Questões de Concurso Público CTI 2024 para Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor da tensão de limiar do dispositivo.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção no substrato, consequentemente, nessa região haverá um fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons negativos da fonte para o dreno do dispositivo.

Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.

Em tecnologia CMOS, dispositivos NMOS são fabricados em um substrato tipo n, ao passo que dispositivos PMOS são fabricados envolvidos em um poço tipo p.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

A litografia por feixe de elétrons apresenta melhor resolução do que os processos clássicos de fotolitografia, por não ter limitações de difração óptica.

Julgue o item subsequente, referente às técnicas de micro e nanofabricação.

Na litografia ultravioleta extrema (EUVL), são emitidos, no substrato, feixes intensos de luz ultravioleta com comprimentos de ondas maiores e sem o emprego de máscaras, enquanto na litografia por feixe de elétrons (EBL), há o escaneamento de feixes de elétrons em máscaras reflexivas.