Questões de Concurso Público IF-SC 2026 para Professor EBTT - Eletrônica Geral
Foram encontradas 6 questões
Considere: R1=R2=15kΩ, R3=33kΩ, Rf=66kΩ, C1=C2=2,2ηF
Esse é um filtro passa-________, de _______ ordem, com frequência de corte de ________ e ganho G =______.
Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto acima.
Considere: R1=10kΩ, R2=500Ω, R3=10kΩ, R4=2,5kΩ, Rf1=1kΩ, Rf2=5kΩ, C1=0,02µF e C2=0,002µF
A partir dos dados acima, quais são, respectivamente, a frequência de corte superior (fCSUP), a frequência de corte inferior (fCINF) e o ganho de tensão (G)?
Assinale a alternativa que apresenta a equação mais simplificada obtida com as regras de agrupamento, a partir dos dados acima.
I - A memória SRAM apresenta menor densidade (armazena menos bits por área de silício) quando comparada à DRAM, pois utiliza múltiplos transistores para formar um circuito biestável, enquanto a DRAM exige apenas um transistor e um capacitor por bit.
II - As memórias cache (como L1 e L2), localizadas internamente na imensa maioria dos microprocessadores modernos, são construídas utilizando tecnologia DRAM para garantir um altíssimo volume de armazenamento próximo à CPU (Central Processing Unit).
III - A memória DRAM precisa passar por um processo contínuo de controle chamado refresh (atualização), no qual os dados são periodicamente lidos e reescritos para evitar a perda da informação devido ao processo natural de descarga dos capacitores.
Quais estão corretas?