Questões Militares de Engenharia Eletrônica - Página 37

Q645131

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645131 Engenharia Eletrônica

Na análise de uma linha de transmissão, um importante conceito a ser analisado é o seu Coeficiente de reflexão. Assinale, dentre as opões a seguir, aquela que contém uma afirmação FALSA relativa a esse conceito e à sua aplicação prática.

A

Em uma linha de transmissão, que possua uma impedância casada em sua terminação, a onda refletida é inexistente .

B

Se a linha de transmissão terminar aberta, toda a energia é transmitida para o éter, passando a funcionar como uma antena do tipo dipolo.

C

Se a linha de transmissão terminar em um curto-circuito, toda a onda se reflete com a inversão de fase do sinal originariamente transmitido pela linha.

D

A existência de uma impedância resistiva ou reativa em sua terminação, diferente da impedância característica da linha de transmissão, resulta na existência de uma onda refletida.

E

O módulo (valor matemático sem sinal) do coeficiente de reflexão de uma linha de transmissão é sempre menor que a unidade, exceto para linhas terminadas em aberto, onde o valor tenderá a unidade.

Q645130

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645130 Engenharia Eletrônica

As antenas parabólicas se tornaram muito comuns nos dias atuais, sendo utilizadas em diversos sistemas de comunicação importantes para a sociedade atual. Com relação à utilização e às características típicas das antenas parabólicas, assinale, dentre as opções abaixo, aquela que contém uma afirmativa correta.

A

Não podem ser utilizadas para recepção de sinas na Banda Ku.

B

São adequadas para o uso em sistemas de rádio enlace digital por apresentarem uma alta Diretividade.

C

O valor do ganho de uma antena parabólica não é afetado pelo seu diâmetro, uma vez estabelecido o comprimento de onda da frequência de operação.

D

As antenas parabólicas, devido às suas formas geométricas, não podem ser classificadas como antenas refletoras .

E

Tipicamente, as antenas parabólicas do tipo Cassegrain não podem ter o alimentador posicionado atrás do vértice do paraboloide.

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Q645129

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645129 Engenharia Eletrônica

A expressão booleana Imagem associada para resolução da questão pode ser substituída por:

A

B

C

D

f = A + B

E

f = AB

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Q645128

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645128 Engenharia Eletrônica

Observe o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Dado o circuito acima, calcule a tensão de saída Vs para a entrada digital 8816, atribuindo o valor de R = 1kΩ e R₀= 1,6kΩ, nível 1= 5V e Vcc = ±15V, e a seguir assinale a opção correta.

A

-88V

B

-85V

C

-8,8V

D

-8,5V

E

- 0,88V

Q645127

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645127 Engenharia Eletrônica

Um sinal de portadora cossenoidal de 100 MHz, com 200 Vpp, é modulado em frequência, com desvio máximo de 75 kHz, por um sinal também cossenoidal de 15 kHz e 20 Vpp.

Qual a largura de faixa ocupada por este sinal modulado?

A

90 kHz.

B

100,015 kHz.

C

100,075 kHz.

D

175 kHz.

E

180 kHz.

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Q645126

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645126 Engenharia Eletrônica

Referente aos diversos tipos de diodos, é correto afirmar que os

A

diodos tipo VARICAP têm seu modo de operação dependente da capacitância existente na junção PN, quando o elemento está diretamente polarizado.

B

diodos tipo Schottky têm internamente uma barreira de junção maior do que a encontrada em outros dispositivos de junção PN, tanto na junção diretamente polarizada como na inversamente polarizada, proporcionando melhor resposta em altas frequências.

C

diodos tipo Túnel possuem uma região de depleção muito reduzida, porque são dopados intensamente em relação ao diodo tipico.

D

fotodiodos são dispositivos semicondutores que operam quando são polarizados diretamente.

E

diodos tipo Zener são utilizados principalmente como fontes de corrente constante.

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Q645124

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645124 Engenharia Eletrônica

Analise a figura a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Considerando o amplificador operacional ideal, qual o valor de Vo em função de V1 e V2?

A

(V1-V2).(R1.R3)/ (R1.R2)

B

(V2-V1).R1/R2

C

(V2-V1).R2/ (R1+R3)

D

V2 .(R1+R2) /RI - V1.R2/R1

E

-V2.(R1+R2)/R3 + V1.R2/R3

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Q645123

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645123 Engenharia Eletrônica

A representação do número decimal 53,125₁₀ convertido para o sistema binário é:

A

110101,111101

B

110101,1011111

C

110101,101

D

110101,001

E

110101,100

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Q645122

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645122 Engenharia Eletrônica

Com relação ao processo de dopagem de semicondutores, responsável pela criação dos materiais dos tipos p e n, assinale a opção INCORRETA.

A

Um material semicondutor submetido ao processo de dopagem é chamado de material extrínseco.

B

O material do tipo n é criado com a introdução de elementos de impureza com cinco elétrons de valência que são chamados de átomos doadores.

C

O material do tipo p é obtido dopando-se um cristal de silício puro com átomos com três elétrons de valência, chamados átomos aceitadores.

D

Em um material do tipo p, a lacuna é o portador minoritário, e o elétron é o portador majoritário.

E

O diodo semicondutor é formado pela simples união dos materiais tipo p e tipo n.

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Q645121

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645121 Engenharia Eletrônica

Um método usado para classificar amplificadores de potência é o de Classes. As Classes de amplificadores basicamente indicam quanto o sinal de saída varia, sobre um ciclo de operação, para um ciclo completo do sinal de entrada. Assinale, dentre as opções abaixo, aquela que NÃO descreve corretamente uma dessas Classes de amplificadores.

A

Em um amplificador Classe A, o sinal varia por um ciclo completo de 360°.

B

Em um amplificador Classe B, o sinal varia sobre a metade do ciclo da entrada, ou por 180° de sinal.

C

Em um amplificador Classe AB, a oscilação do sinal de saída ocorre entre 180° e 360°.

D

A saída de um amplificador da Classe C é polarizada para uma operação em menos de 180° do ciclo, sendo muito utilizado em circuitos sintonizados para rádio comunicação.

E

Um amplificador da Classe D normalmente é usado para circuitos analógicos de instrumentação e medição, apresentando um ciclo de operação entre 180° e 270°.

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Q645120

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645120 Engenharia Eletrônica

Com relação aos transistores de junção por efeito de campo (JFET), é correto afirmar que:

A

são dispositivos controlados por corrente, diferentemente do que ocorre com o transistor bipolar que é controlado através da tensão.

B

possuem alta impedância de entrada para altas frequências, por isso têm ganhos de tensão muito maiores do que os dos transistores bipolares.

C

são eficientes quando aplicados em buffers devido às suas altas impedâncias de entrada e baixas impedâncias de saída.

D

não são recomendados para amplificadores de RF devido ao alto nível de ruído na saída.

E

possuem normalmente altos ganhos de tensão devido às suas altas impedâncias de entrada e baixas impedâncias de saída.

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Q645119

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645119 Engenharia Eletrônica

Nos dias atuais, a fibra ótica é responsável pelo transporte de um grande volume de informação por longas distâncias, sendo fundamental para expansão da chamada "Era Digital". Assinale, dentre as opções a seguir, aquela que contêm uma afirmação correta relativa às fibras óticas e à sua operação .

A

0 fenômeno da reflexão interna total é responsável pelas perdas de energia da onda luminosa dentro da fibra óptica.

B

Uma das desvantagens da fibra óptica é seu alto grau de suscetibilidade a campos elétricos.

C

Um das vantagens do uso da fibra óptica consiste no fato de que suas pequenas dimensões não exigem procedimentos e dispositivos de alta precisão na realização das conexões , emendas e junções.

D

Os sistemas com fibras ópticas necessitam do uso de alimentação elétrica independente para cada repetidor, não sendo possível utilizar parte da energia transmitida para este fim.

E

Com relação à transmissão do sinal óptico, pode-se afirmar que a eficiência de um fotodetector pode ser medida quanto à sua capacidade em manter o casamento de impedância entre os trechos de fibra interligados por ele.

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Q645118

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645118 Engenharia Eletrônica

Observe o diagrama de tempo e de formas de onda mostrado na figura a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Sabendo que este diagrama representa as quatro saídas (A, B, C e D) de um circuito integrado, cujos estados são alterados em função do clock de entrada, é correto afirmar que este circuito integrado desempenha:

A

a função de um registrador de deslocamento que move os pulsos de clock de forma sequencial de A para B, de B para C e de C para D.

B

a função de um registrador de deslocamento que move os pulsos de clock de forma sequencial de D para C, de C para B e de B para A.

C

uma função lógica, onde A representa a contagem do número de pulsos de clock ímpares, B a contagem do número de pulsos de clock pares, C a soma de A + B e D a subtração de B - A.

D

a função de um contador decádico, onde A é o bit mais significativo e D é o menos significativo, formando um número binário ABCD.

E

a função um contador decádico, onde D é o bit mais significativo e A é o menos significativo, formando um número binário DCBA.

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Q645115

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645115 Engenharia Eletrônica

Observe o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Com base nos dados acima, estime Eo pico a pico para a variação da tensão de entrada de ± 2V e assinale a opção correta.

A

1,6 V

B

8 mV

C

16 mV

D

4 mV

E

0,4 V

Q645114

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645114 Engenharia Eletrônica

Assinale a opção que apresenta a simplificação da expressão a seguir, por meio da Álgebra de Boole:

Imagem associada para resolução da questão

A

B

C

D

E

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Q645113

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645113 Engenharia Eletrônica

Observe a figura a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Para o circuito lógico mostrado acima, assinale a opção que expressa de forma correta a função F.

A

F = ABC

B

C

F =

D

F = B

E

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Q645112

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645112 Engenharia Eletrônica

Observe a figura a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Considerando o amplificador operacional como sendo ideal, qual o valor de Vo?

A

0,1 V

B

-0, 1 V

C

-0,01 V

D

0,2 V

E

-0,2 V

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Q645111

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645111 Engenharia Eletrônica

Comparando os dispositivos eletrônicos SCR e SCS, é correto afirmar que:

A

o SCS possui tempo de desligamento 3 a 5 vezes menor que o do SCR.

B

o SCR possui maior sensibilidade de disparo em relação ao SCS.

C

os SCR têm sua aplicação limitada para operação em baixa potência.

D

ambos os dispositivos são PNPN, porém o SCR difere do SCS por possuir uma porta anodo.

E

o SCR é amplamente utilizado em circuitos de computador por ter tempo de desligamento menor.

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Q645110

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645110 Engenharia Eletrônica

Analise o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Considerando os capacitores de acoplamento com impedância zero para a frequência de operação, determine o ganho de tensão e a impedância de entrada aproximados, para pequenos sinais, do circuito a acima.

A

-2 e 10,7 kΩ

B

2 e 9,8 kΩ

C

2,7 e 10,9 kΩ

D

1,7 e 11 kΩ

E

-2 e 9,8 kΩ

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Q645108

Ano: 2012 Banca: Marinha Órgão: Quadro Complementar Prova: Marinha - 2012 - Quadro Complementar - Segundo-Tenente - Engenharia Eletrônica |

Q645108 Engenharia Eletrônica

Observe o circuito a seguir.

Imagem associada para resolução da questão

Considerando os diodos de silício da figura e Vd(silício)=0,7 V, determine a corrente I1 que passa em RI e assinale a opção correta.

A

2,89 mA

B

2,70 mA

C

3,27 mA

D

2,18 mA

E

3,45 mA

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Questões Militares Sobre engenharia eletrônica

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