Questões de Física - Eletrodinâmica - Corrente Elétrica para Concurso

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Q2319960 Física

Em um sistema de medição de vazão mássica, uma placa de orifício é utilizada para criar uma pressão diferencial.

Neste contexto, a vazão mássica é 

Alternativas
Ano: 2023 Banca: UFMG Órgão: UFMG Prova: UFMG - 2023 - UFMG - Físico |
Q2297516 Física
Considere a figura 17, em que se apresentam duas situações que favorecem a obtenção de contatos ôhmicos em dispositivos eletrônicos.
Imagem associada para resolução da questão

S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 306.

Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) para as afirmativas a seguir:
( ) No caso (a) pode existir assimetria da curva do módulo da corrente versus a tensão, mesmo que pequena.
( ) Essas estratégias só funcionam para semicondutores tipo n.
( ) No caso (b) o mecanismo principal de injeção de carga será tunelamento.

A sequência correta é:
Alternativas
Ano: 2023 Banca: UFMG Órgão: UFMG Prova: UFMG - 2023 - UFMG - Físico |
Q2297514 Física

Considere a figura 15 com as situações de polarização de junções Schottky. 



Imagem associada para resolução da questão



S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 249.



Assinale V para (verdadeiro) ou F para (falso) diante das afirmativas a seguir:


( ) Nos casos (a), a barreira não depende da tensão de polarização.


( ) Para polarização reversa severa, ocorrerá tunelamento.


( ) Para polarização reversa, a barreira é definida pela junção.


Assinale a alternativa com a sequência correta.

Alternativas
Ano: 2023 Banca: UFMG Órgão: UFMG Prova: UFMG - 2023 - UFMG - Físico |
Q2297513 Física
Considere a figura 14 com os mecanismos de formação da barreira Schottky em uma junção metalsemicondutor:

Imagem associada para resolução da questão

S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed, Wiley, 1981, p. 247.

Assinale V para (verdadeira) ou F para (falsa) diante de cada afirmativa a seguir:

( ) Na inexistência de defeitos na superfície do semicondutor, a barreira dependerá da função trabalho do metal.
( ) A barreira Schottky surgirá sempre, porque o metal sempre causa defeitos no semicondutor.
( ) Superfícies semicondutoras ricas em defeitos tornam a barreira independente do metal.

Assinale a sequência correta.
Alternativas
Ano: 2023 Banca: NC-UFPR Órgão: CBM-PR Prova: NC-UFPR - 2023 - CBM-PR - Cadete |
Q2284064 Física
O texto a seguir é referência para a questão.

Em todas as questões, as medições são feitas por um referencial inercial. O módulo da aceleração gravitacional é representado por g. Onde for necessário, use g = 10 m/s2 para o módulo da aceleração gravitacional.
Uma partícula contendo uma carga Q = 1,6 x 10-19 C entra numa região onde há um campo magnético de intensidade B = 1,0 T com uma velocidade de módulo v. Sobre ela, passa a agir uma força magnética de intensidade F = 3,2 x 10-16 N. O ângulo entre os vetores velocidade e campo magnético vale θ, e sabe-se que cos θ = √3/2  e sen θ = 1/2. Considerando as informações apresentadas, assinale a alternativa que apresenta corretamente o valor do módulo v da velocidade da partícula.
Alternativas
Respostas
6: A
7: A
8: A
9: D
10: B