Questões de Concurso
Comentadas sobre transistores em eletrônica
Foram encontradas 59 questões
Ano: 2026
Banca:
UEPB
Órgão:
UEPB
Prova:
UEPB - 2026 - UEPB - Técnico em Laboratório (Eletrotécnica) |
Q4209564
Eletrônica
Em uma placa de interface digital, a saída de um estágio em coletor aberto deveria assumir nível alto quando o transistor estivesse
desligado. No entanto, o técnico observa que a tensão permanece próxima de zero, impedindo o reconhecimento lógico correto pelo
circuito seguinte. Para descobrir a causa, ele analisa a rede de pull-up e a existência de uma carga indevida conectada ao terra.
Saída em coletor aberto:
Pull-up: 10kΩ para 5 V, carga acidental: 1kΩ para GND.
Marque a alternativa CORRETAem que com o transistor desligado, a tensão de saída será aproximadamente:
Saída em coletor aberto:
Pull-up: 10kΩ para 5 V, carga acidental: 1kΩ para GND.
Marque a alternativa CORRETAem que com o transistor desligado, a tensão de saída será aproximadamente:
Q4185506
Eletrônica
Uma equipe da Engenharia Elétrica está desenvolvendo
um conversor CC-CC e discute qual dispositivo
semicondutor utilizar entre BJT, MOSFET e IGBT. Um
dos engenheiros explica que esses dispositivos possuem
características distintas. Nesse contexto, é CORRETO
afirmar que:
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090266
Eletrônica
Em aplicações de eletrônica de potência, o
MOSFET é amplamente utilizado como chave
estática de alta eficiência. Considerando seu
comportamento estático, o MOSFET de potência
opera como uma chave de baixa resistência
quando está na região
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090257
Eletrônica
O IGBT é amplamente utilizado em aplicações de
média e alta potência devido à sua baixa perda em
condução e facilidade de acionamento. Entretanto,
comparado ao MOSFET, o IGBT apresenta
Ano: 2026
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
IF-CE
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2026 - IF-CE - Professor EBTT - Eletrônica Analógica, Digital, de Potência e Sistemas de Controle |
Q4090255
Eletrônica
Considere um transistor NPN operando na região
ativa direta. Sabe-se que o modelo simplificado em
regime DC estabelece:
1E = 1C + 1B
Considerando um transistor com β = 150, polarizado com 1B = 40μA, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.
1E = 1C + 1B
Considerando um transistor com β = 150, polarizado com 1B = 40μA, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.
Q3981911
Eletrônica
Um transistor de junção bipolar consegue amplificar um sinal
sem distorção, caso ele opere:
Q3981896
Eletrônica
Em uma configuração Darlington com 2 transistores, na qual
o segundo transistor tem um ganho de corrente 3 vezes maior que
o ganho “X” do primeiro transistor, o ganho total sobre a corrente
de entrada “I” será de:
Q4213772
Eletrônica
Em um amplificador de sinal pequeno utilizando um
transistor bipolar, qual configuração oferece o maior ganho
de tensão?
Ano: 2025
Banca:
INSTITUTO AOCP
Órgão:
UFABC
Prova:
INSTITUTO AOCP - 2025 - UFABC - Técnico de Laboratório - Área: Mecatrônica |
Q4093954
Eletrônica
Em um circuito com transistores bipolares de
junção (BJT), o funcionamento na chamada região
ativa ocorre quando o dispositivo atua como
amplificador, controlando a corrente de coletor a
partir da corrente de base. Assim, para que um
transistor NPN opere corretamente nessa região,
as junções base-emissor e coletor-base devem
estar
Ano: 2025
Banca:
Instituto Consulplan
Órgão:
HEMOBRÁS
Prova:
Instituto Consulplan - 2025 - HEMOBRÁS - Técnico Industrial e de Gestão Corporativa – Elétrica |
Q3262026
Eletrônica
Na eletrônica existe um dispositivo semicondutor muito comum utilizado em diversas aplicações, tanto para amplificação de
sinais quanto para comutação. Determinado profissional, durante a manutenção de um equipamento eletrônico, observou
a existência de um desses dispositivos ligados em série com a bobina de um relé de acionamento de uma pequena carga.
Diante do exposto, assinale, a seguir, o nome desse dispositivo, assim como sua função, respectivamente.
Ano: 2024
Banca:
FADURPE
Órgão:
UFRPE
Prova:
FADURPE - 2024 - UFRPE - Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica |
Q3012496
Eletrônica
Quanto aos transistores, assinale a alternativa incorreta.
Ano: 2024
Banca:
FADURPE
Órgão:
UFRPE
Prova:
FADURPE - 2024 - UFRPE - Técnico de Laboratório/Área Eletrônica/Eletrotécnica |
Q3012491
Eletrônica
Quanto aos transistores, assinale a afirmativa correta entre as alternativas a seguir.
Ano: 2024
Banca:
FUNDATEC
Órgão:
Prefeitura de Passo Fundo - RS
Prova:
FUNDATEC - 2024 - Prefeitura de Passo Fundo - RS - Eletrotécnico |
Q2538201
Eletrônica
É correto afirmar que, na região ativa, o transistor:
Ano: 2024
Banca:
FGV
Órgão:
INPE
Prova:
FGV - 2024 - INPE - Tecnologista Júnior I - Engenharia de Sistemas de Satélites - Arquitetura Elétrica |
Q2514381
Eletrônica
Transistores Bipolares de Junção (TBJ) são componentes versáteis
que podem ser utilizados em uma grande gama de aplicações. Sobre
as configurações de amplificadores de estágio simples utilizando TBJ,
analise as afirmativas a seguir.
I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.
II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.
III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.
Está correto o que se afirma em
I. Na configuração emissor comum, o ganho de tensão é negativo, indicando que há atenuação do nível de tensão do sinal de entrada.
II. Na configuração base comum, a resistência de entrada é baixa, o que limita a gama de aplicações em que essa configuração é utilizada.
III. Na configuração coletor comum, é possível obter grandes ganhos de tensão, essa característica contribui para que essa configuração seja utilizada como estágio de saída de amplificadores de múltiplos estágios.
Está correto o que se afirma em
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364387
Eletrônica
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Em um transistor do tipo NMOS, à medida que aumenta a
tensão elétrica na porta do dispositivo, ocorre o afastamento
das cargas positivas, criando, assim, uma região de depleção
no substrato, consequentemente, nessa região haverá um
fluxo de corrente elétrica resultante do deslocamento de íons
negativos da fonte para o dreno do dispositivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364386
Eletrônica
Com relação à operação dos MOSFET, julgue o item a seguir.
Para que um transistor NMOS entre na região de saturação, é
necessário que a tensão porta-dreno seja menor que o valor
da tensão de limiar do dispositivo.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364385
Eletrônica
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
A mobilidade de portadores em materiais semicondutores
depende da intensidade do campo aplicado nos terminais do
dispositivo, ou seja, quanto maior a intensidade do campo
elétrico, menor será a mobilidade das cargas portadoras.
Ano: 2024
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
CTI
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2024 - CTI - Pesquisador Associado I - Especialidade: Tecnologias Habilitadoras - Área de Atuação: Micro e Nanotecnologia |
Q2364384
Eletrônica
Julgue o próximo item, a respeito de semicondutores.
Os semicondutores do tipo silício puro são classificados
como materiais de baixa resistividade e, portanto, excelentes
condutores de corrente elétrica; por isso, formam a base da
indústria de circuitos microeletrônicos.
Ano: 2023
Banca:
IDCAP
Órgão:
CREA-ES
Prova:
IDCAP - 2023 - CREA-ES - Consultor Engenheiro Eletricista |
Q3475259
Eletrônica
Em relação ao transistor bipolar de junção, analise as
afirmativas abaixo:
I. A característica de saída, ou de coletor, pode ser dividida em três regiões distintas, classificadas e elencadas em consonância do comportamento específico do transistor em cada uma delas. Na região de corte, as duas junções estão polarizadas reversamente, fazendo com que a corrente do coletor seja praticamente nula, portanto o transistor está cortado, como se ele estivesse desconectado do circuito. Na região de saturação, as duas junções estão polarizadas diretamente, fazendo com que uma pequena variação da tenção resulte em uma enorme variação da corrente do coletor, nesse caso o transistor está saturado.
II. O transistor, na maior parte das aplicações, é usado operando na região ativa, principalmente como chave eletrônica, mas por outro lado, trabalhando nas regiões de corte e saturação, o transistor comporta-se como amplificador de sinais.
III. A configuração emissor comum é a mais utilizada nos circuitos transistorizados. Nessa configuração, a base é terminal de entrada de corrente e o coletor é o terminal de saída de corrente do circuito, sendo o emissor o terminal comum às tensões de entrada e saída.
É CORRETO afirmar que:
I. A característica de saída, ou de coletor, pode ser dividida em três regiões distintas, classificadas e elencadas em consonância do comportamento específico do transistor em cada uma delas. Na região de corte, as duas junções estão polarizadas reversamente, fazendo com que a corrente do coletor seja praticamente nula, portanto o transistor está cortado, como se ele estivesse desconectado do circuito. Na região de saturação, as duas junções estão polarizadas diretamente, fazendo com que uma pequena variação da tenção resulte em uma enorme variação da corrente do coletor, nesse caso o transistor está saturado.
II. O transistor, na maior parte das aplicações, é usado operando na região ativa, principalmente como chave eletrônica, mas por outro lado, trabalhando nas regiões de corte e saturação, o transistor comporta-se como amplificador de sinais.
III. A configuração emissor comum é a mais utilizada nos circuitos transistorizados. Nessa configuração, a base é terminal de entrada de corrente e o coletor é o terminal de saída de corrente do circuito, sendo o emissor o terminal comum às tensões de entrada e saída.
É CORRETO afirmar que:
Ano: 2023
Banca:
Instituto Access
Órgão:
UFJ
Prova:
Instituto Access - 2023 - UFJ - Técnico de Laboratório - Eletrônica |
Q2325608
Eletrônica
Um fio metálico é percorrido por uma corrente elétrica constante.
Sabe-se que uma carga elétrica de 32 C atravessa uma seção
transversal do fio a cada 4 S. Sendo e = -1,6 x 10-19C a carga
elementar de um elétron, a intensidade da corrente elétrica
percorrendo o fio é
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