Questões de Engenharia Eletrônica - Transistor de potência para Concurso

Foram encontradas 20 questões

Q1976049 Engenharia Eletrônica
Circuitos eletrônicos analógicos são formados por dispositivos que apresentam comportamentos específicos, mas que, como um todo, estão conectados de modo a operar conforme especificações de projeto. Acerca de componentes eletrônicos, julgue o item.

No transistor de efeito de campo, a corrente de dreno depende exponencialmente da tensão entre porta e fonte. 
Alternativas
Q1828182 Engenharia Eletrônica
O circuito abaixo ilustra o esquema de funcionamento de um rádio FM portátil que funciona, em condições normais de operação, com as especificações 3V / 450 mW. Verifica-se que um divisor de tensão é formado por  Imagem associada para resolução da questão

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De acordo com a figura, para que o rádio opere com a fonte de 12V, é possível realizar cálculos, e se chega a um valor para a resistência do resistor R2. Um valor válido para esse resistor, imediatamente acima do valor calculado, é  
Alternativas
Ano: 2008 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: SEPLAG-DF
Q1202210 Engenharia Eletrônica
Um estudante deverá medir a tensão, a corrente e a potência em um circuito composto por uma carga puramente resistiva que é conectada a uma fonte de tensão independente. A respeito dos instrumentos apropriados para realizar essas medições, julgue o item subsequente.
O estudante, ao utilizar, o voltímetro e o wattímetro deverá ter o cuidado de não ligá-los em paralelo com a fonte de tensão, sob pena de danificá-los.
Alternativas
Q900771 Engenharia Eletrônica
Para o circuito da figura, todos os componentes são de potência nominal ideal. O transistor Q1 tem β = 200. O valor conhecido de VBE = 0,8V.
Analisando o circuito, é correto afirmar que a queda de tensão em:
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Alternativas
Q830806 Engenharia Eletrônica
O invólucro do transistor de potência mostrado na Figura 6 abaixo possui diâmetro D=10 mm e comprimento L=8 mm. Uma corrente de ar que resfria o transistor está a 20°C e sob condições em que mantém um coeficiente de convecção médio de h=90 W/m².K na superfície do invólucro. Sabendo que a temperatura superficial do transistor não deve exceder 80°C, assinale a alternativa que indica a máxima potência admissível para as condições descritas.
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Alternativas
Respostas
6: E
7: D
8: E
9: D
10: C