Questões IF-PR 2023 para Engenharia Eletrônica

Ano: 2023 Banca: UFPR Órgão: IF-PR Prova: UFPR - 2023 - IF-PR - Engenharia Eletrônica |

Q2182997 Engenharia Eletrônica

Desejamos projetar um filtro FIR que respeite a seguinte máscara de filtragem:

Imagem associada para resolução da questão

A janela do tipo de Barlett respeita as condições na banda de passagem e na banda de rejeição definidas pela máscara de filtragem, e a ordem mínima para o filtro que respeita a máscara especificada é 400.

Considerando somente as restrições de rejeição fora da banda, as máscaras de Hann, Hamming e Blackman podem ser aplicadas para a máscara especificada.

As janelas que respeitam a máscara de filtragem são a Hamming com ordem 400 e Blackman com ordem 600, sendo o nível de restrição do erro (ripple) dentro da banda o mesmo para a rejeição fora da banda.

Considerando somente as restrições de erro (ripple) dentro da banda, da tabela apresentada, somente as máscaras de Hamming e Blackman podem ser aplicadas para a máscara especificada.

As janelas que respeitam a máscara de filtragem são a Hann com ordem 400 e Hamming com ordem 400, sendo o nível de restrição do erro (ripple) dentro da banda o mesmo para a rejeição fora da banda.

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Q2182998

Ano: 2023 Banca: UFPR Órgão: IF-PR Prova: UFPR - 2023 - IF-PR - Engenharia Eletrônica |

Q2182998 Engenharia Eletrônica

Sobre a física dos semicondutores e sobre a figura a seguir, é correto afirmar:

Imagem associada para resolução da questão

A figura ilustra um material dopado do tipo N; onde ao se atingir a energia necessária de condução, os elétrons transitam da banda de condução para a banda de valência.

A figura ilustra um material dopado do tipo N, pois temos alguns átomos de Antimônio, que têm 5 elétrons na última camada, o que gera uma sobra de elétrons, resultando num material dopado do tipo N.

A figura representa um semicondutor intrínseco, onde o número de elétrons é diferente do número de lacunas, e por isso não tem corrente para fora do material.

A figura mostra uma dopagem com materiais com três elétrons na última camada, combinados com o Si, gerando lacunas, formando um material do tipo N.

A figura ilustra um material semicondutor extrínseco, onde há dopantes (impurezas) adicionados de forma controlada em um semicondutor intrínseco para igualar o número de elétrons ao número de lacunas do material.

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Questões de Concurso Público IF-PR 2023 para Engenharia Eletrônica

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