Analise a figura abaixo que projeta um circuito representando o diagrama esquemático de um sensor de temperatura de estado sólido.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Considerando os transistores Q1 e Q2 idênticos (Is1= Is2) com parâmetro de processo n= 1, o valor da constante de Boltzmann (k) igual a 1,38x10^-23 J/K, a carga do elétron (q) igual a 1,6x10^-19 C e ln 3 = 1,1, a sensibilidade obtida para o dispositivo sensor é de

Em um dispositivo semicondutor constituído de silício monocristalino, uma junção pn abrupta, na temperatura de 300 K, possui concentração de dopantes aceitadores NA= 10¹⁶ cm^-3 e concentração de dopantes doadores ND= 10¹⁵ cm^-3 .

Considerando kT= 26 meV, ln10= 2,3026, concentração de portadores do silício intrínseco ni= 10¹⁰ cm^-3 e constante dielétrica do semicondutor ε_s = 1,045 pF/cm, estando a junção pn em equilíbrio e sem polarização, a altura da barreira de potencial e a largura total da região de depleção são, respectivamente,

Para responder a questão, considere o texto abaixo.

Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação  em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .

Para o FET descrito, o valor da tensão entre porta e fonte (VGS), necessário para fazer com que o dispositivo opere como um resistor de 1 kΩ com tensão entre dreno e fonte (VDS) muito pequena, é

Para responder a questão, considere o texto abaixo.
Um transistor de efeito de campo (FET) é fabricado com uma relação  em uma tecnologia 0,18 μm. Seu isolante de porta tem espessura tox= 4 nm, seus elétrons têm mobilidade μn=450 cm² /V.s, sua tensão de limiar de condução é Vth= 0,48 V e sua capacitância da porta por unidade de área é Cox= 8,6 fF/μm² .

Para que o FET descrito opere na região de saturação com uma corrente de dreno ID= 50 μA, o valor da tensão mínima entre dreno e fonte (VDS mínimo) é

Observe a figura abaixo que representa um circuito em que as resistências de entrada e saída do amplificador operacional são, respectivamente, infinita e zero, bem como a = 10⁴ é o seu ganho de malha aberta.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para R1= 8,2 kΩ e R2= 82 kΩ, o ganho de malha fechada do circuito é de

Observe a figura abaixo, que representa um circuito em que o transistor bipolar NPN foi especificado para ter β (hFE) na faixa de 15 a 75.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para que o transistor Q1 opere na saturação (VCE de saturação= 0,2 V e VBE= 0,67 V), com Fator Forçado igual a 20, o valor da resistência de base (RB) será de

Analise a figura abaixo que representa um circuito amplificador de instrumentação, em que são utilizados resistores com tolerância de 5%.

Fonte: FUNCERN, 2017.

O valor do ganho diferencial mínimo (Ad) é de

Analise a figura abaixo que representa um circuito de polarização DC do amplificador fonte comum (FC), com tensão entre a porta e a fonte (V_GS) igual a 2,39 V e transistor de efeito de campo (FET) com as seguintes características: tensão de limiar de condução Vth= 1,2 V, parâmetros de processo e λ = 0,004V^-1 .

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para a condição de polarização estabelecida, os respectivos valores da transcondutância (gm) e do resistor de saída para pequenos sinais do FET são

A medição das características elétricas de um dispositivo sensor que utiliza o efeito fotovoltaico apresentou os seguintes resultados: tensão de máxima potência V_MP = - 0,33 V; corrente de máxima potência I_MP = 1,21x10^-9 A; tensão de circuito aberto V_OC = - 0,40 V; e corrente de curto circuito I_SC = 1,31 x 10^-9 A.

A partir dos parâmetros medidos, o Fator de Forma (FF) do sensor é de

Analise a figura abaixo que representa um circuito em que a diferença de potencial medida entre os pontos A e B é igual a zero Volt.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Para atender à condição imposta, os respectivos valores de Cx e Rx são

Analise a figura abaixo, que projeta um circuito RC-AmpOp representativo de um filtro ativo.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Considerando os amplificadores operacionais ideais e a tensão de entrada (Vi) uma senóide, com 50 mV de pico, as frequências de corte inferior e superior e o valor médio quadrático da tensão de saída (Vo), para frequências no interior da banda de passagem, respectivamente, são

Analise a figura abaixo, que representa um circuito com diodos ideais.

Fonte: FUNCERN, 2017.

O valor de pico da tensão de saída (vo) é de

Um retificador de onda completa em ponte, que utiliza diodos de silício (V_D= 0,7 V), possui uma entrada senoidal de 220 Vrms e uma carga de 3,3 kΩ.

Os valores da tensão CC aplicada na carga, da especificação da tensão de pico inversa (PIV) máxima para os diodos e da corrente máxima por meio dos diodos durante a condução, respectivamente, são

Analise a figura abaixo que projeta um circuito em que o resistor Rx representa o comportamento de um sensor piezoresistivo, cuja sensibilidade linear e positiva é S= 52 mΩ/N e sua resistência é de 615 Ω quando nenhuma força é aplicada.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Considerando que a ponte resistiva é posta em equilíbrio pelo ajuste do potenciômetro Rv, na condição de carga nula (Força = 0 N) aplicada ao sensor, quando esse sensor é submetido a uma força de 150 N, um voltímetro DC conectado aos pontos A e B do circuito indicará o valor, em módulo, de

Analise a descrição abaixo de estados de um sistema sequencial.

• Entrada: x(t) ∈ {0,1,2,3]

• Saída: z(t) ∈ {a,b}

• Estado: s(t) ∈ {S₀ , S₁}

• Estado Inicial: s(0) = S₀

• Funções:

Assinale a opção que representa o diagrama de estados obtido, diretamente, dessas expressões.

Analise a figura abaixo, que representa um circuito sequencial.

Fonte: FUNCERN, 2017.

Assinale a opção em que estão representadas, corretamente, as formas de onda das saídas Q0 e Q1.

Um circuito combinacional é utilizado para contar os números 1s presentes em três entradas de um bit: A, B e C. Como saída, fornece esse número em binário por meio de duas saídas Z1 e Z0, sendo Z1 o bit mais significativo. O número de 1s, nas três entradas, pode variar de 0 a 3. Desse modo, a saída de dois bits é suficiente para representar esses números.

As equações lógicas que representam Z1 e Z0 são

Analise a figura abaixo, que representa uma estrutura de portas complexas.

Fonte: FUNCERN, 2017.

A função lógica que representa a saída Z do circuito é

Em relação ao controle e acionamento de máquinas elétricas, é correto afirmar que

Analise a figura abaixo, que representa um circuito elétrico.

Fonte: FUNCERN, 2017.

O valor da impedância Z_L, para que a potência na carga seja máxima, é de