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Considerando as tecnologias de empacotamento de circuito integrado (CI), julgue o item a seguir.
A tecnologia de empilhamento 3D de chips utilizando vias
de silício oferece a possibilidade de solucionar problemas de
interconexão, ao mesmo tempo em que possibilita o uso de
funções integradas para melhoria de desempenho.
As abordagens de design para circuitos analógicos diferem significativamente das utilizadas em circuitos digitais, principalmente no que diz respeito à gestão de ruídos e variações de sinal; além disso, a integração de componentes analógicos em designs de modo misto requer considerações adicionais para assegurar a compatibilidade e o desempenho efetivo do circuito integrado como um todo.
Nos circuitos integrados VLSI de modo misto que priorizam a eficiência energética e a minimização de consumo, a concepção de amplificadores diferenciais é invariavelmente orientada pelo uso exclusivo de transistores PMOS.
Em sistemas CMOS VLSI, a integração de materiais piezoelétricos com avanços em nanotecnologia é realizada geralmente por meio de abordagens híbridas, em que os componentes são fabricados separadamente e depois combinados com o chip CMOS; isso assegura a eficiência e funcionalidade do conjunto, contribuindo significativamente para a sustentabilidade e autonomia energética desses dispositivos, sem comprometer as características individuais de cada tecnologia.
A tecnologia de semicondutor de óxido metálico complementar destaca-se no cenário de implementação de sinais mistos em tecnologia VLSI por sua capacidade de otimizar a densidade e a eficiência energética na esfera digital, bem como à sua versatilidade em fornecer um leque diversificado e adequado de componentes para a elaboração de projetos no espectro analógico.
Considerando a figura precedente, que ilustra a geometria de uma porta do tipo MOS, julgue o item a seguir.
A ilustração mostra a estrutura de um transistor PMOS do
tipo depleção.

Quando a corrente medida no amperímetro considerado ideal for de 1,45 A, a tensão nominal (VZ), no diodo Zener, é, aproximadamente, igual a
Considere que v1 = 2,002 V, v2 = 2,011 e R = 12 kΩ. Se RG for ajustado para 320 Ω, qual será o valor da tensão de saída (v0)?
I. O método das malhas é apropriado para proteger superfícies laterais planas contra descargas atmosféricas laterais.
II. Se o declive do telhado exceder 1/10, condutores paralelos, em vez de em malha, podem ser usados, adotando a distância entre os condutores não maior que a largura de malha exigida.
III. O conjunto de condutores do subsistema de captação deve ser construído de tal modo que a corrente elétrica da descarga atmosférica sempre encontre pelo menos duas rotas condutoras distintas para o subsistema de aterramento.
IV. O método das malhas é apropriado para telhados horizontais e inclinados sem curvatura.
• De – diâmetro externo do eletroduto, em mm.
• ∆De – variação do diâmetro externo, em mm.
• Ep – espessura da parede do eletroduto, em mm.
Considerando:
• De = 62,5 mm
• ∆De = 0,7 mm
• Ep = 2,5 mm
Qual é a área útil compatível de um eletroduto de PVC rígido, tamanho 60, classe B?
Coluna 1
1. Transformador da unidade de geração.
2. Transformador de subestação.
3. Transformador de distribuição.
4. Transformador de potencial.
5. Transformador com mudança de derivação sob carga.
Coluna 2
( ) Responsável por abaixar a tensão do nível de transmissão para o nível de distribuição (de 2,3 a 34,5 kV).
( ) Projetado para trabalhar com correntes menores, tem como finalidade tomar uma amostra de alta tensão e produzir uma baixa tensão secundária que lhe é diretamente proporcional.
( ) Tem a capacidade de alterar suas derivações enquanto está energizado, é formado por circuitos internos de sensoriamento de tensão que automaticamente trocam de derivação para manter a tensão do sistema constante.
( ) Conectado à saída de uma unidade geradora e usado para elevar a tensão até o nível de transmissão (110+ kV).
( ) Responsável por abaixar a tensão de distribuição para o nível final ou de entrega (110, 127, 220 V, etc.).
A ordem correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é:

Quais são as medidas para as tensões Vb, Vc e Vac, respectivamente?
Ao ser aplicado um Impulso Unitário na entrada desse sistema, o sinal de saída oscilará na forma de uma senoide exponencialmente amortecida.
Dessa forma, pelo exposto acima, a constante conhecida como Razão de Amortecimento desse sistema vale
Um circuito elétrico é composto por uma fonte de tensão vF(t) que alimenta três componentes considerados ideais: um resistor de resistência R, um capacitor de capacitância C e um indutor de indutância L, todos associados em série. Fechando o circuito da fonte sobre esses três componentes ligados em série, uma corrente i(t) vai circular. A dinâmica desse sistema é regida por uma equação diferencial, obtida pela lei de Kirchoff, que relaciona a soma das tensões nesta malha: vF(t) = vR(t) + vC(t) + vL (t).
As relações entre as tensões e a corrente da malha são:

Com base nos dados, considerando-se todas as condições iniciais nulas, qual é a expressão da Função de Transferência,
no domínio de Laplace, que liga a corrente elétrica de saída com a tensão da fonte de alimentação, ou seja, a expressão
de 
Esse modelo relaciona a saída Y(s) do sistema, com a entrada de referência R(s) e apresenta, no domínio do tempo, o sinal de saída y(t) em função do sinal de entrada r(t).
Variando-se positivamente o ganho K, chega-se a um determinado valor que provoca uma oscilação pura no sinal de saída y(t), ou seja, o sistema, em MF, passa a ter dois polos imaginários puros.
Qual é o valor do ganho K para obtenção dessa oscilação senoidal com valor de pico constante?

Esse circuito possui duas entradas, representadas por A e B, e uma saída, representada por Y. Ele implementa uma determinada porta lógica. Considerando 0 V como nível lógico baixo e 5 V como nível lógico alto, a porta lógica implementada pelo circuito é uma
Considere o transistor NPN da figura a seguir:

Antes de ser colocado em um circuito, esse componente
pode ser verificado com um multímetro na configuração
para teste de diodos. No funcionamento normal do
transistor, há duas medições que resultarão em leituras de
tensão. Assinale a alternativa que apresenta o terminal do
multímetro (positivo e negativo) e o ponto (B, C e E) ao
qual ele estará conectado para essas duas medições:
