Questões de Concurso Público PEFOCE 2021 para Engenharia Eletrônica
Foram encontradas 74 questões
Q1828151
Engenharia Elétrica
Com relação à regulação de velocidade e sistema de excitação
de geradores hidráulicos, são características do gerador
elétrico utilizado:
I. transforma energia mecânica em elétrica; II. usa um sistema trifásico formado pela associação de três sistemas monofásicos de tensões V1, V2 e V3, com uma defasagem entre elas de um ângulo β, de acordo com a figura;
III. o enrolamento é constituído por três conjuntos de bobinas dispostas simetricamente.
Nessas condições, a defasagem β é igual a
I. transforma energia mecânica em elétrica; II. usa um sistema trifásico formado pela associação de três sistemas monofásicos de tensões V1, V2 e V3, com uma defasagem entre elas de um ângulo β, de acordo com a figura;
III. o enrolamento é constituído por três conjuntos de bobinas dispostas simetricamente.
Nessas condições, a defasagem β é igual a
Q1828152
Engenharia Eletrônica
Materiais condutores são aqueles que oferecem muito baixa
resistência à passagem da corrente elétrica. Três exemplos de
materiais condutores são
Q1828153
Engenharia Eletrônica
No que se refere aos materiais semicondutores, analise as
afirmativas a seguir:
I. Os semicondutores são elementos tetravalentes, possuindo quatro elétrons na camada de valência, sendo os mais comuns e mais utilizados o silício (Si) e o germânio (Ge). II. No semicondutor do tipo N, o número de elétrons livres é maior que o número de lacunas. Neste semicondutor, os elétrons livres são portadores majoritários e as lacunas são portadores minoritários. III. No semicondutor do tipo P, o número de lacunas é maior que o número de elétrons livres. Neste semicondutor, as lacunas são portadores majoritários e os elétrons livres são portadores minoritários.
Assinale
I. Os semicondutores são elementos tetravalentes, possuindo quatro elétrons na camada de valência, sendo os mais comuns e mais utilizados o silício (Si) e o germânio (Ge). II. No semicondutor do tipo N, o número de elétrons livres é maior que o número de lacunas. Neste semicondutor, os elétrons livres são portadores majoritários e as lacunas são portadores minoritários. III. No semicondutor do tipo P, o número de lacunas é maior que o número de elétrons livres. Neste semicondutor, as lacunas são portadores majoritários e os elétrons livres são portadores minoritários.
Assinale
Q1828154
Engenharia Eletrônica
Observe o circuito capacitivo abaixo com o correspondente diagrama fasorial:
No caso de a frequência do gerador aumentar, mantendo a
tensão constante, os valores das grandezas XC – I – VC – VR
vão, respectivamente, variar do seguinte modo:
Q1828155
Engenharia Eletrônica
No contexto dos materiais isolantes, no que se refere à rigidez
dielétrica, assinale V para a afirmativa verdadeira e F para a
falsa.
( ) Rigidez dielétrica é o limite superior da intensidade de campo elétrico que determinado dielétrico é capaz de suportar sem tornar-se condutor. ( ) A rigidez dielétrica mede o campo elétrico máximo que um meio isolante suporta antes de tornar-se condutor. Quando isso acontece, diz-se que houve ruptura da rigidez dielétrica do material. A rigidez dielétrica costuma ser medida em V/m ou em kV/mm. ( ) A rigidez dielétrica é definida com base na razão da permissividade elétrica de um meio pela permissividade elétrica do vácuo. Essa propriedade é aplicada em capacitores, uma vez que se procura inserir, entre suas placas, meios com grandes constantes dielétricas, aumentando-se, assim, a sua capacitância.
As afirmativas são, respectivamente,
( ) Rigidez dielétrica é o limite superior da intensidade de campo elétrico que determinado dielétrico é capaz de suportar sem tornar-se condutor. ( ) A rigidez dielétrica mede o campo elétrico máximo que um meio isolante suporta antes de tornar-se condutor. Quando isso acontece, diz-se que houve ruptura da rigidez dielétrica do material. A rigidez dielétrica costuma ser medida em V/m ou em kV/mm. ( ) A rigidez dielétrica é definida com base na razão da permissividade elétrica de um meio pela permissividade elétrica do vácuo. Essa propriedade é aplicada em capacitores, uma vez que se procura inserir, entre suas placas, meios com grandes constantes dielétricas, aumentando-se, assim, a sua capacitância.
As afirmativas são, respectivamente,