Questões de Engenharia Eletrônica - Transistor de potência para Concurso

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Q797589
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Tiristor , Transistor de potência ,
Ano: 2017 Banca: NC-UFPR Órgão: COPEL Prova: NC-UFPR - 2017 - COPEL - Engenheiro Eletricista Júnior |
Q797589 Engenharia Eletrônica
Numere a coluna da direita, relacionando os dispositivos semicondutores de potência com as respectivas características indicadas na coluna da esquerda. 1. Dispositivo de três terminais que apresenta entrada em condução controlada por gatilho e bloqueio não controlado. 2. Tiristor bidirecional. 3. Transistor de potência que conjuga vantagens dos transistores de junção e de efeito de campo. 4. Tiristor com bloqueio controlado por gatilho. ( ) TRIAC. ( ) SCR. ( ) GTO. ( ) IGBT. Assinale a alternativa que apresenta a numeração correta na coluna da direita, de cima para baixo.
Alternativas
Q609987
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica , Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Tiristor , Transistor de potência
Ano: 2015 Banca: FCC Órgão: Prefeitura de São Luís - MA Prova: FCC - 2015 - Prefeitura de São Luís - MA - Auditor de Controle Interno - Engenharia Elétrica |
Q609987 Engenharia Eletrônica
A figura abaixo mostra o bloco funcional de um inversor de 6 pulsos.

 Imagem associada para resolução da questão

A base de funcionamento deste inversor fundamenta-se no chaveamento do 


Alternativas
Q538784
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor , Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência
Ano: 2010 Banca: ZAMBINI Órgão: PRODESP Prova: ZAMBINI - 2010 - PRODESP - Engenheiro |
Q538784 Engenharia Eletrônica
O IGBT é um
Alternativas
Q364649
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364649 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.
Alternativas
Q364648
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor , Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Alternativas
Respostas
11: A
12: A
13: D
14: C
15: E
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