Os dispositivos CMOS, amplamente utilizados em circuitos digitais, são conhecidos por sua alta potência nominal, o que os torna ideais para acionamento direto de cargas de alta corrente sem a necessidade de interfaces adicionais.

O MOSFET de modo de depleção (MOSFET-D) atua como um dispositivo normalmente em corte, exigindo uma tensão portafonte (V_GS) maior que a tensão de limiar (V_GS(th)) para iniciar a condução.

Os dispositivos FETs de potência em paralelo não são afetados pelo problema da corrente de monopólio (current hogging). Se um dos FETs tentar monopolizar a corrente, sua temperatura interna aumentará e isso implica o aumento de seu valor da resistência dreno-fonte no estado ligado, R_DS(lig), que reduz a corrente no dreno, resultando em um efeito global que equilibra as correntes de dreno no paralelismo.

Na região ôhmica, o MOSFET de potência opera como uma fonte de corrente constante, mantendo a corrente de dreno (I_D) praticamente inalterada mesmo com variações significativas na tensão dreno-fonte (V_DS)