Questões de Concurso
Sobre eletrônica analógica em eletrônica
Foram encontradas 579 questões
Ano: 2026
Banca:
CONSULPLAN
Órgão:
SAAE de Indaiatuba - SP
Prova:
CONSULPLAN - 2026 - SAAE de Indaiatuba - SP - Engenheiro Eletricista |
Q4352306
Eletrônica
Em painéis de automação e telecomando de unidades operacionais, é comum alimentar CLPs, rádios, instrumentação e relés
com barramentos CC estabilizados. A partir da rede CA, fontes retificadas com filtro capacitivo e/ou indutivo são usadas para
obter 24 Vcc e 48 Vcc com ripple controlado. A topologia (meia-onda, ponte monofásica e ponte trifásica de 6 pulsos) altera
a frequência do ripple e o estresse de condução nos semicondutores. Também é necessário estimar a tensão CC disponível
sob carga e efeitos não ideais (queda em diodos e sobreposição por indutâncias). O engenheiro eletricista deve relacionar
características elétricas do retificador às exigências de qualidade de energia e confiabilidade do sistema. Diante do exposto
relacione adequadamente as colunas a seguir.
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346527
Eletrônica
Um conversor digital para analógico (DAC) com arquitetura R2R (Resistor Ladder) está representado na figura abaixo.
Considere: R = 1 kΩ, RF = 2 kΩ, A0 = 0V, A1 = 5V, A2 = 0V, A3 = 5V e o amplificador operacional IDEAL com alimentação suficiente para operar na região linear.
Qual é o valor da tensão de saída “Vo”?
Considere: R = 1 kΩ, RF = 2 kΩ, A0 = 0V, A1 = 5V, A2 = 0V, A3 = 5V e o amplificador operacional IDEAL com alimentação suficiente para operar na região linear.
Qual é o valor da tensão de saída “Vo”?
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346522
Eletrônica
Considere as seguintes afirmações sobre amplificadores de sinais.
I - Amplificadores classe A têm excelente linearidade e alta eficiência energética com valores superiores a 70%.
II - Amplificadores classe B com transistores na topologia push-pull podem ter alta eficiência energética com valores superiores a 70%, porém sofrem o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
III - Amplificadores classe AB possuem alta eficiência energética, com valores superiores a 50%, e quase eliminam o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
Quais estão corretas?
I - Amplificadores classe A têm excelente linearidade e alta eficiência energética com valores superiores a 70%.
II - Amplificadores classe B com transistores na topologia push-pull podem ter alta eficiência energética com valores superiores a 70%, porém sofrem o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
III - Amplificadores classe AB possuem alta eficiência energética, com valores superiores a 50%, e quase eliminam o efeito de distorção de cruzamento (crossover distortion).
Quais estão corretas?
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346520
Eletrônica
O circuito da figura abaixo representa um espelho de corrente com transistores NMOS (M1 e M2) idênticos com os
parâmetros de transcondutância (K’n) = 0,2 mA/V2
, razão de aspecto W/L =10 e tensão de limiar (threshold voltage)
igual a 2 V.
Qual é o valor do resistor R1 para que a corrente de dreno do transistor M1 seja de 4 mA?
Qual é o valor do resistor R1 para que a corrente de dreno do transistor M1 seja de 4 mA?
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346519
Eletrônica
Observe o circuito representado na figura abaixo.
Considere o ganho de corrente (beta) dos transistores Q1 e Q2 igual a 100, a tensão emissor-base (VEB) igual a 0,7V e a tensão emissor-coletor de saturação (VECSAT) igual a 0,2V.
Qual é o valor da tensão de coletor do transistor Q1?
Considere o ganho de corrente (beta) dos transistores Q1 e Q2 igual a 100, a tensão emissor-base (VEB) igual a 0,7V e a tensão emissor-coletor de saturação (VECSAT) igual a 0,2V.
Qual é o valor da tensão de coletor do transistor Q1?
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346518
Eletrônica
Observe o circuito representado na figura abaixo.
Considere VCC = 12V, o ganho de corrente (beta) do transistor Q1 igual a 100 e a tensão base-emissor (VBE) igual a 0,7V.
Qual é o valor da corrente de polarização no coletor do transistor Q1?
Considere VCC = 12V, o ganho de corrente (beta) do transistor Q1 igual a 100 e a tensão base-emissor (VBE) igual a 0,7V.
Qual é o valor da corrente de polarização no coletor do transistor Q1?
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346517
Eletrônica
Considerando o funcionamento de um retificador de meia-onda com filtro capacitivo, assinale a afirmativa correta.
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346516
Eletrônica
Para o circuito representado na figura abaixo, considere o modelo do diodo com queda de tensão constante de 0,7V
quando diretamente polarizado.
A corrente no resistor R1 ( I ) é igual a
A corrente no resistor R1 ( I ) é igual a
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346515
Eletrônica
Considere as seguintes afirmações sobre materiais semicondutores.
I - Um cristal de silício puro é um semicondutor intrínseco.
II - Um semicondutor em temperaturas muito baixas, próximo do zero absoluto, comporta-se como um supercondutor.
III - Um cristal de silício dopado com átomos de Boro (B), com a concentração de 1016 átomos por cm3 , tem as lacunas como portadores de carga majoritários.
IV - Em um cristal de silício em temperatura de 25ºC, a mobilidade eletrônica das lacunas - µp é menor que a mobilidade eletrônica dos elétrons - µn.
Quais estão corretas?
I - Um cristal de silício puro é um semicondutor intrínseco.
II - Um semicondutor em temperaturas muito baixas, próximo do zero absoluto, comporta-se como um supercondutor.
III - Um cristal de silício dopado com átomos de Boro (B), com a concentração de 1016 átomos por cm3 , tem as lacunas como portadores de carga majoritários.
IV - Em um cristal de silício em temperatura de 25ºC, a mobilidade eletrônica das lacunas - µp é menor que a mobilidade eletrônica dos elétrons - µn.
Quais estão corretas?
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346506
Eletrônica
Observe a fonte de alimentação linear, representada no diagrama de blocos mostrado na figura abaixo.
Considere: R = 500Ω; RL=1kΩ, Vz = 10V, V1 = 15V e VBE = 0,7V, β = 100.
Assinale a alternativa que, apresenta, correta e respectivamente, os valores da corrente no resistor R (IR), da corrente na carga (IL), da corrente na base do transistor (IB) e da corrente no diodo Zener (IZ).
Considere: R = 500Ω; RL=1kΩ, Vz = 10V, V1 = 15V e VBE = 0,7V, β = 100.
Assinale a alternativa que, apresenta, correta e respectivamente, os valores da corrente no resistor R (IR), da corrente na carga (IL), da corrente na base do transistor (IB) e da corrente no diodo Zener (IZ).
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346503
Eletrônica
Observe o oscilador com ponte de Wien representado na figura abaixo.
Considerando a figura acima, analise o seguinte texto.
Se R3 = 600kΩ, para que o circuito oscile, o valor de R4 é _____.
Se R1 = R2 = 50kΩ, e C1 = C2 = 2ηF, a frequência de ressonância do circuito, é _____.
Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto acima.
Considerando a figura acima, analise o seguinte texto.
Se R3 = 600kΩ, para que o circuito oscile, o valor de R4 é _____.
Se R1 = R2 = 50kΩ, e C1 = C2 = 2ηF, a frequência de ressonância do circuito, é _____.
Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto acima.
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346502
Eletrônica
Observe a figura abaixo, que representa um multivibrador astável com CI 555.
Considere: RA=10kΩ, RB=5kΩ, C1=0,20µF, C2=0,01µF
Leia o seguinte trecho, considerando os dados acima.
O período em que a forma de onda de saída fica em nível alto (TALTO) é de _________ms, enquanto o período em que a forma de onda de saída fica em nível baixo (TBAIXO) é de _________ms, gerando uma frequência de oscilação de ____________Hz.
Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto acima.
Considere: RA=10kΩ, RB=5kΩ, C1=0,20µF, C2=0,01µF
Leia o seguinte trecho, considerando os dados acima.
O período em que a forma de onda de saída fica em nível alto (TALTO) é de _________ms, enquanto o período em que a forma de onda de saída fica em nível baixo (TBAIXO) é de _________ms, gerando uma frequência de oscilação de ____________Hz.
Assinale a alternativa que completa, correta e respectivamente, as lacunas do texto acima.
Ano: 2026
Banca:
FAURGS
Órgão:
IF-SC
Prova:
FAURGS - 2026 - IF-SC - Professor EBTT - Eletrônica Geral |
Q4346500
Eletrônica
Observe a figura abaixo.
Considerando a figura acima, analise as seguintes afirmações sobre as características de um amplificador operacional ideal e assinale-as com V (verdadeiro) ou F (falso).
( ) Possui resistência de entrada, Ri=∞.
( ) Possui resistência de entrada, Ro=∞.
( ) Vo=0, quando V1=V2.
( ) As correntes de entrada I1 e I2 são nulas.
( ) Possui características que variam com a temperatura.
A sequência correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é
Considerando a figura acima, analise as seguintes afirmações sobre as características de um amplificador operacional ideal e assinale-as com V (verdadeiro) ou F (falso).
( ) Possui resistência de entrada, Ri=∞.
( ) Possui resistência de entrada, Ro=∞.
( ) Vo=0, quando V1=V2.
( ) As correntes de entrada I1 e I2 são nulas.
( ) Possui características que variam com a temperatura.
A sequência correta de preenchimento dos parênteses, de cima para baixo, é
Ano: 2026
Banca:
IVIN
Órgão:
Câmara de Araguatins - TO
Prova:
IVIN - 2026 - Câmara de Araguatins - TO - Técnico em Som |
Q4339915
Eletrônica
Os sensores de imagem CCD e CMOS são os
componentes responsáveis por captar a luz nas
câmeras digitais. Sobre as características e diferenças
básicas entre essas duas tecnologias, é correto
afirmar que:
Ano: 2026
Banca:
Avança SP
Órgão:
Prefeitura de Amparo - SP
Prova:
Avança SP - 2026 - Prefeitura de Amparo - SP - Engenharia Elétrica |
Q4333855
Eletrônica
Transistores são componentes eletrônicos amplamente utilizados em engenharia para o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos aplicados nas mais diferentes áreas. A figura abaixo apresenta uma típica aplicação do transistor NPN bipolar:
HOROWITZ, Paul; HILL, Winfield. Driving na LED from a 'logic-level' input signal, using na npm saturated switch and series current-limiting resistor. 2015.
Qual é o tipo de circuito apresentado na figura? Assinale a alternativa CORRETA.
Ano: 2026
Banca:
FGV
Órgão:
HU Brasil
Prova:
FGV - 2026 - HU Brasil - Residência Multiprofissional - Física Médica |
Q4311224
Eletrônica
Em um sistema de espectrometria com detector semicondutor, a
carga elétrica produzida pela coleta dos pares elétron-buraco
gerados pela interação da radiação com o cristal constitui o sinal
primário do detector.
Na cadeia clássica de instrumentação nuclear, a principal função do pré-amplificador é
Na cadeia clássica de instrumentação nuclear, a principal função do pré-amplificador é
Ano: 2026
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ARSAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2026 - ARSAL - Analista de Regulação - Especialidade: Engenharia Elétrica |
Q4250475
Eletrônica
Texto associado
figura
Considerando que, no circuito precedente, todos os componentes
são ideais e que vE(t) e vS(t) correspondem, respectivamente, à
entrada e à saída do circuito, julgue o item seguinte.
A função de transferência do circuito em questão é dada pela expressão que se segue.
A função de transferência do circuito em questão é dada pela expressão que se segue.
Ano: 2026
Banca:
CESPE / CEBRASPE
Órgão:
ARSAL
Prova:
CESPE / CEBRASPE - 2026 - ARSAL - Analista de Regulação - Especialidade: Engenharia Elétrica |
Q4250473
Eletrônica
Julgue o item subsecutivo, que se refere a um amplificador com
um transistor TBJ embasado na configuração coletor comum.
Esse amplificador apresenta ganho de tensão consideravelmente maior que 1, sendo, por esse motivo, o mais indicado, entre as três configurações básicas de amplificador com um transistor TBJ, para aplicações que exigem amplificação de tensão.
Esse amplificador apresenta ganho de tensão consideravelmente maior que 1, sendo, por esse motivo, o mais indicado, entre as três configurações básicas de amplificador com um transistor TBJ, para aplicações que exigem amplificação de tensão.
Ano: 2026
Banca:
IDECAN
Órgão:
AL-CE
Prova:
IDECAN - 2026 - AL-CE - Analista Legislativo - Engenharia Elétrica |
Q4245958
Eletrônica
Um diodo de silício opera com fator de idealidade η = 2 e tensão térmica VT
= 25 mV. Sabe-se que, para uma corrente direta de
I₁ = 1 mA, a tensão de junção assume um valor de referência VD1. Ao aumentar a corrente para I₂ = 100 mA, a variação de tensão
na junção ΔVD = VD2 − VD1 pode ser definida aproximadamente por:
Ano: 2026
Banca:
IDECAN
Órgão:
AL-CE
Prova:
IDECAN - 2026 - AL-CE - Analista Legislativo - Engenharia Elétrica |
Q4245957
Eletrônica
Considere o arranjo amplificador apresentado na figura a seguir ajustado através dos seguintes parâmetros.
Deseja-se alterar a carga do sistema para RL = 60 Ω, mantendo todos os demais parâmetros inalterados. A partir do novo valor de RL e a respeito da variação de alcance do sinal CA não ceifado na saída do arranjo (MPP), é correto afirmar que o MPP:
Deseja-se alterar a carga do sistema para RL = 60 Ω, mantendo todos os demais parâmetros inalterados. A partir do novo valor de RL e a respeito da variação de alcance do sinal CA não ceifado na saída do arranjo (MPP), é correto afirmar que o MPP:
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