Preencha corretamente as lacunas do texto a seguir a respei...
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Ano: 2022
Banca:
FCM
Órgão:
IF-BA
Prova:
FCM - 2022 - IF-BA - Técnico de Laboratório/Eletrotécnica |
Q4128304
Eletrônica
Preencha corretamente as lacunas do texto a seguir
a respeito dos transistores de efeito de campo metal
-óxido-semicondutor (MOSFET) e suas características
construtivas.
Em um MOSFET tipo ________ de canal ________ que apresenta todos os seus terminais em aberto, a base de silício na qual o dispositivo é construído (chamada substrato) é formada por um semicondutor com dopagem tipo ________ e o canal existente que interliga o terminal de Dreno ao terminal Fonte é formado por um semicondutor com dopagem tipo ________.
A sequência que preenche corretamente as lacunas do texto é
Em um MOSFET tipo ________ de canal ________ que apresenta todos os seus terminais em aberto, a base de silício na qual o dispositivo é construído (chamada substrato) é formada por um semicondutor com dopagem tipo ________ e o canal existente que interliga o terminal de Dreno ao terminal Fonte é formado por um semicondutor com dopagem tipo ________.
A sequência que preenche corretamente as lacunas do texto é