Questões de Concurso Público Telebras 2015 para Engenheiro - Engenharia da Computação
Foram encontradas 108 questões
Ano: 2015
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Telebras
Prova:
CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação |
Q647582
Engenharia Eletrônica
Acerca de diodos semicondutores, transistores bipolares e transistores de efeito de campo, julgue o próximo item.
Uma vez que a tensão nos terminais dos diodos depende da temperatura, eles podem ser utilizados para construir um termômetro digital.
Uma vez que a tensão nos terminais dos diodos depende da temperatura, eles podem ser utilizados para construir um termômetro digital.
Ano: 2015
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Telebras
Prova:
CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação |
Q647583
Engenharia Eletrônica
Acerca de diodos semicondutores, transistores bipolares e transistores de efeito de campo, julgue o próximo item.
O diodo Zener pode ser utilizado em reguladores de tensão, visto que a sua tensão é aproximadamente constante, independentemente da corrente solicitada pela carga do circuito.
O diodo Zener pode ser utilizado em reguladores de tensão, visto que a sua tensão é aproximadamente constante, independentemente da corrente solicitada pela carga do circuito.
Ano: 2015
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Telebras
Prova:
CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação |
Q647584
Engenharia Eletrônica
No circuito a seguir, se os valores lógicos das entradas VA e VB forem iguais a 1, então o valor lógico da saída VOUT será também igual a 1.
Ano: 2015
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Telebras
Prova:
CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação |
Q647585
Engenharia Eletrônica
O ganho de corrente na configuração emissor comum de um transistor bipolar polarizado na região direta indica que uma pequena variação da corrente no emissor provocará grande variação na corrente do coletor.
Ano: 2015
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
Telebras
Prova:
CESPE - 2015 - Telebras - Engenheiro - Engenharia da Computação |
Q647586
Engenharia Eletrônica
Ao entrar na região de saturação, a corrente de dreno de um transistor MOS (metal oxide semiconductor) aumenta levemente com o incremento da tensão dreno-fonte.