A equação característica do diodo semicondutor PN é descrita pelo modelo exponencial de Shockley:
                                                                                       
Sabe-se que 1_S é a corrente de saturação reversa, V_{T  =  é a tensão térmica e n é o fator de idealidade. Considere um diodo de silício operando a 300 K, com} 1_{S = 10}^{- 12} _{A, n = 1, conduzindo uma corrente direta de 5 mA. Desprezando o termo “−1” da equação, a tensão direta aproximada no diodo será}