Questões Militares
Para eletrônica
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Analise as figuras a seguir.
Tabela Verdade do Circuito Y
Considerando a tabela verdade e os diagramas
apresentados acima, identifique a função que executa o
circuito Y, sabendo que esse é composto por dois blocos
do circuito X, e assinale a opção correta,
Analise o circuito a seguir.
Determine qual é a função de transferência do circuito da figura acima.
Dado: Assuma a condição de contorno i(0) =0.
Analise o circuito a seguir.
Se Va= +5V, Vb = 0V e Vc;= +5V, determine qual é o valor
da saída Vou para um diodo ideal no circuito acima.
Analise a figura a seguir.
Utilizando-se de 3 flip-flops tipo D (D2D1D0), com mesmo
clock, um circuito combinacional foi criado para
implementar a sequência acima, com seus sinais de saída
representados pelos bits Q2Q1Q0. Fazendo uso da soma
de produtos, a lógica mínima para implementar a entrada
do flip-flop D0 é:
Analise o circuito a seguir.
Sabendo que o circuito acima tem todos os seus componentes ideais, calcule o sinal de saída (Vo) e assinale a opção correta.
Dado:
Sinal de entrada: Vi = e-2t COS (60t)
Analise a figura a seguir.
O Mapa de Karnaugh pode ser resolvido por dois
métodos: soma de produtos (SdP) e produto das somas
(PdS). Determine a expressão para Y, pelo método do
produto das somas, do mapa de Karnaugh acima e
assinale a opção correta.
Analise a figura a seguir.
Determine qual é a função de transferência Vo(s)/VI(s) do
circuito acima e assinale a opção correta.
Analise a figura a seguir.
No circuito acima, qual é: a potência máxima possível de ser transferida para a carga ZL?
Dados:
• arctan (-3/4) = - 36.87;
• arctan (-1.68/5.76) = -16.26º
• e tensão de pico na entrada: Vpico = 20V.
Assinale a opção que apresenta o valor de K tal que o sistema, em malha fechada, seja marginalmente estável, e sua frequência ω de oscilação.
Analise a figura a seguir.
Com relação ao circuito acima, assinale a opção que apresenta os valores da resistência de RL para a máxima transferência de potência e para uma eficiência de 75%, respectivamente.
Dados:
• R1 = 15Ω
• R2 = 8Ω
• R3 = 7Ω
• I = 15A
• E1 = 10V
Dada a equação diferencial 
com as condições de contorno y(0) = ý (0) = u (0) = 0, a função de transferência G (S) = Y (s) / U (s) é igual a :
onde α = 1/2 RC
para o circuito em paralelo, α0 = R/2L para o circuito em
série e 
nos dois casos. Assim, para qual
condição o circuito será subamortecido? I- O transistor NMOS possui este nome por conta das regiões de dreno (drain) e fonte (source) altamente dopadas com substrato tipo n.
ll- O terminal gate é eletricamente isolado do substrato por uma camada de dióxido de silício (SiO2).
III- Em um transistor NMOS, o canal induzido abaixo do gate tem origem na inversão da superfície do substrato do tipo n para o tipo p, e também é conhecido como camada de inversão.
IV- O substrato forma junções p-n com a região do dreno e da fonte que, em operação normal, devem ser mantidas reversamente polarizadas.
V. O transistores MOSFET são dispositivos simétricos, logo, é possível intercambiar a fonte (source) e dreno (drain) sem alterar as características do dispositivo.
Analise a figura a seguir.
Determine qual é a tensão da fonte e a impendância da
linha no circuito Thévenin equivalente do circuito da figura acima e assinale a opção correta.
Analise a figura a seguir.
Determine qual é o ganho do circuito com amplificadores
operacionais acima e assinale a opção correta.
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