Questões Militares de Eletrônica - Transistores

Sobre o símbolo esquemático abaixo, estudado em Eletrônica Básica, é CORRETO afirmar: 


Fonte: MALVINO, Albert Paul; BATES, David J. Eletrônica, v. 1. 7ª ed. São Paulo: McGraw- Hill, 2011.p.193, fig. 6-6 a. 

Analise o circuito a seguir. 

Determine qual é a corrente l_D para o transistor MOSFET NMOS polarizado na região de saturação do circuito acima.

Dados: 

Suponha V_t = 1 V e K_n (W/L) = 1 mA/V²; 

Despreze o efeito da modulação do comprimento do canal  (λ = 0); e I_D = 1/2 K'_n (W/L) =( V_GS - V_t)²

Analise as afirmativas abaixo, com relação a transistores, e assinale a opção correta.
I - Transistores MOSFET usados em circuitos digitais como chaves devem operar nas regiões de tríodo e corte.
Il- A região de saturação de MOSFET é usada na amplificação de sinais.
lll- Para operar como chave, os transistores TBJ devem operar na região ativa e de corte.  

Sobre os transistores de efeito de campo (MOSFET), analise as afirmativas abaixo e assinale a opção correta.
I- O transistor NMOS possui este nome por conta das regiões de dreno (drain) e fonte (source) altamente dopadas com substrato tipo n.
ll- O terminal gate é eletricamente isolado do substrato por uma camada de dióxido de silício (SiO₂).
III- Em um transistor NMOS, o canal induzido abaixo do gate tem origem na inversão da superfície do substrato do tipo n para o tipo p, e também é conhecido como camada de inversão.
IV- O substrato forma junções p-n com a região do dreno e da fonte que, em operação normal, devem ser mantidas reversamente polarizadas.
V. O transistores MOSFET são dispositivos simétricos, logo, é possível intercambiar a fonte (source) e dreno (drain) sem alterar as características do dispositivo.  

O circuito abaixo representa o oscilador