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Q2381483

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,

Ano: 2024 Banca: CESPE / CEBRASPE Órgão: ITAIPU BINACIONAL Prova: CESPE / CEBRASPE - 2024 - ITAIPU BINACIONAL - Profissional de Nível Universitário Júnior - Função: Engenheiro Eletrônico |

Q2381483 Engenharia Eletrônica

Na configuração porta-comum de um MOSFET, o terminal ligado ao terra, o terminal utilizado para receber o sinal de entrada e o terminal do qual se obtém o sinal de saída são, respectivamente,

Alternativas

dreno, fonte e porta.

fonte, porta e dreno.

dreno, porta e fonte.

porta, fonte e dreno.

fonte, dreno e porta.

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Q2381482

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,

Q2381482 Engenharia Eletrônica

Imagem associada para resolução da questão

No circuito representado na figura precedente, se β = 50, V_BE = 0,7 V e R = 2 kΩ, o valor da corrente I, em mA, será igual a

Alternativas

4,50.

5,00.

5,65.

6,00.

6,35.

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Q2381480

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Transistor ,

Q2381480 Engenharia Eletrônica

Assinale a opção que corresponde à configuração de amplificador com transistor apresentado na figura precedente.

Alternativas

porta comum

fonte comum

base comum

coletor comum

emissor comum

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Q2381479

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,

Q2381479 Engenharia Eletrônica

Em um diodo em polarização direta, a corrente que atravessa a junção p-n será

Alternativas

de portadores majoritários quando o lado n estiver submetido a um potencial positivo em relação ao lado p do componente.

de portadores minoritários se a tensão aplicada nos terminais do diodo for maior que a barreira de potencial.

nula, pois o diodo convencional não conduz em polarização direta, independentemente das tensões aplicadas em seus terminais.

de portadores majoritários se a tensão aplicada nos terminais do diodo for menor que a barreira de potencial.

de portadores majoritários se a tensão aplicada nos terminais do diodo for maior que a barreira de potencial.

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Q2381477

Engenharia Eletrônica Eletrônica Analógica na Engenharia Eletrônica , Diodo na Engenharia Eletrônica ,

Q2381477 Engenharia Eletrônica

O circuito apresentado na figura precedente pode ser modelado pelo teorema de Thévenin como

Alternativas

uma fonte de corrente de 20 mA em paralelo com uma resistência de 60 Ω.

uma fonte de tensão de 12 V em série com uma resistência de 125 Ω.

uma fonte de corrente de 20 mA em paralelo com uma resistência de 125 Ω.

uma fonte de corrente de 10 mA em paralelo com uma resistência de 125 Ω.

uma fonte de tensão de 13 V em série com uma resistência de 60 Ω.

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Respostas

6: D

7: C

8: C

9: E

10: E

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