Questões de Concurso
Comentadas sobre transistores em eletrônica
Foram encontradas 46 questões
Um transistor de junção bipolar (TJB) pode ser polarizado para operar em três regiões. Em aplicações de chaveamento, um estado da chave corresponde à operação do TJB em uma região e no outro estado o TJB opera em outra região. As regiões em que deve operar o TJB para ser usado nesse tipo de aplicação são
Julgue o próximo item acerca da eletrônica de potência.
MOSFETs são transistores que, quando operados como
chave em circuitos de eletrônica de potência,
apresentam resistência de condução muito pequena.
Julgue o próximo item acerca da eletrônica de potência.
Transistores bipolares de potência caracterizam-se por
apresentar ganho β superior a 1.000, por isso são
chamados de transistores de potência.
A eletrônica de potência revolucionou o conceito de controle de potência para a conversão de energia e para o controle dos acionamentos das máquinas elétricas. Uma classe de dispositivos muito utilizada é a de transistores de potência. Sobre esses dispositivos, analise as afirmativas a seguir.
1) O transistor bipolar de junção (BJT) e o transistor de efeito de campo de óxido metálico semicondutor (MOSFET) são exemplos de transistores de potência.
2) Os três terminais de um transistor bipolar de junção, seja ele PNP ou NPN são: coletor, base e emissor.
3) Existem três configurações básicas para um transistor bipolar de junção: coletor comum, base comum e emissor comum.
4) Há três regiões de operação para um transistor bipolar de junção: de corte, ativa e de saturação.
Estão corretas:
É correto afirmar que os transistores de efeito de campo (FET):
1) são dispositivos que podem ser utilizados como chave.
2) servem como adaptadores de impedância.
3) podem ser utilizados para controlar a corrente sobre uma carga.
4) são utilizados muitas vezes como amplificador.
Estão corretas:
Analise as assertivas sobre os transistores.
1 - BJT é um dispositivo que se encontra normalmente ligado, sendo desativado por uma corrente de base.
2 - JFET é um dispositivo que se encontra normalmente desligado, sendo ativado por uma tensão de gatilho.
3 - MOSFET emprega uma estrutura de gatilho isolado.
4 - FET’s de potência não possuem algumas das limitações dos transistores bipolares.
Das afirmativas acima: estão corretas:
Considerando um FET canal n com tensão de estrangulamento = - 3 V, corrente de saturação = 10 m A e tensão de polarização = 1,8 V, a corrente de dreno, em m A, vale:
Conheça nossos planos