A capacitância entre duas placas paralelas de área S separadas por uma distância d com material dielétrico com permissividade Є, pode ser calculada usando a seguinte equação: C = ЄS / d . Se a tensão aplicada a esse capacitor de placas paralelas dobrar de valor, o que acontece com a carga armazenada nessa capacitância?

Duas cargas pontuais positivas  Q₁ e Q₂ estão afastadas uma da outra a uma distância d. Aplicando a lei de Coulomb nessas circunstâncias, as cargas Q₁ e Q₂ estão sujeitas a uma força de repulsão F = 40 N. Se a distância entre as cargas for reduzida à metade de d, o que acontece com a força de repulsão entre as cargas Q₁ e Q₂?

Um transistor tem quatro regiões de operações distintas. Assinale a alternativa que NÃO corresponde a uma dessas regiões.

Os diodos e transistores são dispositivos semicondutores com propriedades elétricas distintas.

Assinale a alternativa que descreve corretamente as aplicações de diodos e transistores.

A respeito de sistemas de transmissão, redes de comunicação e modelo OSI, assinale a alternativa correta.

Preencha corretamente as lacunas do texto a seguir a respeito dos transistores de efeito de campo metal -óxido-semicondutor (MOSFET) e suas características construtivas.

Em um MOSFET tipo ________ de canal ________ que apresenta todos os seus terminais em aberto, a base de silício na qual o dispositivo é construído (chamada substrato) é formada por um semicondutor com dopagem tipo ________ e o canal existente que interliga o terminal de Dreno ao terminal Fonte é formado por um semicondutor com dopagem tipo ________.

A sequência que preenche corretamente as lacunas do texto é

Informe (V) para verdadeiro e (F) para falso em relação às características dos transistores de efeito de campo.

( ) Possuem alta impedância de entrada.
( ) Possuem baixa impedância de entrada.
( ) São um dispositivo controlado à corrente.
( ) São um dispositivo controlado à tensão.
( ) Existem transistores de efeito de campo canal n e canal p.

A sequência correta é

Preencha corretamente as lacunas do texto a seguir quanto às características do dispositivo semicondutor descrito.

Transistor ____________ é um dispositivo semicondutor controlado por ____________ que apresenta ____________ impedância de entrada. Além disso, esse dispositivo apresenta alta capacidade de corrente e baixa corrente de saturação.

A sequência que preenche corretamente as lacunas é

O transistor bipolar de junção é um dispositivo semicondutor amplamente utilizado na construção de dispositivos eletrônicos. Avalie as afirmações sobre o funcionamento de um Transistor Bipolar de Junção (TBJ).

I - Na região ativa de um amplificador emissor-comum, as junções base-coletor e base-emissor são polarizadas diretamente.

II - O parâmetro β de um transistor TBJ aumenta com a diminuição da temperatura.

III - O teorema da superposição é aplicável à análise e ao projeto das componentes CC e CA de um circuito TBJ, permitindo a separação da análise das respostas CC e CA do sistema.

IV - O ganho de tensão com carga de um amplificador emissor-comum é menor do que o ganho de tensão sem carga.

Está correto apenas o que se afirmar em  

Considere as afirmativas:

I. Após ser desconectado de uma fonte de tensão, o capacitor continua carregado.

II. Uma das operações para o transistor bipolar é operar como uma chave controlada.

III. Um transistor pode operar como uma fonte de corrente e como amplificador.

Assinale a alternativa correta:

Um transistor de junção bipolar (TJB) pode ser polarizado para operar em três regiões. Em aplicações de chaveamento, um estado da chave corresponde à operação do TJB em uma região e no outro estado o TJB opera em outra região. As regiões em que deve operar o TJB para ser usado nesse tipo de aplicação são

Sobre os dispositivos semicondutores utilizados para o processamento de energia elétrica em circuitos eletrônicos, identifique como verdadeiras (V) ou falsas (F) as seguintes afirmativas: ( ) Os diodos Schottky apresentam um elevado tempo de recuperação da capacidade de bloqueio, motivo pelo qual são usados em aplicações envolvendo altas frequências. ( ) Uma vez polarizado corretamente e aplicada uma corrente de gatilho apropriada, o tiristor comporta-se como um diodo em condução, não havendo mais controle externo sobre o seu instante de bloqueio. ( ) Um transistor bipolar é formado pela adição de uma segunda região “p” ou “n” a um diodo de junção “pn”, formando assim duas junções, a junção Coletor-Base e a junção Base-Emissor. ( ) Os transistores MOSFET são dispositivos controlados por tensão, implicando a necessidade de um circuito de baixa corrente para o seu acionamento. Além disso, apresentam melhores características para operação em altas frequências quando comparados com os transistores bipolares. ( ) O MOSFET apresenta alta impedância de entrada, com a vantagem de proporcionar menores perdas em condução. Assinale a alternativa que apresenta a sequência correta, de cima para baixo.

A eletrônica de potência revolucionou o conceito de controle de potência para a conversão de energia e para o controle dos acionamentos das máquinas elétricas. Uma classe de dispositivos muito utilizada é a de transistores de potência. Sobre esses dispositivos, analise as afirmativas a seguir.

1) O transistor bipolar de junção (BJT) e o transistor de efeito de campo de óxido metálico semicondutor (MOSFET) são exemplos de transistores de potência.

2) Os três terminais de um transistor bipolar de junção, seja ele PNP ou NPN são: coletor, base e emissor.

3) Existem três configurações básicas para um transistor bipolar de junção: coletor comum, base comum e emissor comum.

4) Há três regiões de operação para um transistor bipolar de junção: de corte, ativa e de saturação.

Estão corretas:

É correto afirmar que os transistores de efeito de campo (FET):

1) são dispositivos que podem ser utilizados como chave.

2) servem como adaptadores de impedância.

3) podem ser utilizados para controlar a corrente sobre uma carga.

4) são utilizados muitas vezes como amplificador.

Estão corretas:

As tensões de ruptura entre base e coletor, com emissor aberto, de um transistor bipolar, e de um diodo retificador são identificadas, respectivamente, pelas siglas: