Questões de Física - Resistores e Potência Elétrica para Concurso
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S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 306.
Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) para as afirmativas a seguir:
( ) No caso (a) pode existir assimetria da curva do módulo da corrente versus a tensão, mesmo que pequena.
( ) Essas estratégias só funcionam para semicondutores tipo n.
( ) No caso (b) o mecanismo principal de injeção de carga será tunelamento.
A sequência correta é:
Considere a figura 15 com as situações de polarização de junções Schottky.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 249.
Assinale V para (verdadeiro) ou F para (falso) diante das afirmativas a seguir:
( ) Nos casos (a), a barreira não depende da tensão de polarização.
( ) Para polarização reversa severa, ocorrerá tunelamento.
( ) Para polarização reversa, a barreira é definida pela junção.
Assinale a alternativa com a sequência correta.
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 247.
Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) diante de cada afirmativa a seguir:
( ) Na inexistência de defeitos na superfície do semicondutor, a barreira dependerá da função trabalho do metal.
( ) A barreira Schottky surgirá sempre, porque o metal sempre causa defeitos no semicondutor.
( ) Superfícies semicondutoras ricas em defeitos tornam a barreira independente do metal.
Assinale a sequência correta.
O circuito ilustrado na figura precedente é percorrido por uma corrente elétrica contínua i, e uma fonte elétrica fornece uma diferença de potencial de 220 V aos terminais de uma combinação em paralelo de duas lâmpadas, A e B, com resistências de RΩ e 2R Ω, respectivamente. Em relação a esse circuito, julgue o item que se segue.
A potência dissipada na lâmpada B é de .