Foram encontradas 12.637 questões
Resolva questões gratuitamente!
Junte-se a mais de 4 milhões de concurseiros!
Marque Verdadeiro (V) ou Falso (F) para as afirmações abaixo, e assinale a alternativa correta.
( ) No SCR, a tensão reversa de ruptura é equivalente à região de zener.
( ) Além do gatilhamento da porta, o SCR também pode ser disparado por uma diminuição significativa na temperatura do dispositivo.
( ) A tensão direta de ruptura (VBR) é aquela tensão acima da qual o SCR entra na região de corte.
Associe a coluna da direita com a da esquerda e assinale a alternativa que contém a sequência correta.
1- memória estática
2- memória dinâmica
3- memória auxiliar
4- célula de memória
( ) memória semicondutora nas quais os dados permanecem armazenados enquanto a fonte de alimentação estiver aplicada, sem a necessidade de reescrever periodicamente os dados na memória.
( ) memória semicondutora nas quais os dados armazenados não se mantêm permanentemente, mesmo com a fonte de alimentação aplicada, a menos que sejam periodicamente reescritos na memória (refresh).
( ) também chamada de memória de massa porque armazena grande quantidade de informações externas à memória principal. Ela é mais lenta do que a memória principal e é sempre não volátil. Discos magnéticos e CDs são exemplos desse tipo de memória.
( ) dispositivo ou circuito elétrico usado
para armazenar um único bit (0 ou 1).
Calcule, no circuito abaixo, o valor da perda de potência existente na transferência da tensão da fonte para um resistor de carga de 15Ω e assinale a alternativa correta.
Considere os valores dos resistores em Ω.
Qual o conjunto de condições de entrada que produz uma saída de nível alto no circuito a seguir?
Assinale a alternativa que completa corretamente a lacuna da assertiva abaixo.
O ___________ é um dispositivo semicondutor unipolar controlado por tensão.
Conheça nossos planos