Questões Militares
Sobre transistores em eletrônica
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Com base na teoria de semicondutores, coloque (V) para verdadeiro ou (F) para falso e, em seguida, assinale a alternativa com a sequência correta.
( ) Um semicondutor dopado é chamado de semicondutor intrínseco.
( ) Uma forma de aumentar a condutibilidade de um semicondutor é através da dopagem.
( ) A polarização direta ocorre quando o terminal positivo de uma fonte de tensão contínua é aplicado no terminal negativo do diodo.
( ) Um diodo fortemente dopado possui uma camada de depleção larga.
Observe a figura a seguir:
Qual é o valor dos resistores RB e RC, respectivamente, representados na figura acima, para polarizar o transistor com as seguintes características:
Dados: VCE = 12V, Ib - 10uA
VBE = 0,7V e Ic = 3mA
Observe o circuito abaixo .
Os resistores do circuito têm uma tolerância de ±5%. Qual é
a tensão no coletor se todas as resistências tiverem 5% de
tolerância a mais que seus valores nominais?
Observe o circuito abaixo.
Qual é o valor de VGS e ID, respectivamente, para o FET do
circuito acima?
Observe o circuito abaixo.
Sabendo que a queda de tensão entre a base e o emissor do
transistor é de aproximadamente 0,7V, e que a tensão do
diodo Zener D é de 5V, qual é o valor aproximado da
corrente, em mA, no coletor do transistor?
Observe o circuito na figura abaixo.
Qual é o valor aproximado, em Volts, da tensão Vce do transistor acima?
Dado: β = 200
Observe o circuito da figura abaixo.
Qual é o valor aproximado, em Volts, da tensão "VCE" , entre o
coletor e o emissor do transistor?
Com relação às ondas em meios condutores, analise as afirmativas abaixo.
I - Define-se como profundidade de penetração a distância percorrida por uma onda até que sua amplitude caia para 50% de seu valor inicial.
II - Devido a sua facilidade de penetração em meios condutores, as altas frequências são utilizadas para transmitir ondas eletromagnéticas para submarinos imersos.
III- Altas frequências penetram com facilidade nos condutores.
IV - Para um condutor perfeito, a profundidade de penetração é nula, criando-se, assim, uma corrente superficial.
Assinale a opção correta.
Assinale a opção que apresenta a frequência de oscilação de um determinado oscilador Colpitts a FET.
Dados: C1 = 750 pF
C2 = 2500 pF
L = 40 µH
Considerando uma corrente de base pelo menos 20 vezes menor que a corrente no divisor, qual será a tensão entre coletor e emissor, na figura acima?
O SCR da figura acima tem VT = 0, 70 Volts, IT = 7 mA e IH= 6 mA.
Assinale a opção que apresenta, respectivamente, a tensão de saída quando o SCR estiver desligado; a tensão de entrada que dispara o SCR; e o valor do Vcc para que o SCR abra.
Dados: VT é a tensão de disparo.
I T é a corrente de disparo.
IH é a corrente de manutenção.
No circuito acima, o pico da portadora de entrada é de 10mV e o pico do sinal de modulação de entrada é de 8mV. Calcule o ganho de tensão quiescente (A) deste circuito, e assinale a opção correta.
De acordo com a figura acima, assinale a opção que apresenta o comportamento da tensão coletor-emissor (aumenta, diminui ou permanece a mesma) para cada um dos seguintes defeitos abaixo.
1 - O resistor de 330 kΩ está em curto-circuito.
1 - O resistor de 330 kΩ está em curto-circuito.
3 - O resistor de 820 ω está em curto-circuito.
4 - O resistor de 820 Ω está aberto.
5 - Sem tensão de alimentação na base.
6 - Sem tensão de alimentação no coletor.
Considerando que VBE de Q1 (transistor limitador de corrente) é igual a 0, 7 V, determine a corrente de carga (A) em curto- circuito e assinale a opção correta.
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