Quanto à fabricação de transistores de junção bipolar npn, p...

Vamos analisar a questão dada, que aborda a dopagem em transistores de junção bipolar npn. Este é um tema fundamental em eletrônica, essencial para quem está se preparando para concursos na área de engenharia elétrica.

**Tema central da questão:** A dopagem no transistor bipolar npn refere-se à adição controlada de impurezas aos materiais semicondutores para modificar suas propriedades elétricas. No transistor npn, temos três regiões principais: emissor, base e coletor, cada uma com um nível de dopagem específico.

**Resumo teórico:** Em um transistor npn:

• Emissor: Fortemente dopado para aumentar a eficiência de injeção de portadores de carga.
• Base: Fracamente dopada e extremamente fina para permitir que a maioria dos elétrons injetados pelo emissor atravesse a base e alcance o coletor.
• Coletor: Dopagem média, mais espesso que a base, para coletar portadores de carga.

**Justificativa da alternativa correta (B - forte, fraca e média):** Esta alternativa está correta porque corresponde precisamente à configuração típica de dopagem de um transistor npn. A eficiência do transistor depende dessa estrutura, que otimiza o fluxo de elétrons do emissor para o coletor, passando pela base.

**Análise das alternativas incorretas:**

• A - média, forte e fraca: Esta configuração não é viável, pois a base nunca deve ser mais fortemente dopada que o emissor.
• C - média, fraca e forte: Um coletor fortemente dopado não é prático, pois precisa ser capaz de suportar tensões mais altas.
• D - fraca, forte e média: Um emissor fracamente dopado não seria eficiente na injeção de portadores.
• E - forte, média e fraca: A base deve ser sempre a menos dopada para permitir a passagem de elétrons.

Compreender a dopagem de transistores é crucial para o design e análise de circuitos eletrônicos, garantindo eficiência e funcionalidade do dispositivo.

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