Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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Tendo como base o circuito apresentado na figura precedente e os conceitos envolvidos com os transistores de efeito de campo (FET), julgue o item subsecutivo.
O circuito apresentado utiliza a tecnologia CMOS.
Com base na Figura 10 e no conhecimento de portas lógicas em eletrônica digital, assinale a alternativa correta.
Dado o circuito da Figura 9, assinale a alternativa que apresenta os valores de I b, Ic e vO, considerando VBE=0,7 V e β = 50.
Assinale a alternativa que apresenta o valor do ganho de tensão VO/VS, considerando VBE = 0,7 V e Ib = 0,07 mA, para o circuito da Figura 8.
Nesse sentido, o circuito equivalente ao apresentado acima que produz a mesma corrente de polarização no transistor Q1 será:
No circuito acima, os valores referentes à tensão de saída
Vout para VA = +5V e VA = 0V, serão, respectivamente:
Na Figura a seguir é apresentado o circuito de um regulador de tensão que emprega um diodo zener Z1 com tensão de ruptura igual a 6,0 V.
Considerando-se a curva característica de corrente x tensão do diodo zener Z1
apresentada no gráfico acima, conclui-se
que a relação entre a corrente reversa iZ no diodo zener e a tensão não regulada VA é expressa graficamente por:
No circuito da Figura 4 abaixo, a tensão zener é de 9 V, a mínima corrente reversa zener é de 1 mA, a tensão limiar de condução dos diodos da ponte retificadora é de 0,7 V e a capacitância é de 100 µF. Para que a fonte tenha a capacidade de fornecer uma corrente de carga máxima de 65 mA, considerando uma tolerância teórica de 0% para o resistor R1, o valor máximo projetado para a resistência desse resistor deve ser:
O valor da tensão média, em V, sobre a carga para um ângulo de disparo do SCR de 90º é, aproximadamente, igual a
Atente à figura a seguir.
Adote VBE=0,7 V e IE=IC.
Admitindo-se que a resistência do LDR seja igual a
zero, o valor correto da tensão entre coletor e emissor
do transistor Q2, VCE é
A respeito do elemento sensor e do elemento de condicionamento de sinal, normalmente necessários em um sistema de controle digital, julgue o item subsequente.
Um amplificador de instrumentação (ou amplificador
instrumental) possui alta relação de rejeição de modo comum.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
O fator de carga de uma porta lógica representa a quantidade máxima de saídas que é possível ligar a uma entrada.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Quando não se deseja utilizar uma entrada de uma porta lógica TTL, pode-se conectar essa entrada a uma tensão de +5 V por meio de um resistor de 1 kΩ.
Considerando-se as características da família TTL (transistor-transistor logic), julgue o item a seguir.
Na família TTL, o nível lógico 0 deve estar, no máximo, em torno de 1,5 V.
Uma das vantagens da família TTL é a possibilidade de interligação entre as diversas subfamílias, pois elas compartilham as mesmas correntes de entrada e saída.
No que se refere à teoria dos materiais semicondutores e aos componentes fabricados com o uso desses materiais, julgue o item subsequente.
Um dos processos para se produzir um semicondutor de silício
do tipo N consiste em dopar um material semicondutor
intrínseco de silício com impurezas, de forma que determinada
quantidade de átomos de silício na estrutura cristalina sejam
substituídos por átomos de elementos químicos adequados
para o processo, com cinco elétrons na banda de valência. Esse
processo de modificação do semicondutor intrínseco permite
gerar um material em que os portadores majoritários são os
elétrons.
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