Considere um MOSFET NMOS de canal longo, com fonte e substrato conectados (V_SB = 0), operando em regime DC com V_GS = 0,8 V, V_TH = 0,6 V e V_DS = 0,5 V. Mede-se I_D = 1,0 mA. Admita o modelo em saturação com modulação de comprimento de canal, em que:
g_m ≈ 2I_D /V_OV, com V_OV = V_GS − V_TH, e r_o ≈ 1/(λI_D).
Considere λ = 0,10 V-¹ e um resistor R_D = 10 kΩ ligado ao dreno (configuração fonte comum), desprezando capacitâncias. A região de operação e os valores aproximados de g_m , r_o e do ganho de pequeno-sinal A_v = v_out/v_in são: