quando inversamente polarizadas, a área de transição de uma junção comporta-se de maneira diferente a um capacitor.

a baixas temperaturas, a corrente de fuga em uma junção p-n reversamente polarizada dobra aproximadamente com a redução de 8°C.

a energia radiante dentro da banda espectral do silício incidindo e penetrando no cristal, produz considerável quantidade de pares elétrons-lacunas, diminuindo a corrente de fuga reversa, possibilitando a condução do tiristor.

quando polarizado diretamente, no estado desligado, a tensão de polarização é aplicada sobre a junção J2.

a redução da tensão Vak leva a uma expansão da região tanto para o interior da camada do gate quanto para a camada N adjacente.