No processo de fabricação de semicondutores, uma pequena
partícula de silício (m = 10-6 kg ) é acelerada por um campo
elétrico horizontal que exerce uma força Fe = 5 . 10-5 N. Se a
partícula parte do repouso em um plano com coeficiente de atrito
cinético µc = 0,1 , qual a velocidade da partícula após percorrer 10 cm?
(Considere g = 9,8m/s2 ).

Question

No processo de fabricação de semicondutores, uma pequena
partícula de silício (m = 10-6 kg ) é acelerada por um campo
elétrico horizontal que exerce uma força Fe = 5 . 10-5 N. Se a
partícula parte do repouso em um plano com coeficiente de atrito
cinético µc = 0,1 , qual a velocidade da partícula após percorrer 10 cm?
(Considere g = 9,8m/s2  ). Alternativa A: v ≈ 0,00 m/s Ou Alternativa B: v ≈ 0,31 m/s Ou Alternativa C: v ≈ 1,00 m/s Ou Alternativa D: v ≈ 3,13 m/s Ou Alternativa E: v ≈ 9,90 m/s

Núcleo Executivo de Processos Seletivos da UFAL · Accepted Answer

Alternativa [D] v ≈ 3,13 m/s

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No processo de fabricação de semicondutores, uma pequena pa...

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