No estudo dos materiais semicondutores e dispositivos de estado sólido, o processo de purificação e posterior inserção controlada de impurezas nos cristais de silício ou germânio é realizado para alterar a produção de elétrons livres e lacunas. Sabendo disso, assinale a alternativa que indica o nome correto desse processo e o valor da barreira de potencial (queda de tensão) para um diodo de Silício (Si) a 25°C: 

De acordo com as regras práticas de funcionamento e polarização de um Transistor Bipolar de Junção (TBJ) do tipo NPN, para que o componente conduza e opere corretamente, suas junções devem ser polarizadas de uma forma específica. Assinale a alternativa correta a respeito das condições de polarização e níveis de tensão nos terminais de um transistor NPN funcional: