Questões Militares
Sobre transistores em eletrônica
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Considere que a tensão no diodo Zener se mantém constante em Vz, a junção base-emissor do transistor NPN tem queda de aproximadamente 0,7 V, todos os componentes funcionam dentro das faixas nominais e o diodo Zener está devidamente polarizado. Assinale a opção que indica o valor da tensão de saída Vout em função de Vz.
Observe o circuito abaixo.
Os transistores Q₁ e Q₂ são NPN e configurados como um par Darlington. Sabendo que o ganho de corrente de cada transistor individual é β, e desconsiderando as capacitâncias parasitas e a corrente de fuga, assinale a opção correta sobre o comportamento dinâmico do circuito em regime de pequeno-sinal.
Fonte: MALVINO, Albert Paul; BATES, David J. Eletrônica, v. 1. 7ª ed. São Paulo: McGraw- Hill, 2011.p.193, fig. 6-6 a.
Analise o circuito a seguir.
Determine qual é a corrente lD para o transistor MOSFET NMOS polarizado na região de saturação do circuito acima.
Dados:
Suponha Vt = 1 V e Kn (W/L) = 1 mA/V2;
Despreze o efeito da modulação do comprimento do canal (λ = 0); e ID = 1/2 K'n (W/L) =( VGS - Vt)2
I - Transistores MOSFET usados em circuitos digitais como chaves devem operar nas regiões de tríodo e corte.
Il- A região de saturação de MOSFET é usada na amplificação de sinais.
lll- Para operar como chave, os transistores TBJ devem operar na região ativa e de corte.
I- O transistor NMOS possui este nome por conta das regiões de dreno (drain) e fonte (source) altamente dopadas com substrato tipo n.
ll- O terminal gate é eletricamente isolado do substrato por uma camada de dióxido de silício (SiO2).
III- Em um transistor NMOS, o canal induzido abaixo do gate tem origem na inversão da superfície do substrato do tipo n para o tipo p, e também é conhecido como camada de inversão.
IV- O substrato forma junções p-n com a região do dreno e da fonte que, em operação normal, devem ser mantidas reversamente polarizadas.
V. O transistores MOSFET são dispositivos simétricos, logo, é possível intercambiar a fonte (source) e dreno (drain) sem alterar as características do dispositivo.
O circuito abaixo representa o oscilador
No circuito abaixo, o transistor Q2 está saturado. Assinale a alternativa que contém a assertiva correta.
Obs.: considere as saídas sobre os coletores.
Qual é o valor da corrente no coletor em mA no circuito a seguir?
Dados: Transistor de silício, VBB = 10 V, VCC = 10 V, β = 100, RB = 200KΩ e RC = 1KΩ
Qual a diferença entre a tensão no coletor em relação à base do transistor do circuito abaixo? Dado β = 400. Considere queda de tensão na base de 1V.
Selecione a alternativa que contém as funções corretas dos circuitos ilustrados abaixo.
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