Questões de Concurso Sobre transistor de potência em engenharia eletrônica

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Q1202210
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF
Q1202210 Engenharia Eletrônica
Um estudante deverá medir a tensão, a corrente e a potência em um circuito composto por uma carga puramente resistiva que é conectada a uma fonte de tensão independente. A respeito dos instrumentos apropriados para realizar essas medições, julgue o item subsequente.
O estudante, ao utilizar, o voltímetro e o wattímetro deverá ter o cuidado de não ligá-los em paralelo com a fonte de tensão, sob pena de danificá-los.
Alternativas
Q364649
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364649 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

O carbeto de silício (SiC) é, a princípio, um material promissor para construir BJTs de potência, considerando-se sua alta condutividade térmica e velocidade de saturação.
Alternativas
Q364648
Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor , Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: INPE Prova: CESPE / CEBRASPE - 2008 - INPE - Tecnologista Júnior - TS11 |
Q364648 Engenharia Eletrônica
Os sistemas de chaveamento de potência têm utilizado, cada vez com mais frequência, dispositivos eletrônicos. Construídos utilizando técnicas semelhantes às empregadas na fabricação de circuitos eletrônicos integrados, esses dispositivos discretos chaveiam correntes na faixa de amperes, enquanto seus equivalentes da microeletrônica trabalham atualmente na faixa de micro e nanoamperes. A respeito das características de transistores de efeitos de campo metal-óxido- semicondutor (MOSFET) de potência, e de transistores bipolares, julgue os itens a seguir.

Em um BJT de potência, a necessidade de elevadas tensões de bloqueio leva ao emprego de concentrações consideravelmente altas de dopantes no coletor, quando comparada aos BJTs da eletrônica de baixa potência.
Alternativas
Q2252007
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2252007 Engenharia Eletrônica
Relacione os parâmetros híbridos do transistor emissor comum com os seus respectivos significados. 
I. hoe          a.    ganho direto de corrente II. hie          b.    admitância de saída III. hre         c.    impedância de entrada IV. hfe         d.    ganho reverso de tensão
Alternativas
Q2252005
Engenharia Eletrônica Eletrônica de Potência na Engenharia Eletrônica , Transistor de potência ,
Ano: 2007 Banca: FCC Órgão: TRF - 2ª REGIÃO Prova: FCC - 2007 - TRF - 2ª REGIÃO - Analista Judiciário - Engenharia Eletrônica |
Q2252005 Engenharia Eletrônica


A função de R1 e R2 é
Alternativas
Respostas
6: E
7: C
8: E
9: D
10: B
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