha - 2025 - CAP - Praça da Marinha - Eletrônica |

Q4158173 Eletrônica

Durante o processo de dopagem utilizado na fabricação de dispositivos semicondutores, impurezas específicas são introduzidas ao silício com o objetivo de modificar suas propriedades elétricas. Considerando o material do tipo n resultante desse processo, assinale a opção correta.

Possui excesso de lacunas como portadores majoritários, devido à adição de átomos trivalentes.

A condutividade diminui com a introdução de impurezas doadoras

Apresenta elétrons livres como portadores majoritários, provenientes da dopagem com elementos pentavalentes.

Transforma o silício em um isolante, pois impede o movimento de cargas.

Os portadores minoritários são elétrons livres, responsáveis pela condução elétrica.

Incorreta. Gabarito oficial da banca:

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