Certo dispositivo eletrônico fabricado com estanho (Sn) puro possui espessura igual a 10 mm. A resistividade do estanho a 20 °C é igual a 10⁻⁶ Ω∙m, a mobilidade dos elétrons desse dispositivo é igual a 0,0005 m² /(V∙s) e o coeficiente de temperatura da resistividade do silício é igual a 0,001 °C⁻¹.
Com base nas informações precedentes, julgue o próximo item.


A condutividade elétrica do dispositivo eletrônico em questão é maior que a condutividade elétrica de um dispositivo com as mesmas características estruturais, fabricado com silício (Si).