Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica na engenharia eletrônica em engenharia eletrônica
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A respeito do SCR, dispositivo de potência de estado sólido muito utilizado na eletrônica industrial, analise as afirmativas a seguir.
I. O SCR possui sua construção realizada em 4 camadas tipo p e n, resultando em PNPN.
II. Para que o SCR entre em condução, além de estar diretamente polarizado, um pulso de tensão positiva deve ser aplicado no gatilho.
III. O gatilho deve permanecer com corrente para manter o SCR conduzindo.
Está correto o que se apresenta em
A figura a seguir apresenta um circuito transistorizado alimentado por uma bateria – VCC de 12 V. As correntes no emissor e na base são iguais, respectivamente, a 4,0 mA e a 0,8 mA e as diferenças de potencial nos resistores Re e Rc são iguais a, respectivamente, 10% e 40 % de VCC.

Os valores dos resistores Re e Rc, em ohms, são, respectivamente, iguais a
A respeito das características dos transistores MOSFET, analise as afirmativas a seguir.
I. São dispositivos controlados por tensão.
II. Podem ser do tipo depleção e intensificação, tanto com canal tipo n quanto com tipo p.
III. Obedecem a equação de Shockley, sendo do tipo intensificação.
Está correto o que se apresenta em
Analise a figura a seguir.

A respeito da figura, analise as afirmativas a seguir.
I. O Circuito (1) é um circuito passa baixa e o Circuito (2) um passa alta.
II. O amplificador operacional do Circuito (1) está na configuração de amplificador não-inversor, amplificando o sinal V1 em 1+RB/RA.
III. O capacitor C2 é um circuito aberto para baixas frequências e um curto-circuito para altas frequências.
Está correto o que se apresenta em
Analisando o circuito de amplificadores transistorizados apresentados na figura abaixo, assinale a alternativa incorreta.

Assinale a alternativa que corretamente descreve o circuito apresentado na ilustração abaixo:

A descoberta de materiais semicondutores permitiu a construção de diversos dispositivos eletrônicos, entre os quais podem ser destacados os diodos e transistores.
Sobre esses materiais e dispositivos, assinale a alternativa correta.
Os Amplificadores Operacionais são alguns dos componentes mais básicos em sistemas analógicos. Sobre as características de um Amplificador Operacional Ideal:
Analise o circuito a seguir.

Após análise, é correto afirmar:
Qual o ganho de tensão CQ(V0/Vi ) do circuito da figura abaixo? Considere VCC = 11,5 V; RB = 270kΩ; RE = 2,7kΩ; β=99 e,
para a temperatura ambiente,

Determine, para o circuito abaixo, o valor da corrente Iz. Considerar que os diodos sejam de silício e a tensão de ruptura no diodo zener seja de 15 V.

A figura abaixo mostra um conversor cc - cc alimentando uma carga RL, estando S1 em operação complementar com S2 e S3 em operação complementar com S4. Considere que as quatro chaves controladas (S1, S2 S3 e S4) operam em alta frequência e que VAB>0 e IAB>0 (corrente na carga fluindo de A para B). Um comando é enviado ao conversor, e todas as chaves controladas são bloqueadas (S1, S2, S3 e S4 comportam-se como circuito aberto). Para a condição de todas as chaves controladas estarem bloqueadas e havendo energia armazenada na indutância, marque a alternativa correta.

Considere o circuito e curva corrente de base versus
tensão base-coletor apresentados na sequência para
responder à questão .

Considerando o ganho do transistor BDC = 200, a corrente no coletor (Ic) é igual a:
Transistores são dispositivos semicondutores de três camadas e três terminais que foram responsáveis por impulsionar a indústria eletrônica após seu surgimento.
Em relação a esses dispositivos, assinale a alternativa correta.
Diodos são dispositivos semicondutores de dois terminais amplamente utilizados em sistemas eletrônicos.
Em relação a esses dispositivos, assinale a alternativa incorreta.
Considerando que o segundo estágio do amplificador abaixo tenha ganho unitário e que o ganho seja
aplicado todo no primeiro estágio, projete o circuito amplificador de instrumentação para se obter um
ganho que possa variar dentro da faixa de 2 a 1000, utilizando uma resistência variável de 100K ohms.
Considere ainda que a resistência 2R1 possa ser implementada como uma combinação série de um
resistor fixo R1f e de um resistor variável R1V, que pode ser obtido por um potenciômetro de 100K ohms.
Assinale a opção que representa os valores de R1f e R2, respectivamente.

Dessa forma, qual deve ser o tempo de disparo tG, expresso em milissegundos, que deve ser utilizado no sinal de controle VG(t), para que se obtenha uma dissipação de potência média de 20 W na carga RL?
Transistor 2N2222 Vbe = 0,7 V Hfe = 50 Icmáx = 500 mA
Relé VCC = 12V I = 50 mA
