Questões de Concurso

Considere que, em um semicondutor intrínseco, com baixa concentração de portadores de carga, a distribuição de elétrons entre as bandas de valência e de condução pode ser aproximada pela distribuição de Maxwell-Boltzmann, que pode ser escrita na seguinte forma:




onde N(E) é número de partículas em uma determinada energia E; N é o número total de partículas no sistema; Z é uma função de partição; E₀ é um nível de energia de referência; k é a constante de Boltzmann (8,617 × 10^-5eV.K^-1); e T é a temperatura de equilíbrio.
Sabendo que o band-gap do silício puro é de 1,1 eV, qual é aproximadamente a razão entre o número de elétrons na base da sua banda de condução e no topo da sua banda de valência em uma temperatura de 27 ºC?

Uma partícula de massa m é solta do repouso de uma altura h acima da superfície da Terra, e cai em queda livre. Desprezando a resistência do ar, qual o desvio horizontal sofrido pela partícula, em relação à linha de prumo local, devido à força de Coriolis, quando ela bater no chão? 

De maneira equivocada, um estudante, propõe ao seu professor que uma relação entre uma distância X, uma velocidade V e uma aceleração A é dada por X = V ^n / A. De modo a corrigir o equívoco cometido pelo estudante, o professor, fazendo uso de um tratamento dimensional, conclui que o expoente n que torna a proposta do estudante correta é 

As figuras mostram quatro situações distintas em que um imã é deslocado próximo a uma bobina feita de material condutor.




As situações em que a corrente induzida na bobina possui o mesmo sentido são as 

Um carro de massa igual a 1t está se movendo com uma velocidade de 12m/s. Com o objetivo de fazer uma ultrapassagem, o motorista pisa forte o acelerador, fazendo com que o motor desenvolva uma potência constante igual a 32kW durante 4s.

Após esses 4s o carro adquiriu uma velocidade de