Questões de Concurso Sobre eletroeletrônica
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Q1000405
Eletroeletrônica
Considere o gráfico que ilustra a Densidade Energética de
baterias: 
Podemos associar (i), (ii) e (iii) às seguintes tecnologias de baterias:
Podemos associar (i), (ii) e (iii) às seguintes tecnologias de baterias:
Q1000404
Eletroeletrônica
Ainda a respeito da chave eletrônica da figura, após o Ensaio I
da figura anterior são realizadas as seguintes aferições: 
Podemos inferir agora que o transistor encontra-se
Podemos inferir agora que o transistor encontra-se
Q1000403
Eletroeletrônica
Considere a seguinte chave eletrônica: 
De posse de um multímetro analógico na escala de resistência
x10k, suponha a realização dos seguintes ensaios: 
A fim de atestar o funcionamento da chave, o resultado dos ensaios
I e II devem resultar, respectivamente
De posse de um multímetro analógico na escala de resistência
x10k, suponha a realização dos seguintes ensaios: A fim de atestar o funcionamento da chave, o resultado dos ensaios
I e II devem resultar, respectivamente
Q1000402
Eletroeletrônica
Considere o Diodo Zener com as seguintes características
fornecidas pelo fabricante:
• Máxima potência dissipada pelo encapsulamento PZ(max) = 500mW. • Corrente mínima de de Zener Iz = 0,5mA. • Tensão de Zener Vz =12V.
Supondo que o Diodo Zener esteja funcionando corretamente para a regulação de carga, calcule os valores aproximados de mínimo e máximo admissíveis para a carga resistiva RL.
Os valores obtidos foram, respectivamente
• Máxima potência dissipada pelo encapsulamento PZ(max) = 500mW. • Corrente mínima de de Zener Iz = 0,5mA. • Tensão de Zener Vz =12V.
Supondo que o Diodo Zener esteja funcionando corretamente para a regulação de carga, calcule os valores aproximados de mínimo e máximo admissíveis para a carga resistiva RL.
Os valores obtidos foram, respectivamente
Q1000401
Eletroeletrônica
Considere o seguinte arranjo de transistores:
De forma analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado po
De forma analítica, o ganho total da corrente de coletor Ic em relação a corrente de base Ib é dado po
Q1000400
Eletroeletrônica
Considere os itens a respeito do arranjo em série e paralelo de
chaves eletrônicas e atribua V para verdadeiro ou F se falso.
( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj's em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ's) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais. ( ) Em IGBT's o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente. ( ) Para conexão de TBJ's em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor. ( ) Já para o paralelismo de MOSFET's, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.
Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.
( ) Para o aumento da capacidade de condução de corrente, TBj's em paralelo devem ter observado seus coeficientes de temperatura (negativo para TBJ's) pois se um dos transistores conduzir mais corrente, sua resistência em sentido direto diminui e sua corrente aumenta ainda mais. ( ) Em IGBT's o paralelismo é mais simples, pois os mesmos possuem coeficientes de temperatura positivos e constantes de maneira a facilitar seu paralelismo para divisão da condução de corrente. ( ) Para conexão de TBJ's em série, o tempo de entrada e saída de condução devem ser observados de maneira a não permitir que o dispositivo mais lento para condução ou rápido para o desligamento seja submetido a toda tensão de coletor/emissor. ( ) Já para o paralelismo de MOSFET's, uma vez que o aquecimento da chave implica em um aumento na resistência em sentido direto, o desvio da corrente resultante impede o paralelismo deste tipo de chave.
Assinale a sequência correta, no sentido de cima para baixo.
Q1000399
Eletroeletrônica
Considere a implementação utilizando dois amplificadores
operacionais onde R1 = 100 ; R2 = 900 ; R3 = 1000 e R4 = 10k.
Para a entrada senoidal Vin = 12V rms, o valor da tensão de
pico na carga VL é de
Q1000398
Eletroeletrônica
Considere a seguinte implementação usando ressonadores LCR
de um filtro de segunda ordem. O arranjo equivale a um filtro do
tipo
Q1000397
Eletroeletrônica
Considere o seguinte esquema associado ao estágio de saída
de um aplificador de potência:
Sobre o arranjo, é incorreto afirmar que
Sobre o arranjo, é incorreto afirmar que
Q1000396
Eletroeletrônica
A eficiência do retificador é de aproximadamente.
Q1000395
Eletroeletrônica
O Fator de crista da corrente de carga.
Q1000394
Eletroeletrônica
O Valor eficaz aproximado de tensão na carga
Q1000393
Eletroeletrônica
Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características
puramente resistiva com um valor de resistência igual a Rcarga =
100Ω e uma tensão de entrada alternada e senoidal de 220V na
frequência de 60Hz.
Calcule
O valor médio aproximado da tensão na carga
Calcule
O valor médio aproximado da tensão na carga
Q1000392
Eletroeletrônica
O instante de tempo Tss em que o sistema atinge o regime
permanente.
Q1000391
Eletroeletrônica
O valor da tensão de pico do capacitor Vcmax para condições
iniciais nulas.
Q1000390
Eletroeletrônica
Considere o seguinte circuito formado por uma chave CH1, um diodo
ideal D1 e uma impedância Z conforme ilustrado na FIGURA A:
FIGURA A
Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características LC ideal, Z = Xl - Xc, onde a capacitânciada carga é dada por 20 uF (Cz = 200 uF) e a indutância é dada por 80 mH (Lz= 80mF).
Considere Vln formado por um banco de 2 baterias idênticas Vb = 12V, em série.
Calcule
O valor da corrente de pico LLmax no indutor Lz para condições iniciais nulas.
FIGURA A
Com base na FIGURA A, para uma carga Z com características LC ideal, Z = Xl - Xc, onde a capacitânciada carga é dada por 20 uF (Cz = 200 uF) e a indutância é dada por 80 mH (Lz= 80mF).
Considere Vln formado por um banco de 2 baterias idênticas Vb = 12V, em série.
Calcule
O valor da corrente de pico LLmax no indutor Lz para condições iniciais nulas.
Q999549
Eletroeletrônica
Assinale a alternativa que apresenta a
funcionalidade de um diodo zener que se encontra
na saída de um retificador e em paralelo com a carga
elétrica.
Q981795
Eletroeletrônica
Considere o circuito:
O valor da corrente no LED é:
Q981791
Eletroeletrônica
Analise as afirmativas sobre os transistores bipolares, marcando (V) para verdadeiro e (F) para falso.
( ) A operação do transistor NPN é análoga à do PNP, porém com os papeis desempenhados pelos elétrons e lacunas trocados.
( ) A camada que corresponde à base, num transistor bipolar, deve ser fortemente dopada para que os portadores minoritários apareçam em número reduzido.
( ) A região ativa de operação de um transistor bipolar é caracterizada pela existência de duas junções diretamente polarizadas.
( ) Um transistor bipolar fortemente saturado deverá ser mais facilmente comutado para o corte que um outro fracamente saturado.
( ) O fator de amplificação, para a configuração emissor comum é representado pelo símbolo β (BETA), sendo dado por β = Ic / Ib , com valor sempre maior que 1.
A sequência correta é:
Q981790
Eletroeletrônica
Considere o gráfico e a figura:
Estão CORRETAS as afirmativas, EXCETO:
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