Questões de Concurso Sobre eletrônica analógica em eletrônica

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Q4163128 Eletrônica
A figura abaixo representa um circuito regulador que utiliza um diodo zener com tensão de ruptura igual a 15 V. Assim, qual é a potência dissipada no diodo?
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Alternativas
Q4163126 Eletrônica

Examine a figura abaixo.


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Considere a configuração de transistor polarizado por divisor de tensão, conforme mostrado na figura acima. Assim, assinale a opção que apresenta a tensão aproximada entre coletor e emissor.


Dado: tensão entre base e emissor do transistor = 0,7 V.

Alternativas
Q4163123 Eletrônica
Assinale a opção que apresenta uma característica do amplificador operacional ideal.
Alternativas
Q4154033 Eletrônica

Examine a figura abaixo.


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O amplificador acima tem entrada v1 e é polarizado de maneira a garantir máxima excursão do sinal de saída vO. Se o transistor tem tensão de Early de -50 V, o ganho de tensão teórico para pequenos sinais do amplificador na região linear é de aproximadamente:


Dado: Tensão térmica = 25mV

Alternativas
Q4154010 Eletrônica

Examine a figura abaixo.


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Com base nessas informações, assinale a opção que apresenta corretamente o valor da corrente da fonte (Ifonte), da corrente da carga (IRL) e da potência dissipada pelo diodo Zener (Pzener).

Alternativas
Q4093112 Eletrônica
O circuito a seguir representa um retificador controlado monofásico de meia onda, utilizando um tiristor (SCR) para o controle da condução, alimentando uma carga puramente resistiva. Nesse tipo de circuito, o tiristor conduz apenas após o disparo, que ocorre em um determinado ângulo de disparo, permitindo o controle da tensão média aplicada à carga. Esse princípio é amplamente utilizado em aplicações como controle de potência em aquecedores, iluminação e acionamento de cargas resistivas. Considere que a fonte de alimentação possui tensão Vrms=127Vac e frequência de 60Hz, e que o tiristor está operando com um ângulo de disparo e 60°.
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Informações complementares: 
Imagem associada para resolução da questão Com base nessas informações, assinale a alternativa que representa corretamente o valor da tensão média na carga "L" (considere arredondamentos nas últimas casas decimais): 
Alternativas
Q4090266 Eletrônica
Em aplicações de eletrônica de potência, o MOSFET é amplamente utilizado como chave estática de alta eficiência. Considerando seu comportamento estático, o MOSFET de potência opera como uma chave de baixa resistência quando está na região 
Alternativas
Q4090259 Eletrônica
Em um AOP com slew rate de 0,5 V/µs alimentado com sinal senoidal de 10 V pico, a frequência máxima sem distorção será de aproximadamente
Alternativas
Q4090258 Eletrônica
Um amplificador operacional real possui ganho finito A = 105. Em configuração inversora com realimentação Rf/RIN = 10, qual será o ganho real aproximado?
Alternativas
Q4090256 Eletrônica
Um MOSFET canal-n apresenta VT = 3V. Para VGS = 5V, determine a condição para operação em saturação e assinale a alternativa correta. 
Alternativas
Q4090255 Eletrônica
Considere um transistor NPN operando na região ativa direta. Sabe-se que o modelo simplificado em regime DC estabelece:

1E1C + 1B  

Considerando um transistor com β = 150, polarizado com 1B = 40μA, determine a corrente de emissor e assinale a alternativa correta.
Alternativas
Q4090251 Eletrônica
O modelo quadrático do MOSFET de canal n no regime de saturação, desprezando-se efeito de modulação do comprimento de canal, é:
                                                                                  Imagem associada para resolução da questão

Considere um MOSFET com kn =0,4A/V2, VT =2V, operando com VGS = 6V.  
Assumindo que o dispositivo está em saturação, a corrente de dreno será 
Alternativas
Q4090250 Eletrônica
A equação característica do diodo semicondutor PN é descrita pelo modelo exponencial de Shockley:
                                                                                       Imagem associada para resolução da questão
Sabe-se que 1S é a corrente de saturação reversa, VT  = Imagem associada para resolução da questão é a tensão térmica e n é o fator de idealidade. Considere um diodo de silício operando a 300 K, com 1S = 10- 12 A, n = 1, conduzindo uma corrente direta de 5 mA. Desprezando o termo “−1” da equação, a tensão direta aproximada no diodo será
Alternativas
Q4085159 Eletrônica
Os CLPs modernos caracterizam-se por apresentar módulos de entrada e saídas analógicas. Sobre esse assunto, assinale a alternativa INCORRETA.
Alternativas
Q4085151 Eletrônica

A respeito do circuito de condicionamento de sinais apresentado a seguir, assinale a alternativa correta. 


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Alternativas
Q4084228 Eletrônica

Julgue o item a seguir, relativo a conceitos e características de dispositivos em eletrônica analógica.


O aumento da temperatura ambiente aumenta a tensão de limiar de condução de um diodo de silício.

Alternativas
Q4084227 Eletrônica

Julgue o item a seguir, relativo a conceitos e características de dispositivos em eletrônica analógica.


A resistência de saída de um transistor bipolar de junção real é finita devido ao efeito Early.

Alternativas
Q4084226 Eletrônica

Julgue o item a seguir, relativo a conceitos e características de dispositivos em eletrônica analógica.


O amplificador operacional em malha aberta é normalmente utilizado em aplicações lineares.

Alternativas
Q4083443 Eletrônica
No circuito eletrônico a seguir, construído com transistor TBJ do tipo npn, a tensão no emissor (VE) é −0,7 V e o ganho de corrente (β) é 50.

A partir dessas informações, julgue o item a seguir.


iC = 0,5 mA. 

Alternativas
Q4083442 Eletrônica
No circuito eletrônico a seguir, construído com transistor TBJ do tipo npn, a tensão no emissor (VE) é −0,7 V e o ganho de corrente (β) é 50.

A partir dessas informações, julgue o item a seguir.


iE = 1 mA. 

Alternativas
Respostas
1: B
2: D
3: B
4: D
5: E
6: C
7: C
8: C
9: B
10: E
11: B
12: C
13: D
14: A
15: B
16: E
17: C
18: E
19: E
20: C