Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

O fator de carga de uma porta lógica representa a quantidade máxima de saídas que é possível ligar a uma entrada.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.

Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.

Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.

Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.

A tensão média sobre o resistor de carga R_L é menor do que 12 volts.

Com relação a esse circuito, julgue o item a seguir.

Caso a resistência de carga seja reduzida de 100 ohms para 50 ohms, a tensão de ondulação na tensão de saída irá se reduzir à metade.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

Nesse circuito, a lei de Kirchoff aplicada na malha mais à esquerda, na qual passa a corrente I₁, e que contêm a fonte E₁ e os resistores R₁ e R₂, é a seguinte: E₁ + R₁I₁ + R₂(I₁+I₂) = 0.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

A corrente I₂ é igual a 0,5 mA.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

O modelo de Norton equivalente ao circuito que se encontra à esquerda dos pontos A e B, ou seja, o circuito obtido pela retirada do resistor R₄ e da fonte E₂, é formado por uma fonte de corrente equivalente de Norton com corrente de 1,2 mA em paralelo com uma resistência equivalente de Norton de 4 kΩ.

Com relação a esse circuito, julgue o item seguinte.

O modelo de Thévenin equivalente ao circuito que se encontra à esquerda dos pontos A e B, ou seja, o circuito obtido pela retirada do resistor R₄ e da fonte E₂, é formado por uma fonte equivalente de Thévenin com tensão de 5 V em série com uma resistência equivalente de Thévenin de 4 kΩ.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício do tipo N consiste em dopar um material semicondutor intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam substituídos por átomos de elementos químicos adequados para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse processo de modificação do semicondutor intrínseco permite gerar um material em que os portadores majoritários são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Para que o diodo semicondutor retificador contendo uma junção PN esteja em polarização reversa, é necessário que o potencial elétrico no catodo seja maior que o do anodo.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

No transistor de efeito de campo NMOS do tipo depleção, o substrato usado para a fabricação é um semicondutor do tipo N, e as regiões da fonte e do dreno são implementados como semicondutores do tipo P.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores do tipo PNP, os portadores majoritários no emissor e no coletor são as lacunas e, na base, são os elétrons.

No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.

Nos transistores de uso geral do tipo NPN, a base, que deve ser fabricada com a maior largura possível, apresenta um grau de dopagem bem mais alto do que o coletor, característica essa importante por favorecer a minimização da recombinação dos portadores majoritários e minoritários na base.