a instalação de capacitores em paralelo com a carga indutiva pode aumentar o fator de potência, diminuindo a corrente necessária.

a instalação de capacitores em série com a carga indutiva pode aumentar o fator de potência, diminuindo a corrente necessária.

a instalação de capacitores em série com a carga indutiva pode diminuir o fator de potência, diminuindo a corrente necessária.

a instalação de capacitores em paralelo com a carga indutiva pode diminuir o fator de potência, diminuindo a corrente necessária.

a instalação de capacitores em paralelo com a carga indutiva pode aumentar o fator de potência, aumentando a corrente necessária.

O aumento da temperatura provoca o aumento do CC, levando a um aumento da corrente de coletor aproximando o ponto quiescente da área de saturação.

O aumento da temperatura provoca a diminuição do CC, levando a um aumento da corrente de coletor aproximando o ponto quiescente da área de saturação.

A diminuição da temperatura provoca o aumento do CC, levando a uma diminuição da corrente de coletor aproximando o ponto quiescente da área de saturação.

A diminuição da temperatura provoca o aumento do CC, levando a uma diminuição da corrente de coletor afastando o ponto quiescente da área de saturação.

O aumento da temperatura provoca o aumento do CC, levando a um aumento da corrente de coletor afastando o ponto quiescente da área de saturação.

0 V

5,7 V

7,7 V

10,7 V

20,7 V

AND

OR

NOR

XOR

NAND

η = 20%

η = 25%

η =50%

η = 100%

η = 150%

88 V

110 V

440 V

550 V

1.100 V

No sistema trifásico, há três tensões disponíveis.

Para uma dada potência, em um sistema trifásico, requer condutores com maior seção transversal aumentando o custo dos condutores.

Motores trifásicos são, normalmente, mais robustos, baratos e menores, tornando sistemas trifásicos mais atraentes.

No sistema monofásico, há duas tensões disponíveis.

Sistemas trifásicos devem ser evitados pelo risco de curto-circuito.

Volts/div = 5mVeTime/Div = 2 ms.

Volts/div = 10mVeTime/Div = 1 ms.

Volts/div = 10mVeTime/Div = 0,5 ms.

Volts/div = 20mVeTime/Div = 0,5 ms.

Volts/div = 20mVeTime/Div = 2 ms.

de onda completa em ponte de diodos, a frequência da onda do secundário é o dobro da frequência da onda aplicada no primário.

de meia-onda, a frequência da onda do secundário é a metade da frequência da onda aplicada no primário.

de onda completa com derivação central, a frequência da onda do secundário é a metade da frequência da onda aplicada no primário.

de onda completa com derivação central, a tensão de pico de saída (ideal) é o dobro da tensão de pico do secundário.

de meia-onda, a tensão de pico de saída (ideal) é a mesma da tensão de pico do secundário.

a corrente em RL é igual a 1mA e a corrente em R é igual a 2 mA.

o diodo Zener NÃO está conduzindo.

o diodo Zener está conduzindo, mas não suportará a corrente.

a tensão em R é de 4 V.

a tensão em RL é de 8 V.

a base, fracamente dopada, passa os elétrons do coletor para o emissor.

o coletor, fortemente dopado, injeta elétrons livres na base.

a base, fortemente dopada, passa os elétrons do emissor para o coletor.

o emissor, fortemente dopado, injeta elétrons livres na base.

o emissor, fracamente dopado, injeta elétrons livres na base.

não pode ser realizada manutenção com equipamentos energizados por expor os trabalhadores ao risco de morte.

as instalações elétricas, consideradas desenergizadas, podem ser liberadas para a manutenção após o secionamento dos circuitos.

não se deve instalar aterramento temporário nos condutores dos circuitos durante a manutenção de circuitos desenergizados.

no método “ao potencial” de manutenção de circuitos energizados, o trabalhador deve utilizar vestimenta condutiva ligada à rede através de cabo condutor.

no método “ao contato” de manutenção de circuitos energizados, o trabalhador deve utilizar vestimenta condutiva ligada à rede através de cabo condutor.

um semicondutor do tipo “p” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.

um semicondutor pode possuir fluxos de elétron e de lacunas, assim como nos materiais condutores.

o semicondutor intrínseco é do tipo “p” e o extrínseco é do tipo “n”.

um semicondutor do tipo “n” pode ser produzido através da dopagem do silício com impureza trivalente.

em um semicondutor do tipo “n” as lacunas são os portadores majoritários.

Cargas resistivas de pequena corrente de partida devem ser protegidas com tipo de curva D.

Motores elétricos, com cargas médias de corrente de partida, devem ser protegidos com disjuntores de tipo de curva B.

Os disjuntores de tipo de curva C devem ser utilizados para proteger elementos com transformadores, que necessitam uma grande carga de partida.

Disjuntores de tipo de curva D devem responder para correntes entre dez e vinte vezes a corrente nominal.

Disjuntores devem ter sua corrente nominal maior do que a corrente de partida de sua carga.

Cópia remota e cópia virtual.

Cópia virtual e cópia lógica.

Cópia física e copia lógica.

Cópia única e cópia virtual.

Cópia física e cópia remota.

A atenuação da fibra é medida em dBi.

A atenuação da luz através do meio não depende do comprimento de onda.

Os tipos de fibra são modo único e modo híbrido.

A limitação da fibra advém dos conversores e não do meio.

Através de fibras híbridas são alcançadas as maiores taxas de transmissão.

Contém informações de usuários.

Usados para modelar dispositivos de entrada e saída (E/S).

Usados para modelar discos.

Contém informações da memória.

São classificados como arquivos regulares.

10³

10⁵

10⁶

10⁹

10¹²

programação dual.

ponteiro de pilha.

interpretador de comandos.

interrupção de janela.

multiprogramação.

Integridade de dados, controle de privilégios, confidencialidade dos dados.

Disponibilidade do sistema, confidencialidade dos dados, controle de privilégios.

Confidencialidade dos dados, disponibilidade do sistema, integridade dos dados.

Controle de acesso, controle de privilégios, integridade dos dados.

Integridade dos dados, controle de acesso, disponibilidade do sistema.