Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica em eletrônica
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Passado o período transitório, ou seja, considerando um longo período após a abertura da chave em t = 0 s, o valor da tensão v sobre o capacitor será
Relacionando-se as formas apresentadas nas figuras a, b e c à classe de amplificadores correspondente, a opção correta é:
Determine o defasamento angular θ entre as duas formas de onda.
O número de espiras N deve ser
É dado que o circuito com transistor apresentado a seguir tem um ganho de corrente β = 100.

Considerando-se a tensão entre a base e o emissor do transistor igual a zero, o valor da tensão entre coletor e emissor no circuito apresentado é
Considere o circuito regulador de tensão apresentado na sequência.

Considerando-se a tensão de entrada igual 20 Vcc, a tensão do regulador zener igual a 12 Vcc, a corrente através do diodo zener igual a 20 mA e a corrente de carga através do resistor RL igual a 60 mA, determine o valor da resistência RZ.
Analise o circuito com amplificador operacional apresentado a seguir.

Considerando-se que a tensão de saída é vo = 2,5 V, o valor da tensão de entrada vi é
Considere o circuito apresentado a seguir:

O valor da resistência R para que a corrente IR seja igual a 5 A é
O valor médio aproximado da corrente i(t) é
Usa-se uma vacina ____________, elaborada com amostra 19 de Brucella abortus, ___________.
A figura precedente ilustra um circuito
Afirmativas:
I.O transistor BJT é controlado por corrente na base, enquanto o transistor MOSFET é controlado por tensão no gate, o que influencia diretamente o consumo de potência do circuito de comando.
II.O transistor MOSFET apresenta menor dissipação de potência em chaveamento de alta frequência em comparação ao BJT, pois possui menor carga armazenada e não sofre efeito de tempo de armazenamento de portadores.
III.O transistor MOSFET sempre dissipa menos calor do que o BJT, independentemente do regime de operação e da frequência de chaveamento.
IV.O transistor BJT é mais resistente a surtos de tensão do que o MOSFET, pois não sofre efeitos de ruptura da junção porta-dreno.
V.O transistor MOSFET é controlado por corrente de porta, o que o torna menos eficiente energeticamente do que o BJT em circuitos de baixa potência.
Qual combinação abaixo apresenta somente as afirmativas corretas?