Questões de Concurso
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Q1000442
Pedagogia
Diferentes sentidos, ao longo da história, foram dados ao termo
sexualidade. Sexualidade é um conceito abrangente e está
relacionado a diversos fatores. Sobre o tema, é incorreto afirmar:
Q1000441
Pedagogia
Adolescência é uma fase da vida do ser humano onde acontece
a transição entre a infância e a idade adulta. Esta fase
caracteriza-se por alterações em diversos níveis. É um processo
de transformação e distanciamento entre formas de
comportamento e de aquisição de características e
competências que conduzem o ser humano a assumir os
deveres e papéis de adulto. Essas alterações acontecem nos
níveis
Q1000440
Pedagogia
A teoria de desenvolvimento psicossocial, construída pelo
psicanalista Erik Erikson, diz que o crescimento psicológico
acontece em estágios e fases e tem relação com a interação da
pessoa com o meio em que vive. Os estágios são constituídos
por crise psicossocial entre vertente positiva e vertente negativa.
Esta teoria compreende oito estágios, um dos quais se refere à
fase da adolescência. Assinale-o.
Q1000409
Eletroeletrônica
Para as curvas características de transistores, a respeito do Efeito Early podemos afirmar que
Q1000408
Eletroeletrônica
Considere a seguinte resposta gráfica das curvas características do transistor conectado conforme o circuito: 
Sabendo que a reta que se estende do ponto Y ao ponto X é a reta de carga do transistor no arranjo, os pontos Y e X são dados
respectivamente por:
Sabendo que a reta que se estende do ponto Y ao ponto X é a reta de carga do transistor no arranjo, os pontos Y e X são dados
respectivamente por:
Q1000407
Eletroeletrônica
Qual dos circuitos limitadores abaixo atende ao perfil de tensão descrito no gráfico a seguir? 
Q1000406
Eletroeletrônica
Considere a resposta em frequência do seguinte circuito baseado em amplificadores operacionais:
Q1000405
Eletroeletrônica
Considere o gráfico que ilustra a Densidade Energética de
baterias: 
Podemos associar (i), (ii) e (iii) às seguintes tecnologias de baterias:
Podemos associar (i), (ii) e (iii) às seguintes tecnologias de baterias:
Q1000404
Eletroeletrônica
Ainda a respeito da chave eletrônica da figura, após o Ensaio I
da figura anterior são realizadas as seguintes aferições: 
Podemos inferir agora que o transistor encontra-se
Podemos inferir agora que o transistor encontra-se
Q1000403
Eletroeletrônica
Considere a seguinte chave eletrônica: 
De posse de um multímetro analógico na escala de resistência
x10k, suponha a realização dos seguintes ensaios: 
A fim de atestar o funcionamento da chave, o resultado dos ensaios
I e II devem resultar, respectivamente
De posse de um multímetro analógico na escala de resistência
x10k, suponha a realização dos seguintes ensaios: A fim de atestar o funcionamento da chave, o resultado dos ensaios
I e II devem resultar, respectivamente
Q1000402
Eletroeletrônica
Considere o Diodo Zener com as seguintes características
fornecidas pelo fabricante:
• Máxima potência dissipada pelo encapsulamento PZ(max) = 500mW. • Corrente mínima de de Zener Iz = 0,5mA. • Tensão de Zener Vz =12V.
Supondo que o Diodo Zener esteja funcionando corretamente para a regulação de carga, calcule os valores aproximados de mínimo e máximo admissíveis para a carga resistiva RL.
Os valores obtidos foram, respectivamente
• Máxima potência dissipada pelo encapsulamento PZ(max) = 500mW. • Corrente mínima de de Zener Iz = 0,5mA. • Tensão de Zener Vz =12V.
Supondo que o Diodo Zener esteja funcionando corretamente para a regulação de carga, calcule os valores aproximados de mínimo e máximo admissíveis para a carga resistiva RL.
Os valores obtidos foram, respectivamente
Q1000401
Eletroeletrônica
Considere o seguinte arranjo de transistores:
De forma analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado po
De forma analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado po
Q1000400
Eletroeletrônica
Considere os itens a respeito do arranjo em série e paralelo de
chaves eletrônicas e atribua V para verdadeiro ou F se falso.
( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj's em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ's) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais. ( ) Em IGBT's o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente. ( ) Para conexão de TBJ's em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor. ( ) Já para o paralelismo de MOSFET's, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.
Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.
( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj's em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ's) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais. ( ) Em IGBT's o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente. ( ) Para conexão de TBJ's em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor. ( ) Já para o paralelismo de MOSFET's, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.
Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.
Q1000399
Eletroeletrônica
Considere a implementação utilizando dois amplificadores
operacionais onde R1 = 100 ; R2 = 900 ; R3 = 1000 e R4 = 10k.
Para a entrada senoidal Vin = 12V rms, o valor da tensão de
pico na carga VL é de
Q1000398
Eletroeletrônica
Considere a seguinte implementação usando ressonadores LCR
de um filtro de segunda ordem. O arranjo equivale a um filtro do
tipo
Q1000397
Eletroeletrônica
Considere o seguinte esquema associado ao estágio de saída
de um aplificador de potência:
Sobre o arranjo, é incorreto afirmar que
Sobre o arranjo, é incorreto afirmar que
Q1000396
Eletroeletrônica
A eficiência do retificador é de aproximadamente.
Q1000395
Eletroeletrônica
O Fator de crista da corrente de carga.
Q1000394
Eletroeletrônica
O Valor eficaz aproximado de tensão na carga
Q1000393
Eletroeletrônica
Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características
puramente resistiva com um valor de resistência igual a Rcarga =
100Ω e uma tensão de entrada alternada e senoidal de 220V na
frequência de 60Hz.
Calcule
O valor médio aproximado da tensão na carga
Calcule
O valor médio aproximado da tensão na carga
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